12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

32 3. AZ ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖK TULAJDONSÁGAINAK AZ ÖSSZEFOGLALÁSA<br />

Fém<br />

Fém<br />

L<br />

U<br />

U<br />

Kiürített 1 2<br />

U D<br />

U<br />

réteg<br />

pn<br />

U<br />

csatlakozás<br />

csatlakozás<br />

n<br />

p I<br />

A<br />

3.6. ábra. A p-n átmenet működésének illusztrálása.<br />

kifejezéssel határozhatjuk meg. Az elektronok és lyukak mozgása ellentétes irányú, de a töltéseik<br />

ellentétes előjelűek, így az általuk létrehozott áram összeadódik.<br />

Ennek alapján egy szabad elektronokat és szabad lyukakat is tartalmazó félvezető tömb eredő<br />

vezetése (ellenállása):<br />

G = 1 R = (nµ n +pµ p )q A L . (3.10)<br />

A p-n átmenet tulajdonságai, a félvezető dióda működése<br />

A p-n átmenet működését a 3.6. ábrán illusztráljuk.<br />

Az ábrán egyL[m] hosszúságú ésA [ m 2] keresztmetszetű félvezető egykristály látható, amelynek<br />

egyik fele n, a másik fele p adagolású, azaz a tömb bal oldalán a szabad elektronok, jobb oldalán pedig<br />

a szabad lyukak vannak többségben. A tömb két végére azonos fémből készült érintkezők kapcsolódnak,<br />

amelyek a külső feszültség és áram hozzávezetését teszi lehetővé. A tömb most is elektromosan<br />

semleges, azaz az anyagban az elektronok és protonok száma azonos.<br />

Ha a tömbre nem kapcsolunk külső feszültséget (u = 0), akkor kétféle adagolású réteg határfelületén<br />

a következő fizikai hatások lépnek fel:<br />

• A szabad mozgásra képes többségi töltéshordozók (n oldalon az elektronok, p oldalon a lyukak)<br />

diffúzió útján átlépnek az ellentétes oldalra, aminek hatására a határfelület baloldalán pozitív a<br />

jobboldalán negatív tértöltés alakul ki (tértöltés azért, mert a szabad töltéshordozók távozásával<br />

helyükön fix helyzetű töltések maradnak). Ezt illusztrálják a határfelület két oldalán lévő körbe<br />

foglalt pozitív és negatív töltések. A szabad töltéshordozókat nem tartalmazó réteget kiürített<br />

rétegnek nevezzük. A kiürített rétegben található tértöltés nem képes mozgásra, éppen emiatt<br />

nevezzük tértöltésnek. A két oldalon a pozitív és negatív tértöltés nagysága (a töltött részecskék<br />

száma) természetesen megegyezik egymással, és hatásukra a két felület között u D feszültség<br />

(kontaktpotenciál vagy diffúziós feszültség) alakul ki. Ez a feszültség lényegében azonos egy<br />

kapacitás két lemeze között mérhető feszültséggel, ha a kapacitás lemezeire töltést viszünk fel.<br />

Éppen ezért az így kialakult kapacitást tértöltés kapacitásnak nevezzük. Az ábrán azt is érzékeltettük,<br />

hogy a kiürített réteg szélessége a két oldalon nem feltétlenül azonos, mivel az n és p<br />

oldalon a szabad töltések sűrűsége általában nem azonos. Az ábrán feltételeztük, hogy n > p,<br />

azaz az n oldalon a szabad elektronok sűrűsége nagyobb, mint a p oldalon a szabad lyukaké, így<br />

azonos számú töltött részecske az n oldalon kisebb térrészben található, mint a p oldalon.<br />

• Az adagolt félvezető tömb és a fémes érintkezők között szintén kontaktpotenciál alakul ki, ami<br />

azért jön létre, mert a fémben lévő elektronok (ott a szabad elektronok sűrűsége igen nagy,<br />

mivel a fém jó vezető) diffúzió útján átlépnek a félvezető tömbbe, és a fentiekhez hasonlóan

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!