Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...
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6.2 Deformationsfelder und Konzentrationsverlauf in SiGe Inseln 73<br />
-1<br />
q 001 [A ]<br />
0.12<br />
0.10<br />
0.08<br />
0.06<br />
0.04<br />
0.02<br />
A B<br />
Ab<br />
-0.04 -0.02 0.00 0.02 0.04<br />
-1<br />
q 110 [A ]<br />
-0.02 0.00 0.02<br />
-1<br />
q 100 [A ]<br />
Abb. 6-3: An Probe 1082 gemessene Intensitätsverteilung in der Nähe des reziproken<br />
Ursprungs entl<strong>an</strong>g der Inselbasis (A) und entl<strong>an</strong>g der Inseldiagonalen (B).<br />
Um den Dynamikbereich der Messung zu erhöhen, wurde der CTR und mit ihm der<br />
spekular reflektierte Strahl durch einen Absorberdraht (Ab) ausgeblendet. Die<br />
Position des spekularen Strahles (S) ist jedoch auch im diffusen Bereich auszumachen.<br />
Analog zur Entstehung des CTR kommt es infolge der lateralen Begrenzung durch<br />
Seitenfacetten zu einem Intensitätsstreak (F) senkrecht zu den Facetten, der infolge<br />
der finiten Größe der Inseln in seiner Intensität moduliert ist. Die laterale Korrelation<br />
der Inselpositionen sorgt für Korrelationspeaks (K), für diese Probe sowohl entl<strong>an</strong>g<br />
〈110〉 als auch entl<strong>an</strong>g 〈100〉.<br />
K<br />
S<br />
F<br />
2<br />
1<br />
0<br />
log (I)<br />
6.2 Deformationsfelder und Konzentrationsverlauf in SiGe Inseln<br />
Eine g<strong>an</strong>ze Reihe <strong>von</strong> Untersuchungen beschäftigt sich mit der Aufklärung der für die optischen<br />
Eigenschaften so ausschlaggebenden Größen wie Deformation und Zusammensetzung in<br />
dimensionsreduzierten Strukturen. Einen guten Überblick, inwieweit in Qu<strong>an</strong>tenstrukturen vorliegende<br />
Deformationsfelder und Kompositionsgradienten die B<strong>an</strong>dstruktur beeinflussen, findet<br />
sich beispielsweise [Bru02] und den darin enthaltenen Referenzen.<br />
Komposition und Deformation bedingen während des Wachstums ein<strong>an</strong>der. SiGe Inseln<br />
favorisieren beim Wachstum zunehmend, da bereits dort elastische Relaxationsprozesse einsetzen,<br />
die Anlagerung einer SiGe Komposition mit tendenziell höherem Ge-Gehalt, respektive größerem<br />
Gitterparameter. Der Effekt der sp<strong>an</strong>nungsinduzierten Interdiffusion konnte theoretisch<br />
[Ter98] und experimentell <strong>an</strong> verschiedenen Systemen, beispielweise InAs/GaAs<br />
[GSB00]und <strong>an</strong> versp<strong>an</strong>nten SiGe/Si Übergittern mittels Ram<strong>an</strong>-<strong>Streuung</strong> [DFL95] belegt<br />
werden. Walther et.al. konnten mittels STM und Elektronen-Energieverlust-Spektroskopie eine<br />
Germ<strong>an</strong>ium-Segregation in verwellten Si 0.8Ge 0.2 Strukturen nachweisen. In den Gebieten nahe am<br />
Apex des Ripplemusters findet eine Ge-Anreicherung statt, während es in den Tälern zu einer Ge-
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