Bulletin 2011/27 - European Patent Office
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(H01L) II.1(1)<br />

(21) 06823881.5 (22) 04.12.2006<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO<br />

SE SI SK TR<br />

(43) 20.08.2008<br />

(86) KR 2006/005173 04.12.2006<br />

(87) WO 2007/066937 2007/24 14.06.2007<br />

(30) 06.12.2005 KR 20050118218<br />

07.06.2006 KR 20060050749<br />

(54) • HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE<br />

HALBLEITERVORRICHTUNG<br />

• METHOD OF MANUFACTURING SEMI-<br />

CONDUCTOR DEVICE<br />

• PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPO-<br />

SITIF A SEMI-CONDUCTEUR<br />

(73) Electronics and Telecommunications<br />

Research Institute, 161 Gajeong-dong,<br />

Yuseong-gu, Daejeon 305-350, KR<br />

(72) BAEK, In Bok, Cheongju-si Chungcheongbuk-do,<br />

361-744, KR<br />

LEE, Seong Jae, Daejeon 305-345, KR<br />

YANG, Jong Heon, Daejeon, 305-345, KR<br />

AHN, Chang Geun, Daejeon, 305-330, KR<br />

YU, Han Young, Daejeon 305-751, KR<br />

IM, Ki Ju, Daejeon 305-761, KR<br />

(74) Betten & Resch, <strong>Patent</strong>anwälte Theatinerstrasse<br />

8, 80333 München, DE<br />

(51) H01L 21/336 (11) 2 120 258 B1<br />

H01L 29/417 H01L 29/78<br />

H01L 29/786 H01L 29/51<br />

(25) Fr (26) Fr<br />

(21) 09159902.7 (22) 11.05.2009<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK TR<br />

(43) 18.11.2009<br />

(30) 13.05.2008 FR 0853084<br />

(54) • Herstellungsverfahren eines Transistors mit<br />

Metallquelle und -abfluss<br />

• Method for manufacturing a transistor with<br />

metal source and drain<br />

• Procédé de réalisation d'un transistor à<br />

source et drain métalliques<br />

(73) Commissariat à l'Énergie Atomique et aux<br />

Énergies Alternatives, Bâtiment "Le Ponant D"<br />

25, rue Leblanc, 75015 Paris, FR<br />

(72) Vinet, Maud, 38140 Rives, FR<br />

Poiroux, Thierry, 38340 Voreppe, FR<br />

Previtali, Bernard, 38100 Grenoble, FR<br />

(74) Ilgart, Jean-Christophe, et al, BREVALEX 95<br />

rue d'Amsterdam, 75378 Paris Cedex 8, FR<br />

H01L 21/336 → (51) H01L 21/8238<br />

H01L 21/336 → (51) H01L 29/76<br />

(51) H01L 21/762 (11) 1 429 381 B1<br />

H01L 21/20<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 03292888.9 (22) 20.11.2003<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK<br />

TR<br />

(43) 16.06.2004<br />

(30) 10.12.2002 EP 02293049<br />

(54) • Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials<br />

• A method for manufacturing a material<br />

compound<br />

• Procédé de fabrication d'un matériau<br />

composé<br />

(73) S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies,<br />

Parc Technologique des Fontaines, Chemin<br />

des Franques, 38190 Bernin, FR<br />

Commissariat à l'Énergie Atomique et aux<br />

Énergies Alternatives, Bâtiment "Le Ponant D"<br />

25, rue Leblanc, 75015 Paris, FR<br />

Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />

<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />

<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />

(72) Berne, Cecile, c/o SOITEC, 38100 Grenoble,<br />

FR<br />

Ghyselen, Bruno, c/o SOITEC, 38170 Seyssinet,<br />

FR<br />

Lagahe, Chrystelle, c/o CEA, 38134 St.<br />

Joseph de Rivière, FR<br />

Thibaut, Maurice, c/o SOITEC, 38100 Grenoble,<br />

FR<br />

(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser<br />

Anwaltssozietät, Leopoldstrasse 4,<br />

80802 München, DE<br />

(51) H01L 21/762 (11) 1 973 155 B1<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 08007334.9 (22) 19.11.2004<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HU IE IS IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI<br />

SK TR<br />

(43) 24.09.2008<br />

(54) • Verfahren zur Herstellung eines GeOI-<br />

Wafers (germanium on insulator)<br />

• Method for fabricating a germanium on<br />

insulator (GeOI) type wafer<br />

• Procédé de fabrication d'une plaquette de<br />

type germanium sur isolant (GeOI)<br />

(73) S.O.I. TEC Silicon, On Insulator Technologies<br />

Chemin des Franques Parc Technologique<br />

des Fontaines, 38190 Bernin, FR<br />

Commissariat à l'Énergie Atomique et aux<br />

Énergies Alternatives, Bâtiment "Le Ponant D"<br />

25, rue Leblanc, 75015 Paris, FR<br />

(72) Bourdelle, Konstantin, 38930 Crolles, FR<br />

Letertre, Fabrice, 38240 Meylan, FR<br />

Fauvre, Bruce, 75011 Paris, FR<br />

Morales, Christophe, 38220 St. Pierre de<br />

Message, FR<br />

Deguet, Chrystal, 38330 Saint Ismier, FR<br />

(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser<br />

Anwaltssozietät, Leopoldstrasse 4,<br />

80802 München, DE<br />

(62) 0429<strong>27</strong>42.6 / 1 659 623<br />

(51) H01L 21/762 (11) 2 105 958 B1<br />

(25) Fr (26) Fr<br />

(21) 09155871.8 (22) 23.03.2009<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK TR<br />

(43) 30.09.2009<br />

(30) 28.03.2008 FR 0852034<br />

(54) • Verfahren zur Herstellung einer vorgespannten<br />

Schicht<br />

• Method for manufacturing a stressed layer<br />

• Procédé de réalisation d'une couche<br />

contrainte<br />

(73) Commissariat à l'Énergie Atomique et aux<br />

Énergies Alternatives, Bâtiment "Le Ponant D"<br />

25, rue Leblanc, 75015 Paris, FR<br />

(72) Deguet, Chrystel, 38330, SAINT ISMIER, FR<br />

Fournel, Frank, 38190, VILLARD-BONNOT,<br />

FR<br />

(74) Ilgart, Jean-Christophe, et al, BREVALEX 95<br />

rue d'Amsterdam, 75378 Paris Cedex 8, FR<br />

H01L 21/762 → (51) H01L 21/8238<br />

(51) H01L 21/8238 (11) 2 238 616 B1<br />

H01L 21/762 H01L 29/78<br />

H01L 21/336<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 09757447.9 (22) 28.05.2009<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK TR<br />

(43) 13.10.2010<br />

(86) EP 2009/056552 28.05.2009<br />

(87) WO 2009/147065 2009/50 10.12.2009<br />

(30) 04.06.2008 US 13<strong>27</strong>98<br />

519<br />

<strong>Patent</strong>e<br />

<strong>Patent</strong>s<br />

Brevets (<strong>27</strong>/<strong>2011</strong>) 06.07.<strong>2011</strong><br />

(54) • DIFFERENZ-NITRID-PULLBACK ZUR<br />

ERZEUGUNG VON DIFFERENZ-NFET-ZU-<br />

PFET-DIVOTS FÜR VERBESSERTE LEIS-<br />

TUNGSFÄHIGKEIT GEGENÜBER LECKEN<br />

• DIFFERENTIAL NITRIDE PULLBACK TO<br />

CREATE DIFFERENTIAL NFET TO PFET<br />

DIVOTS FOR IMPROVED PERFORMANCE<br />

VERSUS LEAKAGE<br />

• RETRAIT DIFFÉRENTIEL DE NITRURE<br />

POUR CRÉER DES MOTTES DIFFÉREN-<br />

TIELLES NFET À PFET POUR UN MEIL-<br />

LEUR COMPROMIS PERFORMANCES/<br />

FUITES<br />

(73) International Business Machines Corporation,<br />

New Orchard Road, Armonk, NY 10504,<br />

US<br />

(72) ANDERSON, Brent, Alan, Essex Junction,<br />

Vermont 05452-4299, US<br />

NOWAK, Edward, Essex Junction, Vermont<br />

05452-4299, US<br />

KU, Suk, Hoon, Hopewell Junction, New<br />

York 12533-6683, US<br />

(74) Gascoyne, Belinda Jane, IBM United Kingdom<br />

Limited Hursley Park, GB-Winchester,<br />

Hampshire SO21 2JN, GB<br />

H01L 23/373 → (51) C10M 169/02<br />

H01L 23/60 → (51) H05K 7/20<br />

(51) H01L 25/16 (11) 2 206 150 B1<br />

F21K 99/00 H01L 33/48<br />

H01L 33/62 H01L 33/64<br />

(25) De (26) De<br />

(21) 097264<strong>27</strong>.9 (22) 08.04.2009<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK TR<br />

(43) 14.07.2010<br />

(86) EP 2009/054181 08.04.2009<br />

(87) WO 2010/057682 2010/21 <strong>27</strong>.05.2010<br />

(30) 21.11.2008 DE 102008058494<br />

(54) • ANSCHLUSSFERTIGER LED-MODULKÖR-<br />

PER<br />

• READY-TO-CONNECT LED MODULE BODY<br />

• CORPS MODULAIRE DE DIODE DEL PRET<br />

A RACCORDER<br />

(73) RZB Rudolf Zimmermann, Bamberg GmbH,<br />

Rheinstrasse 16, 96052 Bamberg, DE<br />

Neumüller Elektronik GmbH, Am Holzacker<br />

53, 91085 Weisendorf, DE<br />

(72) FISCHER, Uwe, 91085 Weisendorf, DE<br />

DRAWERT, Sergio, 96114 Hirschaid-Sassanfahrt,<br />

DE<br />

(74) Meissner, Bolte & Partner, Anwaltssozietät<br />

GbR Widenmayerstrasse 48, 80538<br />

München, DE<br />

(51) H01L <strong>27</strong>/10 (11) 2 157 608 B1<br />

G11C 17/16<br />

(25) Fr (26) Fr<br />

(21) 09167014.1 (22) 31.07.2009<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(43) 24.02.2010<br />

(30) 19.08.2008 FR 0855628<br />

(54) • Speicherung eines Bildes in einem integrierten<br />

Schaltkreis<br />

• Storage of an image in an integrated circuit<br />

• Stockage d'une image dans un circuit<br />

intégré<br />

(73) STMicroelectronics (Rousset) SAS, ZI de<br />

Peynier Rousset Avenue Coq, 13790 Rousset,<br />

FR<br />

(72) Fornara, Pascal, 83910, Pourrieres, FR<br />

Marinet, Fabrice, 13790, Chateauneuf le<br />

Rouge, FR

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