Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

56 3. AZ ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖK TULAJDONSÁGAINAK AZ ÖSSZEFOGLALÁSA
S
[mS]
2.0
1.0
U P =-4V
-4.0 -3.0 -2.0 -1.0 0.0
u GS
[V]
3.40. ábra. A kiürítéses MOS FET meredeksége azu GS feszültség függvényében.
G on
[mS]
2.0
1.0
U P =-4V
-4.0 -3.0 -2.0 -1.0 0.0
u GS
[V]
3.41. ábra. A G on = 1/R on kimeneti vezetés feszültségfüggése.
ahol R on a MOS FET drain-source ellenállása. Ennek alapján megállapítható, hogy a MOS FET
vezérelhető ellenállásként is használható, mivel az R on a gate-source feszültség függvénye. A G on =
1/R on kimeneti vezetés feszültségfüggését a 3.41. ábrán adtuk meg (I DSS = 4mA, U P = −4V ).
Kisjelű paraméterek az elzáródási tartományban (u GD < U P ). Amint azt a bipoláris tranzisztor
esetében elmondtuk, az erősítő típusú működés leírásához szükség van arra, hogy ismerjük a MOS
FET viselkedését a munkapont szűk környezetében. Ez annyit jelent, hogy a karakterisztikák Taylorsorának
lineáris tagját figyelembe véve, meg kell határozni a tranzisztor kisjelű paraméterei közötti
kapcsolatot. Erre a célra szolgálnak a kisjelű helyettesítő képek, amelyek definíciójuk szerint lineáris
hálózatok. A MOS FET esetében ezek hasonlítanak a JFET kisjelű modelljeihez. A MOS FET tehát
szintén úgy viselkedik, mint egy végtelen β-jú bipoláris tranzisztor. A MOS FET transzfer karakterisztikájának
munkaponti deriváltja pedig a MOS FET meredeksége, ami átveszi a bipoláris tranzisztor
g m meredekségének a szerepét. Ennek alapján a kisjelű modellek egyszerűen felrajzolhatók.