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Elektronik FAQ V7.1 - HOME

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<strong>Elektronik</strong> – <strong>FAQ</strong><br />

Eine Gemeinschaftsproduktion der Gruppe ELEKTRONIK im MausNet<br />

7. S c h u t z s c h a l t u n g e n<br />

7.1 Moderner ESD-Schutz (ESD = Electrostatic Discharge)<br />

In den Anfängen der MOS-Transistoren und später bei den ersten integrierten<br />

Bausteinen in CMOS-Technologien, war es beim Hantieren mit<br />

diesen Bauteilen oberstes Gebot sich zu erden und den Arbeitsplatz antistatisch<br />

zu sichern. Auch wenn heute noch Vorsicht geboten ist, ganz so<br />

schlimm ist es nicht mehr, weil die Eingänge mit hochwirksamen ESD-<br />

Schutzschaltungen geschützt sind.<br />

Es gibt zwei Arten von ESD-Zerstörung. Die nieder- und die hochenergetische,<br />

mit etwa 200nWs, bzw 0.025mWs. Der erste Fall entspricht zum<br />

Beispiel einem Menschen der sich durch Reibung von hochisolierenden<br />

Kleidungsstücken auf 2000 Volt auflädt und sich anschliessend über einen<br />

CMOS-Eingang entlädt. Dadurch erfolgt eine Zerstörung durch Gate-<br />

Durchbruch. Dies entspricht etwa einem Kondensator mit 100 pF und<br />

einem Serienwiderstand von 1500 Ohm. Man nennt dies auch das "Human<br />

Body Modell". Die zweite Art ist das sogenannte "Machine Model". Ein<br />

Kondensator von 200 pF wird auf 500 Volt geladen. Die Entladung über<br />

den Gate-Eingang erfolgt ohne Vorwiderstand. Ist nun ein Gate-Eingang<br />

gegen ESD geschützt besteht bei höheren Energien wie in diesem Fall die<br />

Gefahr einer partiellen Überhitzung und eines Schmelzen des Siliziums.<br />

Diese Gefahr ist besonders gross, wenn als ESD-Schutz einfach eine<br />

Schottky-Klammerdiode eingesetzt ist. Dies ist eine Art schnelle Zenerdiode<br />

und stabilisiert die ESD-Spannung auf einen unschädlichen Wert.<br />

Im Falle einer hochenergetischen Entladung besteht jedoch die Gefahr,<br />

dass wegen der kurzzeitig hohen Verlustleistung über der Klammerdiode,<br />

diese zerstört wird. Moderne CMOS-Schaltungen benutzen vor den Eingängen<br />

der Gates jedoch schnelle Thyristoren mit definierten Zündspannungen.<br />

Nach dem ESD-Ereignis entfällt der Haltestrom, der Thyristor öffnet<br />

und das Gate arbeitet wieder normal.<br />

7.2 Latch-Up bei CMOS-Schaltungen<br />

Jede CMOS-Struktur besitzt einen parasitären Thyristor. Von dem merkt<br />

die Schaltung gewöhnlich nichts, jedenfalls solange die Eingangsspannungen<br />

den Wert der Betriebsspannung nicht über- und den Groundpegel<br />

nicht unterschreitet. In diesen beiden Fällen kann jedoch dieser Parasit<br />

zünden und tut als Thyristor eben seine Pflicht.<br />

Kapitel Zukunft und Design moderner digitaler Schaltkreise, Seite 20<br />

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