12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

17.2. A LEGFONTOSABB LOGIKAI ÁRAMKÖRCSALÁD, A CMOS RENDSZER ISMERTETÉSE 389<br />

i D <strong>Dr</strong>ain áram 1 [µA]−100 [mA]<br />

u DS <strong>Dr</strong>ain-source feszültség (−3)−(+3) [V]<br />

u GS Gate-source feszültség (−3)−(+3) [V]<br />

U P Elzáródási feszültség (−0,8)−(+0,8) [V]<br />

µ n A felületi elektron mozgékonysága 400 [ cm 2 /Vs ]<br />

µ p A felületi lyuk mozgékonysága 250 [ cm 2 /Vs ]<br />

C0 ∗ Négyzetes kapacitás 3−10 [ fF/µm 2]<br />

W A csatorna szélessége 0,2−3 [µm]<br />

L A csatorna hosszúsága 0,1−0,5 [µm]<br />

A CMOS inverter teljesítményfelvétele. A CMOS logika egyik legfontosabb előnye az, hogy<br />

statikus állapotban (amikor a kimeneten fix logikai "1" vagy logikai "0" van) az inverter nem<br />

vesz fel áramot a telepből. vagyis nem vesz fel teljesítményt sem. Ebből nyilvánvaló, hogy a<br />

CMOS inverter, sőt a CMOS logikai család minden eleme csak dinamikusan terheli a telepet,<br />

vagyis teljesítményt csak a logikai állapotváltás alatt vesz fel.<br />

A dinamikus teljesítményfelvétel számításához tételezzük fel, hogy a CMOS invertert T idejű<br />

(f = 1/T frekvenciájú) periódikus jellel vezéreljük. Ekkor az inverter egy teljes periódus során<br />

kétszer tölti át a C t kondenzátort 0 ésU t feszültség között.<br />

A kimeneti "0"-"1" átmenet esetén a T 2 tranzisztor a C t kondenzátort az i D2 (t) árammal tölti<br />

azU t feszültségű telepről, ezért a tranziens során a telep éppen<br />

E T2 =<br />

∫ ∞<br />

0<br />

U t i D2 (t)dt (17.34)<br />

energiát ad le, amíg a C t kondenzátor u C (t) feszültsége 0-ról U t -re változik. Mivel a feltöltés<br />

fázisában<br />

du C (t)<br />

i D2 (t) = i C (t) = C t , (17.35)<br />

dt<br />

ezért a telepből felvett energia<br />

E T2 =<br />

∫ ∞<br />

0<br />

∫ ∞ ∫ ∞<br />

U t i C (t)dt = U t i C (t)dt = C t U t<br />

0<br />

0<br />

∫<br />

du C (t) Ut<br />

dt = C t U t du C = C t Ut 2 .<br />

dt 0<br />

(17.36)<br />

AzE T2 energia egy része az U t feszültségre feltöltöttC t kondenzátorban tárolódik, ami<br />

E C = 1 2 C tU 2 t , (17.37)<br />

az energia másik része<br />

E PMOS = 1 2 C tU 2 t (17.38)<br />

pedig a T 2 tranzisztoron disszipálódik (hővé alakul).<br />

A kimeneti "1"-"0" átmenet esetén a T 1 tranzisztor aC t kondenzátort azi D1 (t) árammal kisüti,<br />

a telep árama ezalatt nulla értékű. a telep éppen<br />

E T1 =<br />

∫ ∞<br />

0<br />

U t i D2 (t)dt = 0 (17.39)<br />

energiát ad le, amíg a C t kondenzátor u C (t) feszültsége U t -ről 0-ra változik. Mivel a kisütés<br />

fázisában<br />

du C (t)<br />

i D1 (t) = −i C (t) = −C t és u C (t) = u DS1 (t), (17.40)<br />

dt

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!