Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

Capítulo 9: Conclusiones Finales _______________________________________________________________
TS1 y TS2 son dependientes del tipo de proyectil con el que se está bombardeando, y particularmente,
el proceso TS2 no es posible para incidencia de fotones. Para todas las transiciones relacionadas a la
presencia de agujeros espectadores (o sea, a la producción de vacancias múltiples) se observó
claramente que la energía relativa al pico principal correspondiente crece con el número atómico del
átomo emisor, mientras que su intensidad disminuye. Esto quiere decir que la presencia de un hueco
espectador en cierta capa atómica distorsiona más el resto de los niveles atómicos cuando el átomo
tiene un número atómico mayor, lo cual se debe a que el hueco espectador se encuentra en este caso en
una capa que puede considerarse más interna, por lo cual su influencia es más grande. Por otro lado, el
decrecimiento de la intensidad se debe a una disminución de las probabilidades de generación de
vacancias mútliples. Es decir, existe una relación inversa entre la energía de ligadura de la capa donde
se encuentra el agujero espectador y la probabilidad de que se genere dicho agujero. Eso es razonable
si consideramos que en los procesos de tipo shake up y shake off el agujero espectador se crea por la
emisión de un electrón debido al cambio repentino del potencial del átomo al sufrir una ionización
primaria, por lo que los electrones más afectados por procesos tipo shake son los más externos. Para
una dada capa donde se encuentre el agujero espectador, los electrones pertenecientes a dicha capa
serán más externos mientras menor sea el número atómico del átomo. Por otro lado, en los procesos de
tipo TS1 y TS2 la vacancia espectadora es creada, respectivamente, por una ionización generada por
un electrón primario arrancado o por el proyectil incidente. Esta ionización (que podemos llamar
“secundaria”) también es más probable para los electrones más externos, o sea para menores números
atómicos cuando se considera una capa particular donde estará la vacancia espectadora.
A partir de la similitud de los datos obtenidos por nosotros con incidencia de electrones y por
otros autores con incidencia de fotones para las intensidades del grupo Kα 3,4 pudimos concluir que los
procesos TS2 no son los mecanismos dominantes en la creación de vacancias múltiples, al menos para
los sobrevoltajes utilizados en este trabajo. Además, comparando con cálculos teóricos de
probabilidades shake arribamos a la conclusión que, aun cuando los procesos shake son los principales
contribuyentes a la creación de vacancias espectadoras, no puede despreciarse el mecanismo TS1.
Por otro lado, para las transiciones asociadas a efectos de tipo Auger radiativo (RAE), que afectan
el lado de bajas energías de los picos principales, las energías e intensidades relativas presentan un
comportamiento con el número atómico similar al descrito para las líneas de ionización múltiple. A
medida que aumenta el número atómico, las estructuras RAE se alejan más del pico principal y su
intensidad disminuye. Para cada una de las probabilidades RAE, ocurre algo similar a lo descrito
anteriormente: es más fácil que el electrón Auger sea eyectado cuando la capa a la cual pertenece
corresponde a una capa externa. La asignación de los picos RAE a cada transición particular no es una
tarea sencilla. Para asignar de manera correcta los picos RAE es necesario, primero, deconvolucionar
adecuadamente las estructuras y segundo, realizar una comparación del máximo de la banda RAE con
las energías de los niveles donde se encontrarían los electrones eyectados como consecuencia del
proceso. A veces la asignación está sujeta a incertezas considerables, sobre todo cuando los niveles
posibles tienen energías de ligadura similares.
Un resultado interesante se observó para la intensidad de la transición Kβ 5 . Esta línea es una línea
de diagrama, que corresponde a una transición electrónica desde el nivel M 4,5 hacia la capa K prohibida
en la aproximación dipolar, por lo que su intensidad es muy baja. Observamos que la intensidad de
esta línea crece con el número atómico hasta Z=24 y a partir de allí comienza a decrecer. Este máximo
fue asociado a una competencia entre dos fenómenos que aportan a la intensidad de manera opuesta en
el rango de número atómico (Z) estudiado en este trabajo. Por un lado, a partir del Ca, al aumentar Z,
la capa M 4,5 empieza a poblarse, completándose para Z=30; este fenómeno aporta un crecimiento en la
probabilidad de decaimiento desde esa capa por el simple hecho de que aumenta el número de
176