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ASAXS - Helmholtz-Zentrum Berlin

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3.2 Eigenschaften von Lanthanoid dotierten Glaskeramiken<br />

elektronischen Zwischenzustands. Die Lebensdauer τa ist gegeben durch folgende Beziehung<br />

1<br />

τa<br />

= �<br />

(Aab + Wab). (3.12)<br />

b<br />

Wobei Aab und Wab die Wahrscheinlichkeiten angeben, für einen Strahlungsübergang bzw.<br />

Strahlungsfreienübergang vom Energieniveau a zum Energieniveau b. Die Summation in Gleichung<br />

(3.12) erfolgt über alle möglichen niederen Energieniveaus, die besetzt werden können.<br />

Mit Gleichung (3.12) lässt sich die Quanteneffizienz für einen Strahlungsübergang vom Energieniveau<br />

a zum Energieniveau b definieren<br />

Aab<br />

ηab = �<br />

b (Aab + Wab) = τabAab. (3.13)<br />

Die Quanteneffizienz ηab für die Lumineszenz vom Energieniveau a nach b ist hoch, wenn die<br />

Wahrscheinlichkeiten für die strahlungsfreien Übergänge Wab gering sind. Die Wahrscheinlichkeiten<br />

lassen sich mit der Quantenthermodynamik berechnen [82]. Nach der Miyakawa-<br />

Dexter-Theorie (Mehrfachphononenrelaxation) sowie der Bose-Einstein-Theorie (Besetzungswahrscheinlichkeit<br />

der Phonon-Moden) lassen sich die Wahrscheinlichkeiten Wab für ein p-<br />

Phonon Zerfall berechnen [7, 82]<br />

�<br />

Wp(T ) = W0 · (exp(�ω/kBT ) − 1) −1� �<br />

p<br />

exp<br />

−α ∆Eab<br />

�ω<br />

�<br />

. (3.14)<br />

Hierbei sind ∆Eab das Energiegap vom Energieniveau a zum Energieniveau b, �ω ist die<br />

Phononenenergie, kB die Boltzmannkonstante und p die Anzahl der benötigten Phononen.<br />

Layne et al. sowie Tanabe et al. konnten zeigen, dass die Wahrscheinlichkeit Wp mit der<br />

Elektron-Phonon-Kopplungsstärke α verknüpft sind [81, 82]. Je größer die Elektron-Phonon-<br />

Kopplung α zwischen den optisch aktiven Ionen und dem umgebenden Netzwerk ist, desto<br />

größer sind die Wahrscheinlichkeiten Wab. Demzufolge hängt die Quanteneffizienz für die<br />

Frequenzerhöhung stark von der chemischen Umgebung der aktiven Ionen ab. Der Term in<br />

der geschweiften Klammer in Gleichung (3.14) beschreibt die Bose-Einstein-Besetzungszahl<br />

der Phonon-Moden [82].<br />

Quimby et al. haben die FUC-Effizienz in Abhängigkeit der chemischen Umgebung untersucht<br />

[78]. In Tabelle 3.1 sind die Ergebnisse dieser Untersuchungen dargestellt. Die Effizienz<br />

für die Frequenzerhöhung vom infraroten zu sichtbaren Licht ist für eine Fluorid-Glaskeramik<br />

vergleichbar mit der eines Kristalls. Silicat-Glaskeramiken bzw. Phosphat-Glaskeramiken hingegen<br />

weisen eine um etwa vier Größenordnungen geringere Effizienz für die FUC auf. Der<br />

Grund hierfür ist die stärkere Elektron-Phonon-Kopplung zwischen den Yb 3+ /Er 3+ -Ionen und<br />

dem Glasnetzwerk, im Fall von Silicat- bzw. Phosphat-Glaskeramiken. Ein Vorteil von Oxidgläsern<br />

(SiO2, ...) ist, dass sie im Vergleich zu Fluorid-Gläsern chemisch und mechanisch stabiler<br />

sind, d. h., längere Lebensdauer der Gläser bei Bestrahlung mit intensiver Laserstrahlung.<br />

Ein weiterer Vorteil ist, dass sich Oxidgläser „leichter“ herstellen und in verschiedene Formen<br />

(Fasern, ...) bringen lassen. Nachteil ist die deutlich geringere Effizienz der Frequenzerhöhung.<br />

Wang et al. sowie Tick et al. konnten zeigen, dass es möglich ist, die Vorteile von Fluorid-<br />

Gläsern und Oxid-Gläsern zu vereinen [4, 5]. Sie konnten zeigen, dass Yb 3+ /Er 3+ -Ionen in<br />

einer Oxyfluorid-Glaskeramik in etwa die gleiche Quanteneffizienz wie reine Kristalle aufweisen.<br />

Die Herstellung von Oxyfluorid-Glaskeramiken ist im Vergleich zu Kristallen einfacher,<br />

dadurch werden dotierte Oxyfluorid-Glaskeramiken für potenzielle Anwendungen interessant.<br />

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