Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

6.2 Deformationsfelder und Konzentrationsverlauf in SiGe Inseln 93
q [A ]
-1
001
h/3
4.60
4.55
4.50
B 110
I
h
A
q [A ]
-1
001
4.60
4.58
4.56
4.54
4.52
4.50
B
-0.05 0.00 0.05
-1
q 100 [A ]
I
M1
M2
Abb. 6-19: Inselmodell (A) mit einem diskreten Konzentrationssprung bei h/3. Die
Konzentration ändert sich von 25% unten auf 30% in den oberen zwei Dritteln des
Inselvolumens. In (B) ist die simulierte diffuse Intensität für eine solche Insel in der
Nähe des 004 Reflexes gezeigt.
A
-0.50 0 0.50
-1
q 110 [A ]
q [A ]
-1
001
3.50
-1.70 -1.65 -1.60 -1.55
-1
q 110 [A ]
S
F
F
I
II
3.45
3.40
v
l
0
I
II
G 3.35
Abb. 6-20: Simulation der diffus gestreuten Intensität in der Nähe der reziproken
Gitterpunkte 004 (A) und -1-13 (B). Der -1-13 Substratreflex (S) befindet sich bei
(q 110=-1.636Å -1 ; q 001=3.471Å -1 ). Der tetragonal deformierte Teil der Insel führt zu
diffuser Intensität bei einem q 110, welches der lateralen Substratposition entspricht und
als Bereich II markiert ist. Im relaxierten Teil der Insel besitzen die Einheitszellen
nahezu kubische Symmetrie, was zu Intensität in radialer Richtung von (S)
ausgehend in Richtung Ursprung im Bereich (I) führt. Darüber hinaus werden die
Facettenrods (F) und die lateralen (l) wie auch die vertikalen (v) Dickenoszillationen
der Messung aus Abb. 6-4 sehr gut reproduziert. Im symmetrischen Reflex 004 liegt
das Zentrum beider Verteilungen (I) und (II) auf dem Truncation Rod..
B
8
7
6
5
log (I)
8
7
6
5
4
log (I)
Da in der Simulation die Streuung nur eines Inseltyps mit vorgegebener Größe berechnet wurde,
treten die vertikalen (v) und lateralen (l) Dickenoszillationen im Vergleich zu den Messungen (Abb.