Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

78 6 SiGe/Si Inselstrukturen
reziproken Raum entlang 〈100〉 komprimiert abgebildet. Deutlicher als zuvor ist die diffuse
Intensität in der Nähe des CTR durch Korrelationspeaks (K) überlagert, zwischen denen ein
mittlerer lateraler Abstand von =0.0022Å -1 HRXRD
∆
besteht. Schon hier fällt die offensichtliche
Beziehung
∆ ≈
HRXRD
q100 q 100
2 × ∆ auf. Die Korrelationspeaks innerhalb dieser Zone entstehen
HRXRD
q110 tatsächlich durch Insel-Insel-Korrelation entlang 〈100〉 (siehe auch Kap. 6.3). Bemerkenswert ist,
dass die vertikale Position der Korrelationspeaks neben dem CTR von den Maxima entlang des
CTR abweicht.
q [A ]
-1
001
4.60
4.58
4.56
4.54
4.52
4.50
CTR
P
-0.05 0.00
-1
q 100 [A ]
0.05
K
M0
M1
M2
2
1
0
-1
log (I)
Abb. 6-6: Zweidimensionale Intensitätsverteilung in der Nähe des Gitterpunktes
004 innerhalb der durch [100] und [001] aufgespannten Ebene. Die Intensitätsverteilung
bei q 001≈4.56Å -1 wird durch die SiGe Insel verursacht, während der 004
Reflex für das Si Substrat außerhalb bei q 001=4.628Å -1 liegt. Infolge hoher lateraler
Ordnung treten in der näheren Umgebung des Truncation Rods (CTR)
Korrelationspeaks (K) bis zur dritten Ordnung auf. Die Intensitätsmuster (M1) und
(M2) werden sich in den Simulationen als äußerst sensitiv auf das Deformationsprofil
innerhalb der Insel erweisen. Auch in dieser Messung kommt es durch starke
Streuung bei Erfüllung der Braggbedingung für das Substrat zu einem Artefakt (P).
Abb. 6-7 zeigt zwei Intensitätsschnitte durch die vorangestellte Messung innerhalb der [100]-Zone
für q 001=4.565Å -1 (durch das Maximum der Korrelationspeaks) und q 001=4.525Å -1 . Auch hier treten
für kleinere vertikale Impulsüberträge mehrere Peaks (M1) und (M2) auf, die, wie sich in den
folgenden Simulationen zeigen wird, weniger von der Gesamtform der Insel als vielmehr vom
inneren Aufbau und damit verknüpft vom Deformationsprofil abhängen.