Elektronik FAQ V7.1 - HOME

Elektronik – FAQ
Eine Gemeinschaftsproduktion der Gruppe ELEKTRONIK im MausNet
6. B i C M O S (Bipolar-CMOS)
Diese Logikfamilie vereint die Vorzüge der bipolaren und CMOS-Schaltkreise
in einem System. Der CMOS-Schaltkreis glänzt mit niedriger Leistungsaufnahme,
hohem Eingangswiderstand und hoher Packungsdichte.
Der bipolare Schaltkreis glänzt mit hoher Geschwindigkeit, hoher Treiberfähigkeit
und besserer ESD-Unempfindlichkeit. Die Kombination besteht
darin, die Eingangsstufen in CMOS und die Ausgangsstufen in bipolarer
Technik auszuführen.
Bei gleichem Chipflächenbedarf hat der BiCMOS-Baustein die 20 mal bessere
Treiberfähigkeit als sein schwächlicher HCMOS-Konkurrent.
Beim Low-Pegel am Ausgang haben die BiMOS und die bipolare Schaltung
die gleiche Leistungsaufnahme. Bei Highpegel am Ausgang ist die
Stromaufnahme der BiCMOS-Schaltung praktisch Null, jedoch die der
bipolaren ebenfalls sehr gering.
6.1 Nur Leistung, wenn etwas geleistet wird
Die Eingangsstufe jedes BiCMOS-Bausteines enthält eine Hysterese von
etwa 130mV. Dazu kommt aber noch folgender Trick bei den Eingangsstufen:
Bustreiberschaltungen haben einen Eingang um die Ausgänge in den Tristatezustand
zu steuern. In diesem Zustand wird der Baustein gar nicht
benötigt. Somit gibt es keinen Sinn, wenn er im Schlafmodus auch noch
Leistung verbraucht. Dies wird dadurch vermieden, dass den Drain- und
Kollektorwiderständen MOS-Transistoren in Serie geschaltet sind, deren
Gates mit dem G-Steuereingang für den Tristate verbunden sind.
Im Tristatezustand sind diese MOS-Transistoren offen. Dadurch können
durch die erwähnten Widerstände keine Ströme fliessen.
Kapitel Zukunft und Design moderner digitaler Schaltkreise, Seite 17
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