12.01.2014 Views

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

Dr. Pap László jegyzete - BME Hálózati Rendszerek és ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

3.1. A FÉLVEZETŐ ESZKÖZÖK MŰKÖDÉSÉNEK FIZIKAI ALAPJAI 29<br />

L<br />

Semleges tiszta tömb<br />

igen kevés szabad töltés<br />

Spontán generált töltéspárok<br />

U<br />

I<br />

A<br />

3.3. ábra. Egy elektromosan semleges tiszta félvezető tömb.<br />

kifejezés alapján a tömb G vezetése (R ellenállása) a<br />

G = 1 R = nqµ A<br />

n<br />

L<br />

[ 1 m 2<br />

m 3Asm2 Vs m = A V = 1 ]<br />

Ω<br />

(3.6)<br />

kifejezéssel adható meg.<br />

Ha n, a szabadon mozgó töltések sűrűsége nagy, akkor a tömb jó vezető, ha kicsi, akkor a tömb<br />

lényegében szigetelőként viselkedik.<br />

Ohmos vezetés tiszta félvezetők esetén<br />

Egy elektromosan semleges tiszta félvezető tömb ohmos vezetését a 3.3. ábrán illusztráljuk.<br />

Az ábrán egy L [m] hosszúságú és A [ m 2] keresztmetszetű tiszta félvezető (például szilícium)<br />

egykristály tömb látható, amely elektromosan semleges. Az elektromos semlegesség itt is annyit jelent,<br />

hogy az anyagban az elektronok és protonok száma azonos. A protonok az anyagot alkotó atomok<br />

magjában helyezkednek el, ezért mozgásra képtelenek, és alaphelyzetben (elvileg 0 [ K 0] hőmérsékleten)<br />

az elektronok is mozgásra képtelenek, mivel mindannyian részt vesznek a félvezető kristályra<br />

jellemző kémiai kötésekben. Magasabb hőmérsékleten a hőmozgás hatására az elektronok közül igen<br />

kevés "kiszabadul" a kristályszerkezetből, és elektromos erőtérben szabadon képes mozogni, ugyanakkor<br />

a kilépő elektron helyén elektronhiány (lyuk) keletkezik, és ez a lyuk úgy viselkedik, mint egy<br />

q töltésű pozitív részecske, ami szintén mozogni tud az elektromos erőtér hatására (az ábrán ezt szimbolizálja<br />

az azonos számú szabadon lévő pozitív és negatív töltés jelképe). Ezek a szabad elektronok<br />

és lyukak azok, amelyek magasabb energiájú állapotban vannak (az úgynevezett vezetési sávban tartózkodnak).<br />

Az elektronok és lyukak mozgékonysága egyébként különböző, tipikusan µ n = 0,13<br />

[<br />

m 2 /Vs ] ,µ p = 0,045 [ m 2 /Vs ] .<br />

Ha egy szabad elektron egy lyukkal találkozik, akkor az elektron belép a kristályszerkezetbe, és<br />

a szabad elektron-lyuk pár eltűnik. Ezt a jelenséget rekombinációnak nevezzük. Mindez azt jelenti,<br />

hogy egy tiszta félvezető egykristályban állandósult állapotban egységnyi idő alatt a hőmozgás hatására<br />

éppen annyi szabad elektron-lyuk pár keletkezik, mint amennyi ugyanannyi idő alatt rekombinálódik.<br />

A tiszta félvezető tömbben a szabadon mozgó elektronok és lyukak száma mindig azonos, számuk<br />

csak az abszolút hőmérséklettől függ, és általában igen kicsi, így a tiszta félvezető tömb ellenállása<br />

igen nagy, gyakorlatilag közel esik a szigetelő anyagokéhoz.<br />

Ohmos vezetés n típusú adagolt (szennyezett) félvezetők esetén<br />

Az n típusú adagolt (szennyezett) félvezető tömb ohmos vezetését a 3.4. ábrán illusztráljuk.<br />

Az ábrán egyL[m] hosszúságú ésA [ m 2] keresztmetszetű n típusú adagolt (szennyezett) félvezető<br />

egykristály tömb látható, amely elektromosan semleges. Az elektromos semlegesség most is annyit

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!