12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

34 3. AZ ELEKTRONIKUS ESZKÖZÖK TULAJDONSÁGAINAK AZ ÖSSZEFOGLALÁSA<br />

n(0)<br />

n(x) Az egységnyi térfogatra jutó szabad<br />

elektronok száma<br />

L n<br />

n p<br />

0 x<br />

A dióda “bázisának” a szélessége<br />

A kiürített réteg<br />

“p” oldali széle<br />

A “p” oldali fémes<br />

csatlakozás<br />

3.7. ábra. Az elektronok sűrűsége a p oldalon széles bázisú dióda esetén.<br />

a p oldalon a diffúzió hatására meg tud tenni rekombináció nélkül, az elektron L n [m] szabad<br />

úthosszának nevezzük. Az elektronok által szállított diffúziós áram az<br />

i = −qAD n<br />

dn(x)<br />

dx<br />

(3.16)<br />

kifejezéssel határozható meg, ahol D n<br />

[<br />

m 2 /s ] az elektronok diffúziós állandója, A [ m 2] a<br />

tömb keresztmetszete,q [As] az elektron töltése,n(x) [ 1/m 3] pedig az elektronok sűrűségének<br />

függése a helykoordinátától. Hasonlóan azt az átlagos hosszúságot, amit egy lyuk az n oldalon<br />

a diffúzió hatására meg tud tenni rekombináció nélkül, a lyuk L p [m] szabad úthosszának<br />

nevezzük. A lyukak által szállított diffúziós áram az<br />

i = qAD p<br />

dp(x)<br />

dx<br />

(3.17)<br />

kifejezéssel határozható meg, ahol D p<br />

[<br />

m 2 /s ] a lyukak diffúziós állandója, A [ m 2] a tömb<br />

keresztmetszete, q [As] az elektron töltése, p(x) [ 1/m 3] pedig a lyukak sűrűségének függése a<br />

helykoordinátától.<br />

Ha egy elektron és egy lyuk egyesül egymással, akkor az áramot az adott oldal többségi töltéshordozói<br />

ohmos vezetéssel szállítják tovább. Ezt a folyamatot illusztrálja a 3.7. és 3.8. ábra a p<br />

oldalra kerülő elektronok esetében.<br />

Megjegyzendő, hogy a p oldalon diffúzióval terjedő elektronok sűrűsége a p oldali fémes kontaktusnál<br />

gyakorlatilag nullára csökken, mivel a fémes kontaktus az elektronokat "elnyeli".<br />

• A 3.7. ábrán az úgynevezett "széles" bázisú dióda esetét ábrázoltuk, ami annyit jelent, hogy a<br />

p oldalon a kiürített réteg széle és a fémes érintkező közötti távolság az elektronok szabad úthosszának<br />

többszöröse. Ilyenkor az x tengely mentén előrehaladva az elektronok folyamatosan<br />

rekombinálódnak, és sűrűségük a fémes érintkező előtt lecsökken egészen az n p értékig, ami a<br />

p oldalon a szabad elektronok sűrűsége termikus egyensúly esetén. Az áramot a kiürített réteg<br />

közelében az elektronok diffúzióval szállítják, azxtengely mentén előrehaladva az áram szállítását<br />

ohmos vezetéssel a többségi töltéshordozó lyukak veszik át. Az elektronok által szállított<br />

áram tehát mindenxhelyen az<br />

dn(x)<br />

i = −qAD n (3.18)<br />

dx<br />

egyenlet segítségével határozható meg, ami x növelésével folyamatosan csökken, de az áram<br />

értéke a teljes tömbben minden helyen azonos, csak az áram többi részét a p oldalon többségben<br />

lévő lyukak szállítják.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!