12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

6.4. A BIPOLÁRIS TRANZISZTOROK MUNKAPONTSTABILITÁSA, STABILITÁSI TÉNYEZŐK 103<br />

D=<br />

B=β<br />

A=α<br />

I C0 -I CB0<br />

β(1+β)<br />

R E =0 R E =∞<br />

S u<br />

α<br />

-<br />

r d<br />

0<br />

0 R B =0<br />

R B =∞<br />

R E =0 R E =∞<br />

S i 1 1 R B =0<br />

1+β R B =∞<br />

R E =0 R E =∞<br />

R B =0<br />

S B<br />

D<br />

1<br />

1+β<br />

1<br />

R B =∞<br />

6.1. táblázat. A bipoláris tranzisztor munkapontjának érzékenységi paraméterei az R E és R B ellenállások<br />

szélsőértékeinél.<br />

Felhasználva a tranzisztor paramétereinek a hőmérsékletfüggési adatait, a kollektoráram megváltozását<br />

a<br />

∆I C0 = S u<br />

(<br />

−2 mV<br />

C 0 )<br />

∆T +S i<br />

(<br />

0,08−0,1 1<br />

C 0 )<br />

I CB0 ∆T +S B<br />

(<br />

(0,5−1)10 −2 1<br />

C 0 )<br />

B∆T<br />

(6.47)<br />

kifejezésből határozhatjuk meg, ahol ∆T a hőmérséklet megváltozása. Az eredményekből látható,<br />

hogy a kifejezés minden tagja pozitív, azaz a bipoláris tranzisztor kollektorárama növekvő hőmérséklet<br />

hatására minden belső hőmérsékletfüggő paraméter változása miatt növekszik. Az alábbi táblázatban<br />

megadjuk az egyes stabilitási tényezőket azR E és R B ellenállások szélsőértékeinél:<br />

A táblázat alapján megállapítható, hogy az R E ellenállás kis értékénél az S u paramétert az r d ellenállás<br />

határozza meg, ami azt jelenti, hogy stabil munkaponthoz nagy egyenáramú emitterellenálásra<br />

van szükség. Nulla értékű emitter- és bázisellenállásnál ugyanis a kollektoráramnak a nyitófeszültség<br />

hatására történő megváltozását a<br />

(<br />

∆I C0 ≃ S u −2 mV )<br />

C 0 ∆T = − A (<br />

−2 mV )<br />

r d C 0 ∆T = − AI (<br />

E0<br />

−2 mV )<br />

1<br />

U T C 0 ∆T = I C0<br />

13 ∆T<br />

(6.48)<br />

egyenlet írja le (U T = 26mV ), ami azt jelenti, hogy 1 C 0 hőmérsékletváltozás hatására a tranzisztor<br />

I C0 munkaponti árama közel 7,7%-kal nő, ami tipikus alkalmazásoknál elfogadhatatlanul nagy érték.<br />

Kimondhatjuk tehát, hogy a bipoláris tranzisztor munkapontját a bázis és emitter közé kapcsolt<br />

nulla belső ellenállású feszültséggenerátorral nem lehet stabilan beállítani. Jól látható az is, hogy az<br />

emitterellenállás növelése az S i ésS B paramétereket is csökkenti.<br />

Az R B bázisköri egyenáramú ellenállás növelése csökkenti az S u érzékenységet, de növelésével<br />

S i és S B nő.<br />

AzI CB0 hőmérsékletfüggése következtében a kollektoráram<br />

(<br />

∆I C0 ≃ S i 0,08−0,1 1 )<br />

C 0 I CB0 ∆T (6.49)

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!