12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

20 2. AZ ERŐSÍTÉS FOGALMA ÉS MECHANIZMUSA<br />

és az<br />

I B0 = (1−A)I E0 (2.17)<br />

egyenlet pár teremt kapcsolatot, ahol A a tranzisztor egyenáramú földelt bázisú áramerősítési tényezője,<br />

és<br />

B = A<br />

1−A , illetve, A = B<br />

1+B , (2.18)<br />

ahol B a tranzisztor egyenáramú földelt emitteres áramerősítési tényezője.<br />

2. A vezérelt eszköz és a fogyasztó csatolása (munkapontbeállítás)<br />

A fogyasztó ellenállást a 2.9. ábra szerint a tranzisztor kollektorával sorba kapcsoljuk.<br />

A tranzisztor kollektorárama az R f fogyasztó ellenálláson éppen U F0 = R f I C0 feszültséget hoz<br />

létre, így a tranzisztor kollektor-bázis egyenfeszültsége egyszerűen meghatározható, miszerint<br />

U CB0 = U t −U F0 = U t −R f I C0 > 0, (2.19)<br />

aminek a tranzisztor normál aktív működéséhez mindenképpen pozitív értékűnek kell lenni. Fontos<br />

megjegyezni, hogy a tranzisztor működésének legfontosabb jellemzője, hogy munkaponti áramai (I E0 ,<br />

I C0 , I B0 ) lényegében csak a bázis-emitter diódára adott feszültségtől függenek, és mindaddig függetlenek<br />

a kollektor-bázis feszültségtől, amíg a fent bemutatott egyenlőtlenség teljesül, azaz a kollektorbázis<br />

dióda záró irányban van előfeszítve. Kapcsolásunkban legyen U t = 10V , I E0 ≃ I C0 = 1mA<br />

és R f = 2.6kΩ. Ekkor U CB0 = U t − U F0 = 10 − 2,6 = 7.4V. Mint korábban jeleztük, az R f<br />

ellenállás maximális értéke 10kΩ lehet, mivel ezen érték felett a tranzisztor bázis-kollektor diódája<br />

kinyit, a tranzisztor telítésbe kerül, és megszűnik a normál aktív működés.<br />

3. Az aktív eszköz vezérlése, kisjelű működés<br />

Az aktív eszköz vezérlésére szolgáló kisjelű feszültséggenerátort a 2.10. ábra szerint sorba kapcsoljuk<br />

a bázis-emitter dióda nyitóirányú előfeszítését biztosító egyenfeszültségű generátorral.<br />

Tételezzük fel, hogy a generátor feszültsége u g = U g cos(ωt), és a szinuszos jel amplitúdója<br />

U g = 1mV, így a tranzisztor eredő vezérlőfeszültségeu BE = U BE0 +u g . A tranzisztoron folyó áram<br />

ebben az esetben az<br />

( ) ( )<br />

UBE0 +u g ug<br />

i E = I E0 +i e = I S0 exp = I E0 exp<br />

(2.20)<br />

U T U T<br />

egyenlet segítségével határozható meg. A képletben kis betűvel és nagy indexszel az általános mennyiségeket,<br />

nagy betűvel és nagy indexszel a munkaponti paramétereket, kis betűvel és kis indexszel a kisjelű<br />

mennyiségeket és nagy betűvel és kis indexszel a szinuszos jelek amplitúdóját jelöljük. A képlet<br />

alapján megállapíthatjuk, hogy a tranzisztor kisjelű áramai e és a tranzisztor kisjelű vezérlőfeszültsége<br />

között nemlineáris függvény teremt kapcsolatot. Felírva az exponenciális függvény Taylor-sorát az<br />

i E = I E0 +i e = I E0<br />

(<br />

1+ u g<br />

+ 1 ( ) 2 ug<br />

+ 1 U T 2! U T 3!<br />

( ) 3 ug<br />

+...+ 1 ( ) n ug<br />

+...<br />

U T n! U T<br />

)<br />

(2.21)<br />

egyenlethez jutunk, amiből<br />

(<br />

u g<br />

i e = I E0 + 1 ( ) 2 ug<br />

+ 1 ( ) 3 ug<br />

+...+ 1 ( ) ) n ug u g<br />

+... ≃ I E0 , (2.22)<br />

U T 2! U T 3! U T n! U T U T<br />

ha csak a Taylor-sor első tagját, a lineáris komponenst vesszük figyelembe. Jól látható, hogy az emitteráram<br />

kisjelű összetevőjét az<br />

i e = I E0<br />

U T<br />

u g = u g<br />

r d<br />

(2.23)

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!