ASAXS - Helmholtz-Zentrum Berlin
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3.2 Eigenschaften von Lanthanoid dotierten Glaskeramiken<br />
elektronischen Zwischenzustands. Die Lebensdauer τa ist gegeben durch folgende Beziehung<br />
1<br />
τa<br />
= �<br />
(Aab + Wab). (3.12)<br />
b<br />
Wobei Aab und Wab die Wahrscheinlichkeiten angeben, für einen Strahlungsübergang bzw.<br />
Strahlungsfreienübergang vom Energieniveau a zum Energieniveau b. Die Summation in Gleichung<br />
(3.12) erfolgt über alle möglichen niederen Energieniveaus, die besetzt werden können.<br />
Mit Gleichung (3.12) lässt sich die Quanteneffizienz für einen Strahlungsübergang vom Energieniveau<br />
a zum Energieniveau b definieren<br />
Aab<br />
ηab = �<br />
b (Aab + Wab) = τabAab. (3.13)<br />
Die Quanteneffizienz ηab für die Lumineszenz vom Energieniveau a nach b ist hoch, wenn die<br />
Wahrscheinlichkeiten für die strahlungsfreien Übergänge Wab gering sind. Die Wahrscheinlichkeiten<br />
lassen sich mit der Quantenthermodynamik berechnen [82]. Nach der Miyakawa-<br />
Dexter-Theorie (Mehrfachphononenrelaxation) sowie der Bose-Einstein-Theorie (Besetzungswahrscheinlichkeit<br />
der Phonon-Moden) lassen sich die Wahrscheinlichkeiten Wab für ein p-<br />
Phonon Zerfall berechnen [7, 82]<br />
�<br />
Wp(T ) = W0 · (exp(�ω/kBT ) − 1) −1� �<br />
p<br />
exp<br />
−α ∆Eab<br />
�ω<br />
�<br />
. (3.14)<br />
Hierbei sind ∆Eab das Energiegap vom Energieniveau a zum Energieniveau b, �ω ist die<br />
Phononenenergie, kB die Boltzmannkonstante und p die Anzahl der benötigten Phononen.<br />
Layne et al. sowie Tanabe et al. konnten zeigen, dass die Wahrscheinlichkeit Wp mit der<br />
Elektron-Phonon-Kopplungsstärke α verknüpft sind [81, 82]. Je größer die Elektron-Phonon-<br />
Kopplung α zwischen den optisch aktiven Ionen und dem umgebenden Netzwerk ist, desto<br />
größer sind die Wahrscheinlichkeiten Wab. Demzufolge hängt die Quanteneffizienz für die<br />
Frequenzerhöhung stark von der chemischen Umgebung der aktiven Ionen ab. Der Term in<br />
der geschweiften Klammer in Gleichung (3.14) beschreibt die Bose-Einstein-Besetzungszahl<br />
der Phonon-Moden [82].<br />
Quimby et al. haben die FUC-Effizienz in Abhängigkeit der chemischen Umgebung untersucht<br />
[78]. In Tabelle 3.1 sind die Ergebnisse dieser Untersuchungen dargestellt. Die Effizienz<br />
für die Frequenzerhöhung vom infraroten zu sichtbaren Licht ist für eine Fluorid-Glaskeramik<br />
vergleichbar mit der eines Kristalls. Silicat-Glaskeramiken bzw. Phosphat-Glaskeramiken hingegen<br />
weisen eine um etwa vier Größenordnungen geringere Effizienz für die FUC auf. Der<br />
Grund hierfür ist die stärkere Elektron-Phonon-Kopplung zwischen den Yb 3+ /Er 3+ -Ionen und<br />
dem Glasnetzwerk, im Fall von Silicat- bzw. Phosphat-Glaskeramiken. Ein Vorteil von Oxidgläsern<br />
(SiO2, ...) ist, dass sie im Vergleich zu Fluorid-Gläsern chemisch und mechanisch stabiler<br />
sind, d. h., längere Lebensdauer der Gläser bei Bestrahlung mit intensiver Laserstrahlung.<br />
Ein weiterer Vorteil ist, dass sich Oxidgläser „leichter“ herstellen und in verschiedene Formen<br />
(Fasern, ...) bringen lassen. Nachteil ist die deutlich geringere Effizienz der Frequenzerhöhung.<br />
Wang et al. sowie Tick et al. konnten zeigen, dass es möglich ist, die Vorteile von Fluorid-<br />
Gläsern und Oxid-Gläsern zu vereinen [4, 5]. Sie konnten zeigen, dass Yb 3+ /Er 3+ -Ionen in<br />
einer Oxyfluorid-Glaskeramik in etwa die gleiche Quanteneffizienz wie reine Kristalle aufweisen.<br />
Die Herstellung von Oxyfluorid-Glaskeramiken ist im Vergleich zu Kristallen einfacher,<br />
dadurch werden dotierte Oxyfluorid-Glaskeramiken für potenzielle Anwendungen interessant.<br />
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