Streuung von Röntgenstrahlen an selbstorganisierten Halbleiter ...

26 2 Epitaktisches Wachstum
[110]
T
D
Z
5 µm
A B
C
Abb. 2-12: Probe 97/1072 mit nominellem Ge-Gehalt von 30%. Die Inseln weisen
eine mittlere Basislänge von 130 nm auf. Im Anschluß an den Wachstumsprozeß
kam es zu einer Verunreinigung mit Fe-Silizid-Partikeln (Z), die sich im Vergleich
zu den Inseln als große Gebilde abheben. Aufgrund unterschiedlicher Wachstumszeiten
variiert die Inseldichte in den verschiedenen Teilbildern von (A) 2.6, (B) 4.3,
(C) 6.3 bis zu (D) 10.8 Inseln/µm 2 . Jenseits einer statistischen Verteilung ordnen
sich Inseln bereits bei sehr geringem Bedeckungsgrad in Dimeren (D) und Trimeren
(T) entlang der 〈100〉 Richtungen an.
Mit zunehmender Bedeckung entstehen aus Dimeren Trimere und schließlich bilden sich sehr
lange Ketten mit bis zu 12 Inseln. Diese Sequenz belegt sehr anschaulich, dass die Inselketten Insel
für Insel nacheinander heranwachsen. Eine Prepositionierung durch ein Ripplemusters konnte bei
Ge-Konzentrationen größer 15% für keine der untersuchten Proben nachgewiesen werden.
Kreuzungspunkte von Ketten fehlen bei dieser Probe fast völlig, so dass jede Insel genau einer
Kette zugeordnet werden kann. Darüber hinaus ist der Abstand der Inseln untereinander in einer
Kette nahezu konstant.
D