Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

416 18. FÜGGELÉK
+U t
R
u ki
u be
I E0
-U t
18.15. ábra. Az aszimmetrikus bipoláris tranzisztoros alapelrendezés kapcsolási rajza.
összefüggést kapjuk, ahol r ds10 és S 10 a T 10 tranzisztor drain-source ellenállása és meredeksége,r
ds6 ésr ds8 a T 6 és T 8 tranzisztor drain-source ellenállása.
Ennek alapján az eredő terhelő ellenállás értéke
R ter = R ki1 ×R ki2 = (r ds12 +r ds14 (1+S 12 r ds12 ))×
×(r ds10 +(r ds6 ×r ds8 )(1+S 10 r ds10 )). (18.90)
Erősítő fokozat.
Az erősítő fokozatnak a következő feladatokat kell megoldani:
– Aszimmetrizálás, ha a bemeneti fokozat kimenete szimmetrikus,
– Nagy erősítés és szintáttevés,
– A frekvenciamenet alakítása.
– A végfokozat meghajtása.
Az alábbiakban az erősítő fokozatok néhány lehetséges változatát adjuk meg:
Aszimmetrikus és szimmetrikus bipoláris tranzisztoros alapelrendezés (földelt emitteres
fokozat, differenciálerősítő). Az aszimmetrikus bipoláris tranzisztoros alapelrendezés kapcsolási
rajza a 18.15., a szimmetrikus pedig a 18.16. ábrán látható.
Az aszimmetrikus elrendezés legfontosabb paraméterei az alábbiak:
– A feszültségerősítés a tranzisztor kollektorára kapcsolt R eredő terhelőellenállás esetén:
– A bemeneti ellenállás:
A = u ki
u be
= −α R r d
, r d = U T
I E0
, (18.91)
R be = (1+β)r d , (18.92)