Bulletin 2012/02 - European Patent Office
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(H01L) I.1(2)<br />

(21) 10748626.8 (22) 19.<strong>02</strong>.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) JP 2010/052517 19.<strong>02</strong>.2010<br />

(87) WO 2010/101030 2010/36 10.09.2010<br />

(30) <strong>02</strong>.03.2009 JP 2009048126<br />

<strong>02</strong>.03.2009 JP 2009048125<br />

(54) • DÜNNSCHICHTSOLARZELLENMODUL<br />

• THIN FILM SOLAR CELL MODULE<br />

• MODULE À PILE SOLAIRE À COUCHE<br />

MINCE<br />

(71) Kaneka Corporation, 2-4, Nakanoshima 3chome<br />

Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-8288,<br />

JP<br />

(72) YOSHIKAWA,Kunta, Settsu-shi Osaka 566-<br />

0072, JP<br />

ICHIKAWA,Mitsuru, Settsu-shi Osaka 566-<br />

0072, JP<br />

YAMAMOTO,Kenji, Settsu-shi Osaka 566-<br />

0072, JP<br />

(74) HOFFMANN EITLE, <strong>Patent</strong>- und Rechtsanwälte<br />

Arabellastraße 4, 81925 München, DE<br />

(51) H01L 31/04 (11) 2 405 486 A1<br />

H01L 21/225<br />

(25) Ja (26) En<br />

(21) 10748649.0 (22) 24.<strong>02</strong>.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) JP 2010/052850 24.<strong>02</strong>.2010<br />

(87) WO 2010/101054 2010/36 10.09.2010<br />

(30) <strong>02</strong>.03.2009 JP 2009048205<br />

(54) • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES<br />

HALBLEITERBAUELEMENTS<br />

• PROCESS FOR PRODUCING SEMICON-<br />

DUCTOR DEVICE<br />

• PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSI-<br />

TIF À SEMI-CONDUCTEUR<br />

(71) Sharp Kabushiki Kaisha, 22-22, Nagaike-cho<br />

Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522, JP<br />

(72) KOHIRA, Masatsugu, Osaka-shi Osaka 545-<br />

8522, JP<br />

FUNAKOSHI, Yasushi, Osaka-shi Osaka 545-<br />

8522, JP<br />

(74) Müller - Hoffmann & Partner, <strong>Patent</strong>anwälte<br />

Innere Wiener Strasse 17, 81667 München,<br />

DE<br />

(51) H01L 31/04 (11) 2 405 487 A1<br />

(25) Ru (26) En<br />

(21) 10751068.7 (22) 26.<strong>02</strong>.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) RU 2010/000089 26.<strong>02</strong>.2010<br />

(87) WO 2010/104414 2010/37 16.09.2010<br />

(30) 04.03.2009 RU 2009107568<br />

(54) • LICHTUMWANDLUNGSTEIL EINES<br />

ELEKTROMAGNETISCHEN STRAHLUNGS-<br />

WANDLERS (MÖGLICHE AUSFÜHRUN-<br />

GEN) UND ELEKTROMAGNETISCHER<br />

STRAHLUNGSWANDLER<br />

• A PHOTO-CONVERTING PART OF AN<br />

ELECTROMAGNETIC RADIATION CON-<br />

VERTER (VARIANT EMBODIMENTS), AND<br />

AN ELECTROMAGNETIC RADIATION CON-<br />

VERTER<br />

• PARTIE DE CONVERSION PHOTOÉLEC-<br />

TRIQUE D'UN CONVERTISSEUR DE<br />

RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE<br />

(ET VARIANTES) ET CONVERTISSEUR DE<br />

RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE<br />

(71) Tsoi, Bronya, Ul. Ostrovityanova, 45-1-161,<br />

Moscow, 117342, RU<br />

(72) BUDISHEVSKY, Jury Dmitrievich, Bryansk<br />

241047, RU<br />

Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />

<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />

<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />

(74) Nübold, Henrik, Lemcke, Brommer & Partner<br />

<strong>Patent</strong>anwälte Bismarckstrasse 16, 76133<br />

Karlsruhe, DE<br />

H01L 31/04 → (51) H01M 14/00<br />

(51) H01L 31/042 (11) 2 405 488 A1<br />

H01L 21/66<br />

(25) Ja (26) En<br />

(21) 10748711.8 (22) 01.03.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) JP 2010/053248 01.03.2010<br />

(87) WO 2010/101116 2010/36 10.09.2010<br />

(30) 03.03.2009 JP 2009049214<br />

(54) • MEHRSCHICHTIGE STRUKUTR MIT<br />

HALBLEITERSCHICHT UND SCHICHTDI-<br />

CKENMESSBEREICH SOWIE FOTOELEKT-<br />

RISCHES DÜNNSCHICHT-<br />

UMWANDLUNGSELEMENT UND INTEG-<br />

RIERTE DÜNNSCHICHT-SOLARZELLEN-<br />

EINHEIT DAMIT<br />

• MULTILAYER STRUCTURE HAVING<br />

SEMICONDUCTOR LAYER AND LAYER-<br />

THICKNESS MEASUREMENT REGION,<br />

AND THIN-FILM PHOTOELECTRIC CON-<br />

VERSION DEVICE AND INTEGRATED<br />

THIN-FILM SOLAR CELL UNIT USING<br />

SAME<br />

• STRUCTURE MULTICOUCHE COMPRE-<br />

NANT UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE<br />

ET UNE RÉGION DE MESURE D'ÉPAIS-<br />

SEUR DE COUCHE, DISPOSITIF DE<br />

CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE À<br />

COUCHE MINCE ET MODULE DE PILE<br />

SOLAIRE À COUCHE MINCE INTÉGRÉ<br />

UTILISANT CETTE STRUCTURE<br />

(71) Sharp Kabushiki Kaisha, 22-22, Nagaike-cho<br />

Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522, JP<br />

(72) NASUNO, Yoshiyuki, Osaka 545-8522, JP<br />

TAKEDA, tohru, Osaka 545-8522, JP<br />

(74) Müller - Hoffmann & Partner, <strong>Patent</strong>anwälte<br />

Innere Wiener Strasse 17, 81667 München,<br />

DE<br />

H01L 31/048 → (51) H01L 31/058<br />

H01L 31/05 → (51) C23C 16/48<br />

(51) H01L 31/058 (11) 2 405 489 A1<br />

H01L 31/048 H01L 31/18<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 10007100.0 (22) 09.07.2010<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

BA ME RS<br />

(54) • Hocheffiziente Solarzelle und Verfahren zu<br />

deren Herstellung<br />

• High-efficiency solar cell and method for its<br />

production<br />

• Cellule solaire haute efficacité et son<br />

procédé de production<br />

(71) Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der<br />

angewandten Forschung e.V., Hansastrasse<br />

27c, 80686 München, DE<br />

(72) Dupeyrat, Patrick, 79106 Freiburg, DE<br />

Rommel, Matthias, 8320 Fehraltorf, CH<br />

Wirth, Harry, 79249 Merzahusen, DE<br />

(74) Pfenning, Meinig & Partner GbR, <strong>Patent</strong>- und<br />

Rechtsanwälte Theresienhöhe 13, 80339<br />

München, DE<br />

H01L 31/18 → (51) H01L 31/058<br />

(51) H01L 33/00<br />

H01L 33/48<br />

(11) 2 405 490 A1<br />

(25) Ja (26) En<br />

293<br />

Anmeldungen<br />

Applications<br />

Demandes (<strong>02</strong>/<strong>2012</strong>) 11.01.<strong>2012</strong><br />

(21) 10748674.8 (22) 26.<strong>02</strong>.2010<br />

(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB<br />

GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT<br />

NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR<br />

(86) JP 2010/053046 26.<strong>02</strong>.2010<br />

(87) WO 2010/101079 2010/36 10.09.2010<br />

(30) 03.03.2009 JP 2009049634<br />

(54) • LICHTEMITTIERENDE VORRICHTUNG,<br />

LICHTEMITTIERENDE EINHEIT UND VER-<br />

FAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER<br />

LICHTEMITTIERENDEN VORRICHTUNG<br />

• LIGHT-EMITTING APPARATUS, LIGHT-<br />

EMITTING APPARATUS UNIT, AND LIGHT-<br />

EMITTING APPARATUS PRODUCTION<br />

METHOD<br />

• APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT,<br />

UNITÉ D'APPAREIL ÉLECTROLUMINES-<br />

CENT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION<br />

D'APPAREIL ÉLECTROLUMINESCENT<br />

(71) Sharp Kabushiki Kaisha, 22-22, Nagaike-cho<br />

Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 545-8522, JP<br />

(72) ITO, Masayuki, Osaka 545-8522, JP<br />

MIYATA, Masataka, Osaka 545-8522, JP<br />

YAMAMURO, Taro, Osaka 545-8522, JP<br />

YOKOTA, Syoji, Osaka 545-8522, JP<br />

(74) Müller - Hoffmann & Partner, <strong>Patent</strong>anwälte<br />

Innere Wiener Strasse 17, 81667 München,<br />

DE<br />

(51) H01L 33/00 (11) 2 405 491 A2<br />

H01L 33/20 H01L 33/38<br />

H01L 33/40 H01L 33/44<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11172951.3 (22) 07.07.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 08.07.2010 KR 20100065967<br />

05.08.2010 KR 20100075670<br />

17.08.2010 KR 20100079225<br />

(54) • Lichtemittierendes Halbleiterbauelement<br />

und Herstellungsverfahren dafür<br />

• Semiconductor light-emitting device and<br />

method of manufacturing the same<br />

• Dispositif électroluminescent semiconducteur<br />

et son procédé de fabrication<br />

(71) Samsung LED Co., Ltd., 314, Maetan 3-dong<br />

Yeoungtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do,<br />

443-743, KR<br />

(72) Yang, Jong-in, Gyeonggi-do, KR<br />

Kim, Tae-hyung, ., KR<br />

Lee, Si-hyuk, Gyeonggi-do, KR<br />

Song, Sang-yeob, Gyeonggi-do, KR<br />

Sone, Cheol-soo, Seoul, KR<br />

Kim, Hak-hwan, Gyeonggi-do, KR<br />

Lee, Jin-hyun, Gyeonggi-do, KR<br />

(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser,<br />

Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4,<br />

808<strong>02</strong> München, DE<br />

(51) H01L 33/00 (11) 2 405 492 A2<br />

H01L 33/20 H01L 33/38<br />

H01L 33/40 H01L 33/44<br />

(25) En (26) En<br />

(21) 11172952.1 (22) 07.07.2011<br />

(84) AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR<br />

GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK<br />

MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR<br />

BA ME<br />

(30) 08.07.2010 KR 20100065967<br />

05.08.2010 KR 20100075670<br />

17.08.2010 KR 20100079225<br />

(54) • Lichtemittierendes Halbleiterbauelement<br />

und Herstellungsverfahren dafür<br />

• Semiconductor light-emitting device and<br />

method of manufacturing the same

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