12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

186 9. AZ ANALÓG INTEGRÁLT ÁRAMKÖRÖK ALAPELEMEI<br />

függvény írja le, és földelt emitteres kapcsolásban a bemeneti feszültség a tranzisztor u BE bázisemitter<br />

feszültsége, a kimeneti feszültség pedig az i C kollektorárammal arányos. Ezért a harmonikus<br />

torzítási tényező kiszámításához elegendő az i C = f (u BE ) karakterisztika deriváltjait előállítani az<br />

I C0 = f (U BE0 ) munkapontban, és az így megkapott együtthatókkal a torzítási tényezők meghatározhatók.<br />

Felhasználva, hogy<br />

d<br />

exp(x) = exp(x), (9.175)<br />

dx<br />

az<br />

és az<br />

eredményeket kapjuk, amiből<br />

és<br />

(<br />

UBE0<br />

I C0 = AI S0 exp<br />

S 1 = AI ( )<br />

S0 UBE0<br />

exp = I C0<br />

U T U T<br />

S 2 = 1 AI S0<br />

2! UT<br />

2 exp<br />

U T<br />

)<br />

, (9.176)<br />

( )<br />

UBE0<br />

= 1 I C0<br />

U T 2! UT<br />

2<br />

S 3 = 1 ( )<br />

AI S0 UBE0<br />

3! UT<br />

3 exp = 1 I C0<br />

U T 3! UT<br />

3<br />

U T<br />

, (9.177)<br />

(9.178)<br />

(9.179)<br />

∣ k 2 ≃<br />

1S 2 ∣∣∣<br />

∣ U be = 1 1 I C0<br />

2! UT<br />

2 U<br />

2S 1 2<br />

I C0 be = 1 U be<br />

, (9.180)<br />

4 U<br />

U T T<br />

∣ k 3 ≃<br />

1S 3 ∣∣∣<br />

∣ U be = 1 1 I C0<br />

3! UT<br />

3 U<br />

4S 1 4<br />

I C0 be 2 = 1 ( ) 2 Ube<br />

. (9.181)<br />

24 U<br />

U T T<br />

Ha például U be = 2,6 mV , akkor a k 2 = 1/40 = 2,5 % és k 3 = 1/2400 = 0,042 %, ha<br />

U be = 1mV , akkor ak 2 = 1/104 = 0,96%és k 3 = 1/16224 = 0,0062%.<br />

A bipoláris tranzisztoros differenciálerősítő harmonikus torzítási tényezője<br />

A korábbi fejezetekből tudjuk, hogy a bipoláris tranzisztoros differenciálerősítő transzfer karakterisztikáját<br />

az<br />

( ) ∆u<br />

(9.182)<br />

2U T<br />

AI 0<br />

i C1 −i C2 =<br />

1+exp<br />

(<br />

− ∆u<br />

U T<br />

) −<br />

AI 0<br />

) = AI 0 tanh<br />

1+exp(<br />

∆u<br />

U T<br />

függvény írja le, és a bemeneti feszültség a két tranzisztor bázisára adott feszültségek különbsége<br />

(∆u = u BE1 −u BE2 ), a kimeneti feszültség pedig az i C1 −i C2 kollektoráramok különbségével arányos.<br />

A differenciálerősítő szimmetriapontjában (ha∆u = u BE1 −u BE2 = 0) a két tranzisztor árama<br />

azonos, így a kimeneti áram zérus értékű. A harmonikus torzítási tényező kiszámításához elegendő az<br />

i C1 −i C2 = f (∆u) karakterisztika deriváltjait előállítani azI C01 −I C02 = f (0) = 0 munkapontban,<br />

és az így megkapott együtthatókkal a torzítási tényezők meghatározhatók.<br />

Felhasználva a<br />

d<br />

dx tanh(x) = 1−tanh2 x, (9.183)<br />

d 2<br />

dx 2 tanh(x) = tanh(x)( 2tanh 2 (x)−2 ) (9.184)

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!