09.07.2015 Views

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

OP-III-3ACTIVE SITES, INTERMEDIATES, ADSORPTION AND ELEMENTARYTRANSFORMATIONS ON THE SURFACE OF OXIDE CATALYSTS.THEORETICAL INVESTIGATIONVorontsova I.K., Abronin I.A. 1 , Mikheikin I.D. 2L.Ya. Karpov Institute of Physical Chemistry RAS, Moscow, Russia1 Moscow State Technical University, MAMI, Moscow, Russia2 Moscow State University of Engineering Ecology, Moscow, RussiaE-mail: son@cc.nifhi.ac.ruАКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ, ИНТЕРМЕДИАТЫ, АДСОРБЦИЯ И ЭЛЕМЕНТАРНЫЕПРЕВРАЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ОКСИДНЫХ КАТАЛИЗАТОРОВ.ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕВоронцова И.К., Абронин И.А. 1 , Михейкин И.Д. 2НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Москва1 Московский государственный технический университет (МАМИ), Москва2 Московский государственный университет инженерной экологии, МоскваE-mail: son@cc.nifhi.ac.ruПри исследовании строения активных центров катализаторов, в том числеоксидных, различными экспериментальными методами, особенно спектральными,необходимо привлекать теоретические квантово-химические расчетные методы. Этопозволяет, с одной стороны, корректно интерпретировать экспериментальные данные, ас другой стороны, предложить постановку новых экспериментов.В данном сообщении обсуждается роль электрического приповерхностногокристаллического поля оксидов в формировании электронных и химических свойствповерхностных структур, часто фигурирующих в литературе в качестве гипотетическихи реальных активных центров катализаторов. Как показывают расчеты, рольприповерхностного кристаллического поля при рассмотрении энергетики игеометрической конфигурации поверхностных атомно-молекулярных выделенныхфрагментов для изоляторов и полупроводников может оказаться определяющей.Простое (в рамках теории кристаллического поля) рассмотрение поведенияs, p-электронных атомных состояний в существенно неоднородных кристаллическихполях демонстрирует большое многообразие их относительных положений на шкалеэнергии и, следовательно, вариабельность в электронном строении и мультиплетностиповерхностных структур оксидов [1].312

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!