Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF
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________________________________________________ Capítulo 4: <strong>Estudio</strong> <strong>de</strong> Parámetros Experim<strong>en</strong>tales<br />
10 4<br />
Ca Kα<br />
espectro experim<strong>en</strong>tal<br />
ajuste con gaussianas: χ 2 = 13<br />
ajuste con asimetría: χ 2 = 1.5<br />
Int<strong>en</strong>sidad [n° <strong>de</strong> cu<strong>en</strong>tas]<br />
10 3<br />
Ca Kβ<br />
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br />
Energía [keV]<br />
Figura 4.7: Líneas Ca-K correspondi<strong>en</strong>tes al espectro <strong>de</strong> dolomita medido con el sistema 3. El pico Ca-Kα<br />
pres<strong>en</strong>ta una gran asimetría.<br />
asimetría.<br />
: datos experim<strong>en</strong>tales; : ajuste sin asimetría : ajuste consi<strong>de</strong>rando la<br />
4.1.2-3 Conclusiones<br />
Se implem<strong>en</strong>tó un método para corregir el área <strong>de</strong> los picos característicos <strong>en</strong>tre 0,39 y 2,3 keV<br />
consi<strong>de</strong>rando la asimetría hacia el lado <strong>de</strong> bajas <strong>en</strong>ergías, para un <strong>de</strong>tector <strong>de</strong> Si(Li) con v<strong>en</strong>tana<br />
ultra<strong>de</strong>lgada <strong>de</strong> polímero. El comportami<strong>en</strong>to <strong>de</strong>l área asimétrica <strong>de</strong>p<strong>en</strong><strong>de</strong> fuertem<strong>en</strong>te <strong>de</strong> la zona<br />
parcialm<strong>en</strong>te activa <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector. Para el <strong>de</strong>tector <strong>de</strong>l sistema 1, los picos se vuelv<strong>en</strong> completam<strong>en</strong>te<br />
simétricos para <strong>en</strong>ergías mayores que 2,3 keV.<br />
Por otro lado, <strong>en</strong>contramos una <strong>de</strong>p<strong>en</strong><strong>de</strong>ncia <strong>de</strong> la asimetría con los parámetros <strong>de</strong>l procesador <strong>de</strong><br />
pulsos. Cuando se compararon dos procesadores <strong>de</strong> pulsos difer<strong>en</strong>tes asociados a <strong>de</strong>tectores <strong>de</strong><br />
similares características, los picos resultaron más asimétricos para m<strong>en</strong>ores valores <strong>de</strong> “peaking time”.<br />
Este hecho pue<strong>de</strong> explicarse t<strong>en</strong>i<strong>en</strong>do <strong>en</strong> cu<strong>en</strong>ta que, <strong>en</strong> esa situación, los portadores <strong>de</strong> carga<br />
atrapados, aunque sean liberados, no pue<strong>de</strong>n llegar a ser efectivam<strong>en</strong>te contados.<br />
Cuando se utiliza un <strong>de</strong>tector distinto las difer<strong>en</strong>cias son más importantes. El <strong>de</strong>tector con capa<br />
muerta más gruesa, probablem<strong>en</strong>te acompañado <strong>de</strong> una zona parcialm<strong>en</strong>te activa mayor, produce picos<br />
más asimétricos. La influ<strong>en</strong>cia <strong>de</strong>l material <strong>de</strong>l contacto óhmico <strong>en</strong> los parámetros <strong>de</strong> la asimetría es<br />
un tema que <strong>de</strong>be ser investigado con más <strong>de</strong>talle.<br />
Observamos que el área correspondi<strong>en</strong>te a la corrección asimétrica se comporta <strong>de</strong> manera similar<br />
al coefici<strong>en</strong>te <strong>de</strong> absorción <strong>de</strong>l cristal <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector (silicio <strong>en</strong> nuestro caso). Este hecho es esperable ya<br />
que para mayores valores <strong>de</strong>l coefici<strong>en</strong>te <strong>de</strong> absorción, los fotones ti<strong>en</strong><strong>en</strong> más probabilidad <strong>de</strong> ser<br />
absorbidos <strong>en</strong> la zona parcialm<strong>en</strong>te activa, y por lo tanto los portadores <strong>de</strong> carga allí g<strong>en</strong>erados t<strong>en</strong>drán<br />
más probabilidad <strong>de</strong> quedar <strong>en</strong>trampados, dando lugar a un mayor efecto <strong>de</strong> colección incompleta <strong>de</strong><br />
carga.<br />
La función propuesta <strong>en</strong> la ecuación (4.1) <strong>de</strong>scribe a<strong>de</strong>cuadam<strong>en</strong>te la forma <strong>de</strong> los picos<br />
característicos <strong>en</strong> un <strong>de</strong>tector EDS, t<strong>en</strong>i<strong>en</strong>do <strong>en</strong> cu<strong>en</strong>ta la colección incompleta <strong>de</strong> carga. Aun cuando<br />
el área asimétrica mostrada es específica <strong>de</strong>l <strong>de</strong>tector particular estudiado, la metodología es ext<strong>en</strong>sible<br />
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