Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

Capítulo 5: Estudio de Parámetros Atómicos en Elementos Puros _____________________________________
probabilidades “shake”, podemos concluir que, aunque estos procesos son los mecanismos más
importantes en la creación de vacancias múltiples, los procesos TS1 también contribuyen a la emisión
Kα 3,4 , mientras que los mecanismos TS2 son de menor importancia en el caso de incidencia de
electrones. A partir de la comparación con los resultados obtenidos mediante impacto de protones,
podemos concluir además que el cociente entre probabilidades de generación de doble vacancia por
protones y electrones es el mismo (aproximadamente 1,5) para elementos con 12 ≤ Z ≤ 30. Por otro
lado, el comportamiento de los datos obtenidos por otros autores con incidencia de iones pesados
sugiere que hay otros procesos involucrados en la creación de agujeros espectadores para este tipo de
excitación.
El estudio relacionado con la emisión de líneas satélites en Si inducida por electrones a diferentes
energías de incidencia llevado a cabo en este trabajo, es el primero reportado en la literatura. Los
resultados obtenidos presentan un buen acuerdo con el comportamiento observado por otros autores
para otros elementos. Finalmente, podemos decir que las intensidades del grupo KαL 2 se comportan de
manera similar al grupo KαL 1 , aunque son un orden de magnitud menor, debido a la menor
probabilidad de ionización triple.
5.1.3 Líneas satélites en la región Kβ
La región Kβ del espectro de emisión de rayos x en elementos puros involucra la línea más
intensa, correspondiente a la línea de diagrama Kβ 1,3 , estructuras debidas a transiciones Auger
radiativas, la transición cuadrupolar K→M 1 , las líneas Kβ III y Kβ IV asociadas a procesos de doble
ionización, las estructuras Kβ´ y Kβ´´ y las transiciones de diagrama Kβ 2 y Kβ 5 . Al igual que en la
sección 5.1.2, se dará un resumen en los párrafos siguientes sobre el origen de estas líneas. Un
tratamiento más extenso puede encontrarse en el capítulo 2 y referencias incluidas en él.
El efecto Auger radiativo (RAE) es un proceso competitivo con la emisión de líneas de diagrama,
en el cual una vacancia en una capa atómica interna es llenada por un electrón de una capa más
externa, con la emisión conjunta de un fotón y de otro electrón de una capa externa. El fotón emitido
comparte su energía con el electrón y entonces posee una energía menor que la línea de diagrama
correspondiente. Las emisiones RAE forman una estructura ancha y se presentan hacia el lado de bajas
energías del pico principal.
Los elementos de menor número atómico (Z