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Institut für Schichten und Grenzflächen (ISG) Homepage
Leitung
� ISG-1 Halbleiterschichten und Bauelemente
Prof. Dr. Hans Lüth, h.lueth@fz-juelich.de
� ISG-2 Bio- und Chemosensoren
Prof. Dr. Andreas Offenhäusser, a.offenhaeusser@fz-juelich.de
� ISG-3 Grenz- und Oberflächen
Prof. Dr. Harald Ibach, h.ibach@fz-juelich.de
� ISG-4 Biologische Schichten
Prof. Dr. Rudolf Merkel, r.merkel@fz-juelich.de
Kurzdarstellung
Das Institut für Schichten und Grenzflächen (ISG) sieht seine Mission in der Verbindung von
Grundlagenforschung mit anwendungsorientierter Forschung in den Bereichen
Informationstechnologie und Kondensierter Materie. Innerhalb dieser Ausrichtung konzentrieren sich
unsere Arbeiten auf Grenzflächen, sowohl anorganische als auch (bio)organische, auf Wachstum und
Herstellung dünner Schichten, sowie auf Entwicklung elektronischer Bauelemente. Damit ist ein
Zusammenwirken von - traditionell eher getrennten - Fachrichtungen verbunden, die ausgehend von
einem klaren Schwerpunkt in der Physik über die Biologie und die Chemie hin zu
Halbleitertechnologie und Bauelementherstellung reichen. Diese Ausrichtung des Instituts erfordert
eine Vielzahl von Einrichtungen, darunter Reinräume der Klasse 10 und 100, fortgeschrittene
Methoden für die Oberflächen- und Grenzflächenanalyse, Ionenstrahltechniken,
Elektronenstrahllithographie, Labore für Biochemie und Biophysik, sowie für Zell- und
Molekularbiologie.
Die Forschung ist innerhalb des Departments in vier Teilinstituten organisiert:
• ISG-1 Halbleiterschichten- und Bauelemente (H. Lüth)
• ISG-2 Bio- und Chemosensoren (A. Offenhäusser)
• ISG-3 Grenz- und Oberflächen (H. Ibach)
• ISG-4 Biologische Schichten (R. Merkel)
Die Direktoren H. Lüth (geb. 1940) und H. Ibach (geb. 1941) erreichen in den Jahren 2005 und 2006
die Altersgrenze. Aus diesem Grund wurde im Jahr 2004 die zukünftige Ausrichtung des Instituts für
Schichten- und Grenzflächen von einer Strukturkommission und dem Aufsichtsrat der
Forschungszentrum Jülich GmbH beurteilt. Dabei war zu berücksichtigen, dass die Leiter des ISG-2
und des ISG-4 erst vor wenigen Jahren berufen wurden, wobei sich insbesondere das ISG-4 noch in
einer Aufbauphase befindet.
Das ISG-1 ist ein etabliertes Institut mit hohem internationalem Ansehen. Gestützt auf eine
leistungsfähige Infrastruktur wurden erfolgreich Schwerpunkte auf den Gebieten III/V- Halbleiter,
Höchstfrequenzbauelemente, sowie siliziumbasierende Feldeffekttransistoren und funktioneller Oxide
etabliert.
Die zukünftige Mission des ISG-1 wird in der physikalischen Grundlagenforschung und der Exploration
innovativer anwendungsorientierter Halbleiternanostrukturen für die Informationstechnologie gesehen.
Auf diesem Gebiet gibt es einen hohen Forschungsbedarf und ein enormes Entwicklungspotential.
Eine Vision an einem noch fernen Horizont ist die Realisierung einer Quantennanoelektronik.
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