abstracts - Институт катализа им. Г.К. Борескова

KS-III-5комплекс вопросов, таких как распределение наноструктур по размерам, их миграциякак целого, морфологическая устойчивость и др. Приводится методика расчетаобластей сосуществования фаз в многокомпонентных наносистемах.В докладе изложена теория, описывающая влияние упругих механических полей нарост когерентных наноструктур на поверхностях подложек и показана возможностьуправления ростом этих структур [5]. Излагается теория релаксации упругой энергии[6], позволившая не только предсказать, но и реально вырастить монокристаллическиенанопленки (толщиной от 5 до 200 nm) карбида кремния на кремнии гексагональноймодификации, не имеющие напряжений [7].В докладе будут рассмотрены вопросы описания ранних стадий образованиянанопор в твердых телах [6], играющих важную роль в процессе протекания различныххимических реакций на поверхности материалов.Работа выполнена при финансовой поддержке УК "Созвездие", С.-Петербург,Фонда поддержки науки и образования, С.-Петербург и Российского фондафундаментальных исследований (проекты: № 06-03-32467 и № 06-01-00447).Литература:[1] С.А. Кукушкин, В.В. Слезов, Дисперсные системы на поверхности твердых тел:механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Спб. Наука. 1996,304 с.[2] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // УФН, (1998) , т. 168, (10), 1083-1116.[3] A.V. Osipov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin and P. Hess // Phys. Rev. B (2001) v.64, 421-427.[4] S.A. Kukushkin and A.V. Osipov // Phys. Rev.B, (2002). v. 65, 410-414.[5] S.A. Kukushkin and A.V. Osipov, F. Schmitt, and P. Hess //Semiconductors, 2002, 36,1097-1105.[6] S. A. Kukushkin. J. Appl. Phys., 2005, 98, 033503-12.[7] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.К. Гордеев, С.Б. Корчагина // Письма в ЖТФ,2005, т.31, (20) , С.6-13.63