Das Forschungszentrum Jülich - d-nb, Archivserver DEPOSIT.D-NB ...

• 18. S.A.Vitusevich, S.V.Danylyuk, N.Klein, M.V.Petrychuk, A.E.Belyaev. J. Appl. Phys., 96,
5625 (2004).
• 19. S.V. Danylyuk, S.A. Vitusevich, V.Kaper, V.Tilak, N.Klein, L.F.Eastman, J.R.Shealy. Phys.
Stat.Sol.(2005), in press.
• 20. M. Marso, J. Bernát, P. Javorka, and P. Kordoš, "Influence of a carrier supply layer on
carrier density and drift mobility of AlGaN/GaN/SiC high-electron-mobility transistors", Appl.
Phys. Lett. 84, 2928 (2004)
• 21. M. Marso, J. Bernát, P. Javorka, A. Fox, and P. Kordoš, to be published in pss(c).
• 22. A.Fox, M. Marso, J. Bernát, P. Javorka and P. Kordoš, Proc. 5th Intern. Conf. Advanced
Semicon. Dev. & Microsystems ASDAM'04, 147 (2004)
• 23. H. Hardtdegen, N. Kaluza, R. Steins, P. Javorka, K. Wirtz, A. Alam, T. Schmitt and R.
Beccard, to be published in pss(a)
• 24. K. J. Choi, M. Biegalski, Y. L. Li, A. Sharan, J. Schubert, R. Uecker, P. Reiche, Y. B.
Chen, X. Q. Pan, V. Gopalan, L.-Q. Chen, D. G. Schlom, and C. B. Eom, Enhancement of
Ferroelectricity in Strained BaTiO3 Thin Films, Science 5 November 2004; 306: 1005-1009
• 25. Nagarajan V, Prasertchoung S, Zhao T, et al, "Size effects in ultrthin epitaxial ferroelectric
heterostructures", Appl. Phys. Lett. 84 (25): 5225-5227 Jun 21 2004
• 26. R. Dittmann, R. Plonka, et. al, Appl. Phys. Lett., accepted02/2005
• 27. R. Meyer, H. Kohlstedt, arXiv:cond-mat/0312609
• 28. M. Fitsilis M, H. Kohlstedt, R. Waser, et. al., "A new concept for using ferroelectric
transistors in nonvolatile memories", Integr. Ferroelectrics 60, S45-58, 2004
• 29. H. Schroeder, Appl. Phys. Letters, submitted 1/2005
• 30. S. Clemens, T. Schneller, A. van der Hart, F. Peter, R. Waser, accepted by Adv. Mat. ,
01/2005
• 31. B. Lüssem, S. Karthäuser, H. Haselier, R. Waser, "The origin of faceting of ultraflat gold
films epitaxially grown on mica", Appl. Surf. Sci., in press.
• 32. B. Lüssem, L. Müller-Meskamp, S. Karthäuser, and R. Waser, JACS submitted 1/2005
• 33. B. Han, Z. Li, S. Pronkin, Th. Wandlowski, Can. J. Chem. 82, 1481-1494 (2004).
• 34. Z. Li, B. Han, Th. Wandlowski, Langmuir, submitted 1/2005
• 35. G. J. Su, H. M. Zhang, L. J. Wan, C. L. Bai, Th. Wandlowski, "Potential-Induced Phase
Transition of Trimesic Acid Adlayer on Au(111)", J. Phys. Chem. B 108, 1931-1937 (2004).
Übergeordnete Aktivitäten
Das Programm "Informationstechnologie mit nanoelektronischen Systemen" hat zahlreiche
Verknüpfungen zu anderen HGF-Programmen. Die intensivste Zusammenarbeit ist mit den HGF-
Programmen "Nanotechnology", "Condensed Matter" and "Scientific Computing".
Das Programm engagiert sich in der Förderung von jungen Wissenschaftlern, unterstützt sie beim
Aufbau ihrer Karriere in unterschiedlicher Weise und erachtet es als eine seiner wichtigsten Aufgaben
junge Wissenschaftler für die Nanoelektronik zu begeistern.
Im Jahr 2004 waren die Institute des CNI in die Organisation der folgenden Workshops, Schulungen
und Konferenzen involviert:
• IFF Spring School "Physics meets Biology" März 2004, Forschungszentrum Jülich, Germany
• Semiconductor Spintronics, MRS, März 2004, San Francisco
• Nanostructured Superconductors: From fundamentals to applications, März 2004, Bad
Münstereifel,
• First Euregio Workshop "Modern Trends in Interfacial Electrochemistry - Theory meets,
Experiment", Mai 2004, Eindhoven, Netherland,
• IEEE Nanotechnology 2004, August 2004 Munich, Germany,
• JEMS 2004 -Joint European Magnetic Symposia, Sept 2004, Dresden, Germany.
Im Frühjahr 2005 wird das CNI die IFF Ferienschule "Magnetism goes Nano" und die Nanoelektronik-
Konferenz "Nanoelectronics Days 2005" veranstalten. Die Konferenz wird eine Übersicht über den
aktuellen Stand der Forschung, über neuen Entwicklungen und Trends bei den nanoelektronischen
Systemen geben.
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