Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

96 6. MUNKAPONTBEÁLLÍTÁS
i E
T 2 >T 1
T 2 T 1
∆U BE0 = ∆U ny
1
r d
I E0
M T2
M T1
u BE
0
U ny
U T
U BE0
6.2. ábra. A bipoláris tranzisztor transzfer karakterisztikájának hőmérsékletfüggése.
A bipoláris tranzisztor kollektorárama az
dU ny
dT ≃ dU BE0
| IE0 =konst. = −2 mV
dT C 0 . (6.20)
i C = Ai E +I CB0 (6.21)
kifejezéssel adható meg, aholAatranzisztor nagyjelű földelt bázisú áramerősítési tényezője,I CB0 pedig
a záróirányban előfeszített bázis-kollektor átmenet visszárama. A visszáram hőmérsékletfüggését
az
I CB0 (T 2 )
I CB0 (T 1 ) = exp(a(T 2 −T 1 )), a = (0,08−0,1) 1
C 0 (6.22)
egyenlet adja meg, amiből
AzB hőmérsékletfüggése pedig az
dI CB0
dT
= aI CB0 . (6.23)
egyenletből számítható, amiből
B(T 2 )
B(T 1 ) = exp(b(T 2 −T 1 )), b = (0,5−1)·10 −2 1
C 0 (6.24)
dB
dT
ahol B a tranzisztor nagyjelű földelt emitteres áramerősítési tényezője.
= bB, (6.25)
A FET-ek hőmérsékletfüggése