29.09.2015 Views

Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

________________________________________________ Capítulo 4: <strong>Estudio</strong> <strong>de</strong> Parámetros Experim<strong>en</strong>tales<br />

10 4<br />

Ca Kα<br />

espectro experim<strong>en</strong>tal<br />

ajuste con gaussianas: χ 2 = 13<br />

ajuste con asimetría: χ 2 = 1.5<br />

Int<strong>en</strong>sidad [n° <strong>de</strong> cu<strong>en</strong>tas]<br />

10 3<br />

Ca Kβ<br />

3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br />

Energía [keV]<br />

Figura 4.7: Líneas Ca-K correspondi<strong>en</strong>tes al espectro <strong>de</strong> dolomita medido con el sistema 3. El pico Ca-Kα<br />

pres<strong>en</strong>ta una gran asimetría.<br />

asimetría.<br />

: datos experim<strong>en</strong>tales; : ajuste sin asimetría : ajuste consi<strong>de</strong>rando la<br />

4.1.2-3 Conclusiones<br />

Se implem<strong>en</strong>tó un método para corregir el área <strong>de</strong> los picos característicos <strong>en</strong>tre 0,39 y 2,3 keV<br />

consi<strong>de</strong>rando la asimetría hacia el lado <strong>de</strong> bajas <strong>en</strong>ergías, para un <strong>de</strong>tector <strong>de</strong> Si(Li) con v<strong>en</strong>tana<br />

ultra<strong>de</strong>lgada <strong>de</strong> polímero. El comportami<strong>en</strong>to <strong>de</strong>l área asimétrica <strong>de</strong>p<strong>en</strong><strong>de</strong> fuertem<strong>en</strong>te <strong>de</strong> la zona<br />

parcialm<strong>en</strong>te activa <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector. Para el <strong>de</strong>tector <strong>de</strong>l sistema 1, los picos se vuelv<strong>en</strong> completam<strong>en</strong>te<br />

simétricos para <strong>en</strong>ergías mayores que 2,3 keV.<br />

Por otro lado, <strong>en</strong>contramos una <strong>de</strong>p<strong>en</strong><strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la asimetría con los parámetros <strong>de</strong>l procesador <strong>de</strong><br />

pulsos. Cuando se compararon dos procesadores <strong>de</strong> pulsos difer<strong>en</strong>tes asociados a <strong>de</strong>tectores <strong>de</strong><br />

similares características, los picos resultaron más asimétricos para m<strong>en</strong>ores valores <strong>de</strong> “peaking time”.<br />

Este hecho pue<strong>de</strong> explicarse t<strong>en</strong>i<strong>en</strong>do <strong>en</strong> cu<strong>en</strong>ta que, <strong>en</strong> esa situación, los portadores <strong>de</strong> carga<br />

atrapados, aunque sean liberados, no pue<strong>de</strong>n llegar a ser efectivam<strong>en</strong>te contados.<br />

Cuando se utiliza un <strong>de</strong>tector distinto las difer<strong>en</strong>cias son más importantes. El <strong>de</strong>tector con capa<br />

muerta más gruesa, probablem<strong>en</strong>te acompañado <strong>de</strong> una zona parcialm<strong>en</strong>te activa mayor, produce picos<br />

más asimétricos. La influ<strong>en</strong>cia <strong>de</strong>l material <strong>de</strong>l contacto óhmico <strong>en</strong> los parámetros <strong>de</strong> la asimetría es<br />

un tema que <strong>de</strong>be ser investigado con más <strong>de</strong>talle.<br />

Observamos que el área correspondi<strong>en</strong>te a la corrección asimétrica se comporta <strong>de</strong> manera similar<br />

al coefici<strong>en</strong>te <strong>de</strong> absorción <strong>de</strong>l cristal <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector (silicio <strong>en</strong> nuestro caso). Este hecho es esperable ya<br />

que para mayores valores <strong>de</strong>l coefici<strong>en</strong>te <strong>de</strong> absorción, los fotones ti<strong>en</strong><strong>en</strong> más probabilidad <strong>de</strong> ser<br />

absorbidos <strong>en</strong> la zona parcialm<strong>en</strong>te activa, y por lo tanto los portadores <strong>de</strong> carga allí g<strong>en</strong>erados t<strong>en</strong>drán<br />

más probabilidad <strong>de</strong> quedar <strong>en</strong>trampados, dando lugar a un mayor efecto <strong>de</strong> colección incompleta <strong>de</strong><br />

carga.<br />

La función propuesta <strong>en</strong> la ecuación (4.1) <strong>de</strong>scribe a<strong>de</strong>cuadam<strong>en</strong>te la forma <strong>de</strong> los picos<br />

característicos <strong>en</strong> un <strong>de</strong>tector EDS, t<strong>en</strong>i<strong>en</strong>do <strong>en</strong> cu<strong>en</strong>ta la colección incompleta <strong>de</strong> carga. Aun cuando<br />

el área asimétrica mostrada es específica <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector particular estudiado, la metodología es ext<strong>en</strong>sible<br />

57

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!