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ASAXS - Helmholtz-Zentrum Berlin

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3.1.3 Kristallisation in Gläsern/Glaskeramiken<br />

3.1 Glas/Glaskeramik<br />

Die Herstellung eines Glases bewegt sich zwischen zwei Grenzfällen. Einerseits dem fehlerfreien<br />

amorphen Glas und andererseits dem fehlerhaften Glas. Eine der wichtigsten Störerscheinungen,<br />

im Fall des fehlerhaften Glases, stellt die Kristallisation dar, welche in der Vergangenheit<br />

unerwünscht war. Abbildung 3.2 illustriert den Übergang einer Schmelze in den kristallinen<br />

Zustand. Der Abkühlprozess einer Schmelze durchläuft einen Temperaturbereich, in dem ein<br />

eingebrachter Kristall weiter wachsen kann, jedoch die Keimbildung stark unterdrückt ist.<br />

Dieser Bereich wird als Ostwald-Miers-Bereich bezeichnet [71]. Die obere Temperaturgrenze<br />

wird durch die Sättigungskurve definiert. Die untere Temperaturgrenze dieses Bereiches wird<br />

durch die Übersättigungskurve definiert, welche nicht exakt festgelegt werden kann. Bei Temperaturen<br />

unterhalb der Übersättingskurve setzt die Keimbildung ein und Kristalle entstehen.<br />

In jüngster Vergangenheit hat man gelernt, die Kristallisation gezielt zu steuern und technisch<br />

zu nutzen. Die dabei entstehenden Werkstoffe werden als Glaskeramik bzw. Vitrokeramik bezeichnet.<br />

Eine weitverbreitete Glaskeramik stellt die von der Firma Schott AG in Mainz um<br />

1971 entwickelte Glaskeramik für Kochfelder dar (CERAN).<br />

V<br />

flüssig<br />

Ostwald-Miers<br />

Bereich<br />

Unterkühlungsbereich<br />

TG<br />

Sättigungskurve<br />

Übersättigungskurve<br />

kristallin<br />

Abbildung 3.2: Schematische Darstellung des Übergangs einer Schmelze in den kristallinen<br />

Zustand.<br />

Die homogene Nukleation (Keimbildung) kann durch die klassische Nukleationstheorie von<br />

Gibbs beschrieben werden [45]. Der Keimbildungsprozess wird ablaufen, wenn dadurch die<br />

freie Enthalpie des Systems verringert wird. Die freie Enthalpie ∆G eines Systems setzt sich<br />

aus zwei Anteilen zusammen, dem Volumenanteil ∆GV und dem Oberflächenanteil ∆GO<br />

∆G = −∆GV + ∆GO. (3.5)<br />

Der Volumenanteil beschreibt die Energie, die durch die Keimbildung frei wird. Bei Annahme<br />

T<br />

19

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