ASAXS - Helmholtz-Zentrum Berlin
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3.1.3 Kristallisation in Gläsern/Glaskeramiken<br />
3.1 Glas/Glaskeramik<br />
Die Herstellung eines Glases bewegt sich zwischen zwei Grenzfällen. Einerseits dem fehlerfreien<br />
amorphen Glas und andererseits dem fehlerhaften Glas. Eine der wichtigsten Störerscheinungen,<br />
im Fall des fehlerhaften Glases, stellt die Kristallisation dar, welche in der Vergangenheit<br />
unerwünscht war. Abbildung 3.2 illustriert den Übergang einer Schmelze in den kristallinen<br />
Zustand. Der Abkühlprozess einer Schmelze durchläuft einen Temperaturbereich, in dem ein<br />
eingebrachter Kristall weiter wachsen kann, jedoch die Keimbildung stark unterdrückt ist.<br />
Dieser Bereich wird als Ostwald-Miers-Bereich bezeichnet [71]. Die obere Temperaturgrenze<br />
wird durch die Sättigungskurve definiert. Die untere Temperaturgrenze dieses Bereiches wird<br />
durch die Übersättigungskurve definiert, welche nicht exakt festgelegt werden kann. Bei Temperaturen<br />
unterhalb der Übersättingskurve setzt die Keimbildung ein und Kristalle entstehen.<br />
In jüngster Vergangenheit hat man gelernt, die Kristallisation gezielt zu steuern und technisch<br />
zu nutzen. Die dabei entstehenden Werkstoffe werden als Glaskeramik bzw. Vitrokeramik bezeichnet.<br />
Eine weitverbreitete Glaskeramik stellt die von der Firma Schott AG in Mainz um<br />
1971 entwickelte Glaskeramik für Kochfelder dar (CERAN).<br />
V<br />
flüssig<br />
Ostwald-Miers<br />
Bereich<br />
Unterkühlungsbereich<br />
TG<br />
Sättigungskurve<br />
Übersättigungskurve<br />
kristallin<br />
Abbildung 3.2: Schematische Darstellung des Übergangs einer Schmelze in den kristallinen<br />
Zustand.<br />
Die homogene Nukleation (Keimbildung) kann durch die klassische Nukleationstheorie von<br />
Gibbs beschrieben werden [45]. Der Keimbildungsprozess wird ablaufen, wenn dadurch die<br />
freie Enthalpie des Systems verringert wird. Die freie Enthalpie ∆G eines Systems setzt sich<br />
aus zwei Anteilen zusammen, dem Volumenanteil ∆GV und dem Oberflächenanteil ∆GO<br />
∆G = −∆GV + ∆GO. (3.5)<br />
Der Volumenanteil beschreibt die Energie, die durch die Keimbildung frei wird. Bei Annahme<br />
T<br />
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