12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

9.3. A DIFFERENCIÁLERŐSÍTŐ VIZSGÁLATA 173<br />

mivel<br />

és<br />

(<br />

U BE0 −U ts ≃ U T ln<br />

( ) ( )<br />

T2 T −<br />

∆T<br />

2<br />

3U T ln = 3U T ln<br />

T 1 T + ∆T = 3U T ln<br />

2<br />

∆U T<br />

U T<br />

= ∆T<br />

T , valamint<br />

)<br />

I 0<br />

2 √ K 1 K 2<br />

(<br />

1−<br />

∆T<br />

2T<br />

1+ ∆T<br />

2T<br />

)<br />

U BE0 −U ts −3U T<br />

T<br />

, (9.105)<br />

≃ −3U T<br />

∆T<br />

T<br />

= −2<br />

, ∆T ≪ T, (9.106)<br />

[ mV<br />

C 0 ]<br />

, (9.107)<br />

ahogy ezt a bipoláris tranzisztorok munkapontbeállításával foglalkozó fejezet bevezetőjében tárgyaltuk.<br />

Elmondhatjuk tehát, hogy a differenciálerősítő eredő U off feszültsége két tag összegéből áll: az<br />

egyik tag csak a tranzisztorok paramétereinek aszimmetriájától, a másik pedig lényegében a tranzisztorok<br />

hőmérsékletének különbségétől függ.<br />

A fenti kifejezések alapján az offset feszültség maga is függ a hőmérséklettől. Az offset feszültség<br />

hőmérséklet szerinti deriváltját az offset feszültség driftjének nevezzük. A drift értékét általában a<br />

dU off<br />

dT<br />

dU off<br />

dT<br />

= d<br />

dT<br />

= d<br />

dT<br />

( ( √<br />

A1 A 2 1 A2 F<br />

∆U T ln I 0 √ 2 T<br />

)+U T ln( 3 ))<br />

2<br />

A 1 +A 2 K1 K 2 A 1 F 1 T1<br />

3<br />

egyenlet segítségével számolhatjuk.<br />

Ha∆U T = 0, azaz U T1 = U T2 , akkor a drift értéke a<br />

(<br />

U T ln<br />

( ))<br />

F2<br />

= dU ( )<br />

T<br />

F 1 dT ln F2<br />

= U ( )<br />

T<br />

F 1 T ln F2<br />

= U off<br />

F 1 T , mivel<br />

kifejezéssel határozható meg.<br />

HaF 1 = F 2 = F és A 1 = A 2 = A, akkor a drift a<br />

dU off<br />

dT<br />

= d<br />

dT<br />

(<br />

∆U T ln<br />

(<br />

I 0<br />

2<br />

1<br />

F √ T 3 1 T3 2<br />

)<br />

(9.108)<br />

dU T<br />

dT = U T<br />

T<br />

(9.109)<br />

( ) )<br />

T2<br />

+3U T ln<br />

(9.110)<br />

T 1<br />

egyenlet alapján számítható. A számolás részletezése nélkül kimondhatjuk, hogy mivel azonos paraméterű<br />

tranzisztorok esetén az offset feszültség a tranzisztorok hőmérsékletének ∆T különbségétől<br />

függ, mégpedig −2mV/C 0 ∆T mértékben, így logikus, hogy az offset feszültség a hőmérséklet változás<br />

hatására ilyenkor közelítőleg annyit változik, amennyit a hőmérsékletkülönbség változik a külső<br />

hőmérséklet hatására, ami alapján a<br />

dU off<br />

dT<br />

≃ d<br />

dT<br />

( ( ))<br />

∆UT<br />

T2<br />

(U BE0 −U ts )+3U T ln ≃ −2<br />

U T T 1<br />

[ ] mV d(∆T)<br />

C 0 dT<br />

(9.111)<br />

közelítő értéket kapjuk.<br />

Példa. Határozzuk meg egy differenciálerősítő offset feszültségét és annak driftjét, ha ∆U T =<br />

0, A 1 = A 2 és adott a tranzisztorok F 1 és F 2 = F 1 + ∆F = 1,05F 1 felülete, azaz a tranzisztorok<br />

felülete5%-kal tér el egymástól. Az offset feszültség értéke ennek alapján<br />

U off = U T ln<br />

(<br />

F2<br />

)<br />

= U T ln<br />

F 1<br />

( )<br />

F1 +∆F<br />

= U T ln<br />

F 1<br />

(<br />

1+ ∆F<br />

F 1<br />

)<br />

≃ U T<br />

∆F<br />

F 1<br />

, ha<br />

∆F<br />

F 1<br />

≪ 1,<br />

(9.112)

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!