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_Hinrichs_Kleinback

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Cap. 11 Eletricidade de Fontes Solares, Eólicas e Hídricas 311<br />

FIGURA 11.2<br />

Artefato para observação do efeito<br />

fotoelétrico. A luz atinge a placa de metal (no<br />

tubo de vácuo) e elétrons são emitidos.<br />

Einstein explicou este efeito ao pressupor que, neste caso, a luz se comporta mais<br />

como uma partícula do que como uma onda. A energia de cada partícula de luz, chamada<br />

de fóton, depende apenas da sua freqüência e é igual a h X f, onde h é uma constante conhecida<br />

como constante de Planck e f é a freqüência da luz. Um elétron em um átomo de<br />

metal é capaz de "capturar" um fóton e obter a energia necessária para escapar se a energia<br />

do fóton exceder a energia de adesão do elétron ao metal. Isto irá acontecer se a freqüência<br />

da luz for grande o bastante ou se o comprimento de onda lâmbda for pequeno o bastante, uma<br />

vez que o comprimento de onda é inversamente proporcional à freqüência. Relembre que<br />

lâmbda X f = c e a velocidade da luz c é igual a 3 x 10 8 m/s.<br />

A maior parte das células solares é feita pelo agrupamento de duas camadas muito<br />

finas de silício cristalino que tenham sido tratadas de uma maneira especial. Normalmente<br />

não existem elétrons livres no silício e, desta forma, o silício é um bom isolante. Por meio<br />

de um processo denominado "dopagem", são adicionadas impurezas ao silício, alterando<br />

suas propriedades e tornando-o um condutor melhor. Se for adicionada uma pequena<br />

quantidade de fósforo, passarão a existir elétrons extras no cristal, produzindo um semicondutor<br />

do tipo n (negativo), no qual a carga da corrente é de elétrons negativos. Se for<br />

adicionado boro, existirão menos elétrons que no silício e, assim, surgirão "buracos" vazios<br />

no cristal — lugares nos quais os elétrons deveriam estar, mas não estão — produzindo<br />

um semicondutor do tipo p (positivo). Estes buracos atuam exatamente como cargas<br />

positivas. Quando estes dois tipos de semicondutores são colocados juntos, eles formam<br />

uma "junção p-n". O rearranjo dos elétrons e buracos nesta junção cria uma barreira para o<br />

fluxo da energia elétrica.<br />

Quando a luz atinge uma célula solar, elétrons e buracos são criados pelo efeito fotoelétrico.<br />

Estas cargas são separadas pela barreira potencial na junção p-n. Se os lados<br />

tipo p e tipo n da célula solar estiverem conectados por um circuito externo, os elétrons<br />

irão fluir para fora do eletrodo localizado no lado tipo n, através de uma carga disponível<br />

para a realização de trabalho útil, e para dentro do lado tipo p, onde se recombinarão com<br />

os buracos.<br />

A Figura 11.3 mostra a montagem de uma célula solar. A fina camada superior geralmente<br />

é feita de silício tipo n com uma espessura de aproximadamente 1 um (10 m).<br />

Nesta camada é anexada um grid condutor, arranjada de forma a evitar que uma grande<br />

parte da luz seja bloqueada. A camada inferior é de silício tipo p com aproximadamente<br />

400 um de espessura; um eletrodo metálico é anexado à sua parte traseira.

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