Estudio de parÃ¡metros atÃ³micos y moleculares en ... - FaMAF

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Capítulo 2: Consideraciones Generales _________________________________________________________ tiempo de resolución de pulsos y r s es la tasa de arribo de pulsos (cuya llegada se considera aleatoria), la tasa r sum para la cual dos pulsos arriban al detector separados un intervalo de tiempo menor que t r (causando un pico suma), será igual al número de pulsos que puede arribar durante el tiempo t r (dado por r s t r ), multiplicado por la tasa de arribo de pulsos r s (76): r sum 2 s tr = r (2.18) La expresión anterior es válida bajo la suposición de que r s t r
_________________________________________________________ Capítulo 2: Consideraciones Generales I 0. 0202 e = m 0, 01517 cos( ) 0, 000803 b 0, 0455cos( ) + 0, 01238 2 = θ − = θ (2.21) I [ 1+ ( mE + b) E ] donde I e es la intensidad del pico de escape, I la intensidad total de la línea y θ el ángulo entre la normal a la superficie del detector y el haz de rayos x incidente. En el caso de espectrómetros WDS, los picos de escape se producen cuando un fotón de Ar-Kα se escapa del contador. El pico de escape producido en el contador de Xe es despreciable por dos motivos: primero, porque el borde de absorción K del Xe tiene una energía mayor que las utilizadas generalmente en microanálisis y segundo, porque los fotones L del Xe son fuertemente absorbidos en el mismo Xe. De todas maneras, el contador proporcional no se usa para determinar la energía de los picos (ya que eso lo hace el cristal analizador), sino que su función principal es contar el número de fotones emitidos independientemente de su energía; luego el efecto del pico de escape tiene pocas consecuencias en este caso. Pico de fluorescencia interna En espectrómetros EDS, cuando un fotón característico es absorbido en la capa muerta y se produce un fotón Si-K, éste puede ingresar en la zona activa y ser detectado como un fotón proveniente de la muestra. Si además los electrones generados en la capa muerta por el fotón incidente no ingresan en la zona activa, existe cierta probabilidad de que exista un pico K de silicio en el espectro (o del material del cristal semiconductor), aunque la muestra no posea este elemento. La capa muerta juega un papel importante en la producción de este pico de fluorescencia interna. La intensidad del pico depende, además de las características del detector, de los elementos de la muestra ya que es proporcional al número de fotones que se absorben en la capa muerta, el cual es mayor cuando los fotones característicos tienen energías justo por encima del borde K del Si. 33
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