12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

58 3. AZ ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖK TULAJDONSÁGAINAK AZ ÖSSZEFOGLALÁSA<br />

Az elemi fizikai modell. Az elemi fizikai modell azt fejezi ki, hogy az elzáródás feletti tartományban<br />

a MOS FET árama csak a gate-source feszültségtől függ, és a gate-en nem folyik áram. A T-<br />

modell a 3.42., aΠ-modell a 3.43. ábrán látható.<br />

Bővített fizikai modell. A 3.44. ábrán látható bővített fizikai modellben a g ds a drain-áram<br />

feszültségfüggését modellezi az elzáródás feletti tartományban, a C gs és a C gd kapacitások pedig az<br />

eszköz frekvenciafüggését jellemzik. A két kapacitás a gate-csatorna kapacitásból származik.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!