Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
Die Zugriffszeiten der NANDArchitektur sind relativ hoch,<br />
da man nicht auf einzelne Speicherzellen zugreifen, sondern<br />
immer nur die ganze Leitung herauslesen kann. Man muss<br />
die Daten also blockweise lesen. Dabei bedient man sich<br />
der page und blockorientierten Arbeitsweise. Eine Page<br />
besteht aus 512 bzw. 2.048 Bytes, die ihrerseits wieder zu<br />
Blöcken zusammengefasst werden, die zwischen 16 und<br />
128 KB liegen.<br />
Wie bereits ausgeführt, kann man ein erneutes Beschreiben<br />
eines Speicherbereichs, also einer Page, nur dann durchführen,<br />
wenn man sie zuvor löscht. Da die Datenzellen seriell<br />
geschaltet sind, muss man gleich den ganzen Block<br />
löschen, in dem sich die jeweilige Page befindet.<br />
Man verwendet NANDFlashs in jenen Bereichen, wo<br />
relativ viel Speicher gebraucht wird und das FlashModule<br />
klein und sehr kompakt gebaut sein soll. Etwas nachteilig<br />
sind die langsameren Zugriffszeiten im Vergleich zur<br />
NORArchitektur.<br />
NANDSpeicher oder auch SLCFlash genannt (Single Level<br />
Cell) haben sich aufgrund ihrer hohe Speicherdichte und<br />
der kostengünstigen Produktionsweise gegenüber NOR<br />
Speichern weitgehend durchgesetzt.<br />
NOR-Architektur<br />
Als Gegenstück zum NANDSpeicher existiert der sogenannte<br />
NORSpeicher. Wie der Name schon vermuten<br />
lässt, besteht dieser Speichertyp anstatt aus NAND aus<br />
NORGattern (Not OR). Dabei ergibt sich auch der Umstand,<br />
dass die Speicherzellen eines NORFlashs parallel zueinander<br />
geschaltet sind, wodurch ein paralleler und somit<br />
wahlfreier Zugriff möglich wird. Man muss also beim Lesen<br />
nicht Block für Block vorgehen.<br />
Der parallele NORFlash verfügt über geringere Speicher<br />
dichte und ist vergleichsweise teuer, führt aber Abrufvor<br />
gänge wesentlich schneller aus. NORSpeicher werden<br />
auch als MLCSpeicher (Multi Level Cell) bezeichnet und<br />
können aufgrund ihrer „Gitter“Struktur flexibl angesprochen<br />
werden. Durch ihren Aufbau verfügen sie verglichen mit<br />
NANDSpeichern über relativ wenig Speicherplatz, da durch<br />
die Parallelität einfach mehr Platz beansprucht wird.<br />
Generell<br />
NAND wird in großen Datenspeichern in kommerziellen<br />
<strong>System</strong>en genutzt, weil damit kompaktere, schnellere und<br />
preiswertere Speichersysteme gebaut werden können. Im<br />
NORSpeicher sind die Speicherzellen parallel auslesbar,<br />
daher sind solche Speicher bei einem überwiegenden Lesebetrieb<br />
besonders schnell und z. B. als Programm oder<br />
Codespeicher sehr gut geeignet. NANDSpeicherzellen können<br />
dichter gepackt werden. Dabei sind aber viele Speicherzellen<br />
in Reihe geschaltet. Daher ist der wahlweise<br />
Lesezugriff langsamer. Löschen und Schreiben gehen bei<br />
NANDSpeichern schneller, wenn blockweise gearbeitet<br />
wird. Die Speicherdichten bei NAND und NORTechniken<br />
für EinbitZellen unterscheiden sich. Üblicherweise verwendet<br />
NAND EinbitZellen und NOR MehrbitZellen. Allerdings<br />
gibt es beide Techniken inzwischen auch in MehrbitVarianten<br />
mit zwei, drei oder vier Bits in einer Zelle. Generell sind<br />
MehrbitZellen langsamer und störanfälliger als EinbitZellen.<br />
MehrbitZellen (Multi Level Cell) haben dieselbe Zellgröße<br />
und die Bits in der Zelle werden durch unterscheidbare<br />
Spannungspegel definiert. Das erklärt die Kostenreduktion<br />
von MLCSpeichern gegenüber dem SLCSpeicher (Single<br />
Level Cell). Allerdings gibt es immer wieder Schwierigkeiten,<br />
die geringen Spannungsunterschiede präzise auszulesen.<br />
Deshalb sollte beim heutigen Stand der Technik im professionellen<br />
ITBetrieb aus Zuverlässigkeits und Geschwindigkeitsgründen<br />
SLCFlash in NANDTechnik eingesetzt werden.<br />
Lebensdauer<br />
Aufgrund ihrer Funktionsweise sind FLASHSpeicher nicht<br />
unbegrenzt haltbar. Jeder Schreib und Löschvorgang verursacht<br />
einen gewissen Verschleiß in den Oxidschichten<br />
der Zellen, sodass die Hersteller von FlashSpeicherkarten<br />
eine Art Mindesthaltbarkeit für ihre Produkte angeben, die<br />
auf der Anzahl der durchgeführten Löschzyklen basiert.<br />
Bei NAND (SLC) beträgt dieser Wert 100.000 Zyklen, bei<br />
NOR (MLC) nur 10.000 Zyklen. Dabei wird immer ein<br />
großzügiger Sicherheitspuffer mit einkalkuliert, d. h., NAND<br />
Speicherkarten können in der Regel auch nach einer Million<br />
und mehr Löschzyklen funktionsfähig sein.<br />
1952 – 1961 1962 – 1974 1975 – 1993 1994 – 1998 1999 – 2005 2006 – 2010 Software Anhang 283
Change language