Estudio de parámetros atómicos y moleculares en ... - FaMAF

Capítulo 4: Estudio de Parámetros Experimentales _________________________________________________
(110; 111). Esta diferencia proviene de los distintos valores de peaking time usados en cada
procesador de pulsos. Para el sistema 1, el peaking time del amplificador fue ajustado en 70 µs,
mientras que para el procesador digital del sistema 2, este valor fue establecido en 51,2 µs. El tiempo
total de procesamiento de pulso es en el primer caso, 2x70 µs+~40 µs = 180 µs. En el segundo caso, el
tiempo total de procesamiento de pulso es de 2×51,2 µs +~10 µs =112,4 µs. El área de la cola
asimétrica obtenida para el Ca fue nula en el sistema 1; 0,06± 0,02 para el sistema 2 y 0,132 ± 0,008
para el sistema 3 (ver figura 4.7).
La asimetría en el sistema 2 puede ser explicada teniendo en cuenta que, para menores peaking
times, los portadores de carga atrapados no pueden ser contados, aun cuando un evento de liberación
ocurre, ya que son liberados después de que el pulso es procesado.
Ca Kα
espectro experimental
ajuste con gaussianas: χ 2 = 2
ajuste con asimetría: χ 2 = 1.4
Intensidad [n° de cuentas]
10 3
10 2
Ca Kβ
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
Energía [keV]
Figura 4.6: Líneas Ca-K correspondientes entes al espectro de diopsida medido con el sistema 2. Puede observarse
una pequeña asimetría.
: datos experimentales; : ajuste sin asimetría : ajuste considerando la
asimetría.
En el caso del sistema 3, donde el detector es totalmente diferente a los anteriores (tanto el tipo de
ventana como el contacto óhmico, como el espesor de la capa muerta), se observan diferencias más
importantes aún (ver figura 4.7). Teniendo en cuenta que la capa muerta del detector en el sistema 3 es
mucho mayor que la del sistema 1, es razonable pensar que la zona parcialmente activa del detector es
también más gruesa en el sistema 3. Otra causa posible de la diferencia de asimetrías podría provenir
de los diferentes materiales de los contactos óhmicos: oro para el sistema 3 y aluminio para el sistema
1. En el primer caso, es posible que los átomos de oro migren hacia el interior del cristal, debido
particularmente al campo aplicado durante la polarización del detector. Se sabe que las impurezas de
oro ocupan sitios sustitucionales en el Si, introduciendo niveles de energía entre la banda de valencia y
la de conducción del silicio, las cuales pueden actuar como trampas para los portadores de carga (76).
Por otro lado, en el caso del sistema 1, el aluminio tiene tres electrones de valencia, constituyéndose
en lo que se conoce como una impureza aceptora, similar al boro. Este último tipo de impurezas son
compensadas por la difusión de litio, por lo que su presencia contribuye poco a la asimetría.
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