Jahresbericht der Universit
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DFG – Forschergruppen<br />
Microscopic analysis of semity- and non polar nitrides surfaces,<br />
interfaces, and defects (FOR 957, Teilprojekt UR)<br />
Teilprojekt UR: Investigations on HVPE - grown InGaN quantum wells on non- and<br />
semipolar GaN. Elektronenmikroskopische Charakterisierung von semi- und nicht-<br />
polaren Nitriden bezüglich ihrer Kristalldefekte, Indiumkonzentration in Quantentrögen<br />
und intrinsischen elektrischen Fel<strong>der</strong>n.<br />
Sprecher: Prof. Dr. Ferdinand Scholz (<strong>Universit</strong>ät Ulm)<br />
Teilprojekt 6: Prof. Dr. Josef Zweck (Institut für Experimentelle und Angewandte Physik)<br />
Laufzeit: 01.05.2011 – 30.04.2014<br />
För<strong>der</strong>ung: Deutsche Forschungsgemeinschaft<br />
För<strong>der</strong>volumen: € 2,48 Mio. (gesamt), € 0,216 Mio. (Projektanteil)<br />
Homepage: http://www.uni-ulm.de/in/iui-polarcon.html<br />
Die Verwendung semi- und nicht-polarer Kristallfacetten für die Abscheidung von<br />
Quantentrögen, die für im grünen Wellenlängenbereich emittierende Halbleiterlaser<br />
konzipiert sind, wurde in <strong>der</strong> ersten Projektphase als ein erfolgreiches Konzept demonstriert.<br />
Aus diesem Grund soll die künftige Forschung hauptsächlich auf die Bestimmung<br />
und quantitative Messung interner piezoelektrischer Fel<strong>der</strong> in GaN- und<br />
InGaN-Lagen ausgerichtet sein. Dabei werden Verfahren <strong>der</strong> Kristallzüchtung (Wachstum,<br />
Epitaxie), theoretischen Modellierung, praktischen Realisierung (Prozessierung)<br />
und <strong>der</strong> Charakterisierung (Messung <strong>der</strong> erzielten Eigenschaften) durch die kooperierenden<br />
Gruppen mit ihrer jeweiligen Expertise kombiniert. Ziele des Regensburger Projektanteils<br />
sind:<br />
Die piezoelektrischen Fel<strong>der</strong>, die innerhalb <strong>der</strong> Quantentröge – gewachsen auf unterschiedlichen<br />
Kristallfacetten – entstehen, werden vermessen und mit theoretischen<br />
Rechnungen verglichen. Dabei kommt ein speziell für das Projekt entwickeltes<br />
modifiziertes elektronenmikroskopisches Verfahren (differentieller Phasenkontrast,<br />
DPC) zum Einsatz.<br />
Die piezoelektrischen Fel<strong>der</strong>, welche im GaN Wirtsmaterial und im Quantentrog<br />
existieren werden quantitativ in Stärke und Richtung vermessen.<br />
Der Indiumgehalt innerhalb <strong>der</strong> Quantentröge wird mit EDX gemessen. Der gemessene<br />
Wert des piezoelektrischen Feldes wird mit dem Indiumgehalt <strong>der</strong> InGaN<br />
Quantentröge korreliert. Die Dichte und die Typen <strong>der</strong> kristallographischen Defekte,<br />
die sich im Bereich <strong>der</strong> Quantentröge ausbilden, wird mit <strong>der</strong> Indiumkonzentration<br />
korreliert.<br />
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