12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

130 7. AZ ÁRAMKÖRÖK KISJELŰ PARAMÉTEREINEK A VIZSGÁLATA<br />

A 7.15. ábra áramkörében a tranzisztor elemi fizikai T-modelljét használtuk. A modell alapján<br />

megállapítható, hogy a véges bázisellenállás (1+β)-ad része a bázis-emitter dióda r d differenciális<br />

ellenállásával egyszerűen sorba kapcsolódik, tehát a tranzisztor úgy viselkedik, mintha a dióda differenciális<br />

ellenállása az<br />

r d ⇒ r d + R B<br />

(7.46)<br />

1+β<br />

kifejezésnek megfelelően megnövekedne. Ebből egyszerűen következik, hogy a véges bázisellenállással<br />

felépített földelt bázisú alapkapcsolás feszültségerősítése az<br />

bemeneti ellenállása pedig az<br />

A u = u ki<br />

= α R C ×R t<br />

u 1 r d + R 1×R 2<br />

, (7.47)<br />

1+β<br />

R be = r d + R 1 ×R 2<br />

1+β<br />

(7.48)<br />

kifejezéssel határozható meg. Az R 1×R 2<br />

1+β<br />

additív tag miatt, az alapkapcsolás erősítése a véges bázisellenállás<br />

hatására csökkenhet, a bemeneti ellenállás pedig növekedhet.<br />

Az alapkapcsolások kisjelű tulajdonságainak a részletesebb vizsgálata a 18.1 függelékben található.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!