Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

94 6 SiGe/Si Inselstrukturen
6-6 und Abb. 6-8) überbetont hervor. Durch Berücksichtigung leicht verschiedener Inseltypen ließe
sich ein rascherer Abfall realisieren. Auf diese Weise wäre es prinzipiell möglich, die Größenverteilung
der Inseln abzuschätzen.
q [A ]
-1
001
4.60
4.55
4.50
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
-0.05 0
-1
q 100 [A ]
0.05
log (I)
5 6 7 8
A B
CTR
K
M0
M1
M2
-0.05 0
-1
q 100 [A ]
0.05
Abb. 6-21: (A) Gemessene Intensität in der Nähe des reziproken Gitterpunktes
004 an Probe 1005x und (B) Simulation unter der Annahme eines der äußeren
Form nach gleichen Pyramidenstumpfes wie in Abb. 6-19A jedoch mit einer
Basisbreite von 110 nm bei einer Höhe von 55 nm. Der Ge-Gehalt erfährt bei einem
Drittel der Inselhöhe einen Sprung von 32% im unteren Bereich auf 38% in den
oberen zwei Dritteln.
Als weiterer experimenteller Beleg für einen vertikal stark lokalisierten Ge-Sprung soll eine
Messung in der Umgebung des 004 Reflexes in der [100]-Zone an Probe 1005x angeführt werden.
In Abb. 6-21 wird diese mit einer entsprechenden Simulation in Teilbild B verglichen. Die Messung
entspricht qualitativ der an Probe 1082 (siehe Abb. 6-6), mit gewissen quantitativen Unterschieden.
Zum einen erscheint hier der Inselreflex bei einem kleineren q 001=4.544 Å -1 , was auf einen erhöhten
mittleren Ge-Gehalt schließen läßt. Verbunden mit einer solchen Konzentrationserhöhung ist eine
Verkleinerung der Inseln, so dass für die nebenstehende Simulation eine formgleiche Insel mit
{111} Seiten- und einer (001) Deckfacette jedoch mit reduzierter Basisbreite B 100=110 nm und
einer Höhe h=55 nm zugrundegelegt wurde. Andererseits erscheinen die entsprechende
Korrelationspeak (K) neben dem Truncation Rod (CTR) mit einem größeren mittleren Abstand
von =0.0033Å -1 HRXRD
∆
, der bereits darauf hindeutet, dass ein etwa um den Faktor 1.5 kleinerer
q 100
Insel-Insel Abstand in den Ketten als bei Probe 1082 vorliegen muß. In Kap. 6.3 finden diese
Ergebnisse in vergleichende in-plane GISAXS Messungen und aus AFM gewonnenen Powerspektren
eine zusätzliche Bestätigung.
Den Streubildern beider Proben gemeinsam sind die deformationsbedingten Muster (M1) und
(M2), die praktisch als eine Art „Fingerabdruck“ der durch einen Konzentrationssprung bei einem
Drittel der Inselhöhe hervorgerufenen Deformation betrachtet werden können, wobei sich die