09.07.2015 Views

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

OP-III-38разные стадии, отличающиеся механизмом стабилизации возбужденных химическихсвязей. Установлено, что хемосорбированные атомы и молекулы реагирующих веществслужат активными центрами гетерогенного катализа, обеспечивая отвод энергии пристабилизации молекул продукта реакции, либо частиц, захваченных впредадсорбционное состояние.Методы исследования электронной аккомодации при протекании ГХР наповерхности металлов не развиты. Поэтому нами разработаны методы контроля заэлектронным возбуждением поверхности металлов газами.Обнаружен эффект холодной эмиссии горячих электронов, возбужденных врезультате протекания ГХР Н+Н→Н 2 на поверхности металлов и полупроводников:ток автоэлектронной эмиссии в зазоре между твердым телом и иглой, расположеннойперпендикулярно к его поверхности, резко возрастает при электронном возбужденииповерхности катода атомарным водородом. На основании полученных результатов итеоретических представлений можно допустить, что методы сканирующей туннельнойспектроскопии исканирующей туннельной микроскопии можно использовать вусловиях протекания произвольных ГХР для изучения роли электронной аккомодациив механизмах стабилизации молекул промежуточных веществ и продукта, а также дляопределения природы и структуры центров гетерогенного катализа на поверхноститвердых тел. Согласно оценкам, для достижения пространственного разрешения ~10 -9 мв этих методах давление реагирующих веществ должно составлять величину ~10 4 Па.Обнаружен эффект хемоэмиссии электронов из металла в полупроводник: припротекании гетерогенной химической реакции Н+Н→Н 2 на поверхности металлическойпленки (Ni,Au) толщиной 3 . 10 -8 м, нанесенной на кристалл кремния, горячиеэлектроны, возбужденные в ходе реакции, диффундируют сквозь пленку ипреодолевают потенциальный барьер на межфазной границе металл-полупроводник.Вследствие этого пленка приобретает положительный заряд, а полупроводник –отрицательный заряд. Кроме того, изменяется сопротивление полупроводника ивозникает электрический ток при замыкании структуры металл-полупроводник намикроамперметр. Следовательно, эффект хемоэмиссии электронов из металла вполупроводник можно использовать при изучении электронной аккомодации в актаххимических превращений на поверхности металлов.В докладе обсуждаются также результаты применения других методовисследования механизмов стабилизации молекул в ходе ГХР.Авторы выражают благодарность Российскому фонду фундаментальныхисследований за финансовую поддержку работы (грант 05-03-96403).409

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!