Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

118 7 InP/InGaP Quantenpunkte
-1
q 001 [A ]
q 001 [A ]
-1
3.30
3.25
3.20
3.15
3.10
3.25
3.20
3.15
3.10
3.05
1-13
1-13
1.50 1.55
-1
q 1-10 [A ]
A
B
I
113
113
1.50 1.55
-1
q 110 [A ]
2
1
0
-1
-2
-3
-4
log (I)
Z
CTR
6
5
4
3
2
1
log (I)
Abb. 7-3: (A) Messung der diffus gestreuten Intensität in der Nähe der reziproken
Gitterpunkte 1-13 und 113. Die Energie der benutzten Strahlung betrug 7400 eV
und (B) Simulationen der diffusen Intensität für eine In 0.83Ga 0.17P Insel
(w 110=50nm, w 1-10=30nm, h=7nm) auf einer an GaAs gitterangepaßten InGaP
Pufferschicht. Der für die Streuung an den Inselstrukturen unerhebliche GaAs-
Substratreflex wurde nicht vermessen. Er tritt bei q 110=q 1-10=1.572Å -1
/q 001=3.335Å -1 auf. In beiden Messungen erkennt man deutlich den senkrecht
verlaufenden CTR. Der Streak (Z) entsteht durch starke Streuung in der Detektorhalterung
bei exakter Bragg-Position für das Substrat, so dass die Verlängerung von
CTR und (Z) im Substratreflex einmünden.
Der Substratreflex des GaAs Substrates wurde nicht explizit vermessen. Dennoch finden sich zwei
auf ihn zurückzuführende typische Charakteristika, die auch bei den Messungen an den SiGe Inseln
auftraten. Zum einen führt der Abbrucheffekt an der Oberfläche zu einem Truncation Rod (CTR)