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Elektrodynamik - Theoretische Physik IV - Ruhr-Universität Bochum

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3.5 Anwendung des Gauß-Gesetzes<br />

φ<br />

3 ρ( r’ )<br />

φ = d r’ r −r’<br />

∆φ = − 4π ρ<br />

ρ<br />

E = 4π ρ E = 0<br />

E = d 3<br />

r’ ρ( r’ )<br />

r −r’<br />

r −r’ 3<br />

φ = − E ds<br />

E = − φ<br />

E<br />

Abbildung 3.3: Die elektrostatischen Feldgleichungen<br />

für alle beliebigen Punkte a und b gilt. Dann folgt<br />

⃗E = − ⃗ ∇Φ ,<br />

im Einklang mit Gleichung (3.13), d.h. die Beziehung (3.24) ist in der Tat die Integralform<br />

von Gleichung (3.13).<br />

3.5 Anwendung des Gauß-Gesetzes<br />

Bei geeigneter Symmetrie ist das integrale Gauß-Gesetz (3.22) die schnellste und leichteste<br />

Methode, um elektrische Feldstärken ⃗ E zu berechnen.<br />

3.5.1 Feld einer homogenen geladenen Kugel<br />

Die Ladungsdichte einer homogenen geladenen Kugel ist<br />

⎧<br />

⎪⎨ ρ 0 für r ≤ a<br />

ρ (⃗r) = ρ(r) =<br />

⎪⎩<br />

0 für r > a<br />

(3.25)<br />

mit ρ 0 = const. Wegen der Symmetrie verwenden wir Kugelkoordinaten r, θ, φ, und das<br />

Potential kann nur vom Abstand r abhängen.<br />

Als 1. Lösungsverfahren verwenden wir das Gauß-Gesetz. Wir werten Gleichung (3.22) aus<br />

für eine Kugeloberfläche F = 4πr 2 mit dem Radius r. Weil dF ⃗ ‖ E ⃗ mit E ⃗ = E(r)⃗e r , gilt<br />

∮ ∫<br />

dF ⃗ · ⃗E<br />

∣ ∣ ∣ ∣ ∫<br />

∣∣<br />

= E ⃗ ∣∣ ∣∣ dF = E ⃗ ∣∣<br />

dF = 4πr 2 E(r) .<br />

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