Bulletin 2010/15 - European Patent Office
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(G11B) II.1(1)<br />
LEMMA, Aweke, N., NL-5656 AA Eindhoven,<br />
NL<br />
(74) Groenendaal, Antonius W. M., Philips Intellectual<br />
Property & Standards P.O. Box 220,<br />
5600 AE Eindhoven, NL<br />
G11B 27/10 → (51) G11B 19/12<br />
G11B 27/30 → (51) G11B 19/12<br />
G11B 33/14 → (51) G11B 7/085<br />
(51) G11C 5/06 (11) 1 420 408 B1<br />
G11C 16/30 G11C 11/16<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 03256958.4 (22) 04.11.2003<br />
(84) DE FR GB IT<br />
(43) 19.05.2004<br />
(30) 06.11.2002 JP 2002323064<br />
(54) • Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung<br />
• Nonvolatile semiconductor storage apparatus<br />
• Dispositif de mémoire non-volatile à semiconducteurs<br />
(73) Sharp Kabushiki Kaisha, 22-22 Nagaike-cho<br />
Abeno-ku, Osaka 545-8522, JP<br />
(72) Matsuoka, Nobuaki, Tenri-shi Nara 632-<br />
0004, JP<br />
(74) Brown, Kenneth Richard, et al, R.G.C.<br />
Jenkins & Co 26 Caxton Street, London<br />
SW1H 0RJ, GB<br />
G11C 11/16 → (51) G11C 5/06<br />
(51) G11C 11/406 (11) 1 020 867 B1<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 99660193.6 (22) 22.12.1999<br />
(84) DE FR GB NL<br />
(43) 19.07.2000<br />
(30) 11.01.1999 FI 990038<br />
(54) • Verfahren zum Auffrischen eines dynamischen<br />
Speichers<br />
• Method for refreshing a dynamic memory<br />
• Méthode de rafraîchissement d'une<br />
mémoire dynamique<br />
(73) Nokia Corporation, Keilalahdentie 4, 02<strong>15</strong>0<br />
Espoo, FI<br />
(72) Floman, Matti, 33720 Tampere, FI<br />
Aho, Ari, 33720 Tampere, FI<br />
Lipponen, Markku, 33720 Tampere, FI<br />
Siltanen, Mikko, 33720 Tampere, FI<br />
(74) Pursiainen, Timo Pekka, Tampereen <strong>Patent</strong>titoimisto<br />
Oy Hermiankatu 1 B, 33720<br />
Tampere, FI<br />
(51) G11C 16/10 (11) 1 326 257 B1<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 02252805.3 (22) 22.04.2002<br />
(84) DE FR GB<br />
(43) 09.07.2003<br />
(30) 21.12.2001 US 29666<br />
(54) • Pipeline-programmierung für einen NANDtyp<br />
Flash-Speicher<br />
• Pipelined programming for a NAND type<br />
flash memory<br />
• Programmation du type pipeline pour une<br />
mémoire flash de type NON-ET<br />
(73) Fujitsu Microelectronics Limited, 7-1, Nishi-<br />
Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 163-<br />
0722, JP<br />
(72) Yano, Masaru, Kodaira, Tokyo 187-0032, JP<br />
(74) Hitching, Peter Matthew, et al, Haseltine Lake<br />
LLP Lincoln House, 5th Floor 300 High<br />
Holborn, London WC1V 7JH, GB<br />
G11C 16/10 → (51) G06F 9/445<br />
G11C 16/30 → (51) G11C 5/06<br />
Europäisches <strong>Patent</strong>blatt<br />
<strong>European</strong> <strong>Patent</strong> <strong>Bulletin</strong><br />
<strong>Bulletin</strong> européen des brevets<br />
G11C 29/00 → (51) G06F 9/445<br />
(51) G21B 1/05 (11) 1 356 717 B1<br />
H05H 1/12<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 027135<strong>15</strong>.1 (22) 01.02.2002<br />
(84) AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI<br />
LU MC NL PT SE TR<br />
LT RO SI<br />
(43) 29.10.2003<br />
(86) US 2002/002854 01.02.2002<br />
(87) WO 2002/062112 2002/32 08.08.2002<br />
(30) 01.02.2001 US 266074 P<br />
08.06.2001 US 297086 P<br />
31.01.2002 US 66424<br />
(54) • MAGNETISCHE UND ELEKTROSTATISCHE<br />
PLASMABEGRENZUNG IN EINER ANORD-<br />
NUNG MIT UMGEKEHRTEM FELD<br />
• MAGNETIC AND ELECTROSTATIC CON-<br />
FINEMENT OF PLASMA IN A FIELD<br />
REVERSED CONFIGURATION<br />
• CONFINEMENT MAGNETIQUE ET ELEC-<br />
TROSTATIQUE DE PLASMA DANS UNE<br />
CONFIGURATION A CHAMP INVERSE<br />
(73) The Regents of The University of California,<br />
1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA<br />
94607, US<br />
(72) ROSTOKER, Norman, Irvine, CA 92612, US<br />
BINDERBAUER, Michl, Ladera Ranch, California<br />
92694, US<br />
QERUSHI, Artan, Irvine, CA 92604, US<br />
TAHSIRI, Hooshang, Irvine, CA 92612, US<br />
GARATE, Eusebio, Irvine, California 92612,<br />
US<br />
BYSTRITSKII, Vitaly, Irvine, California<br />
92612, US<br />
(74) Moore, Barry, et al, Hanna Moore & Curley<br />
13 Lower Lad Lane, Dublin 2, IE<br />
(60) 10<strong>15</strong>5296.6<br />
10<strong>15</strong>5306.3<br />
(51) G21K 1/06 (11) 1 354 325 B1<br />
(25) De (26) De<br />
(21) 02722029.2 (22) 23.01.2002<br />
(84) DE NL<br />
(43) 22.10.2003<br />
(86) EP 2002/000608 23.01.2002<br />
(87) WO 2002/065482 2002/34 22.08.2002<br />
(30) 23.01.2001 DE 10102934<br />
06.06.2001 DE 10127298<br />
10.08.2001 DE 10138313<br />
(54) • KOLLEKTOR MIT UNGENUTZTEM<br />
BEREICH FÜR BELEUCHTUNGSSYSTEME<br />
MIT EINER WELLENLÄNGE KLEINER<br />
ODER GLEICH 193 nm.<br />
• COLLECTOR WITH AN UNUSED AREA FOR<br />
LIGHTING SYSTEMS HAVING A WAVE-<br />
LENGTH INFERIOR OR EQUAL OF 193 NM<br />
• COLLECTEUR PRESENTANT UNE ZONE<br />
INUTILISEE, DESTINE A DES SYSTEMES<br />
D'ECLAIRAGE DE LONGUEUR D'ONDE<br />
INFERIEUR OU EGAL A 193 NM.<br />
(73) Carl Zeiss SMT AG, Rudolf-Eber-Strasse 2,<br />
73447 Oberkochen, DE<br />
(72) SINGER, Wolfgang, 73431 Aalen, DE<br />
EGLE, Wilhelm, 73432 Aalen, DE<br />
WEISS, Markus, 73430 Aalen, DE<br />
HAINZ, Joachim, 73430 Aalen, DE<br />
WIETZORREK, Jochen, 73430 Aalen, DE<br />
MELZER, Frank, 73469 Utzmemmingen, DE<br />
WANGLER, Johannes, 89551 Königsbronn,<br />
DE<br />
(74) Sawodny, Michael-Wolfgang, Adolf - Lüken -<br />
Höflich - Sawodny Dreiköniggasse 10, 89073<br />
Ulm, DE<br />
H01B 1/12 → (51) H01M 8/10<br />
642<br />
<strong>Patent</strong>e<br />
<strong>Patent</strong>s<br />
Brevets (<strong>15</strong>/<strong>2010</strong>) 14.04.<strong>2010</strong><br />
(51) H01F 1/00 (11) 1 559 118 B1<br />
H01F 1/44 C01G 49/06<br />
G11B 5/706<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 03758397.8 (22) 23.10.2003<br />
(84) CH FR GB LI<br />
(43) 03.08.2005<br />
(86) IB 2003/004689 23.10.2003<br />
(87) WO 2004/040593 2004/20 13.05.2004<br />
(30) 30.10.2002 IN DE10942002<br />
(54) • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON<br />
NADELFÖRMIGEN NANOPARTIKELN AUS<br />
MAGNETISCHEM EISENOXID IN MAGHE-<br />
MITPHASE<br />
• PROCESS FOR PREPARING NANOSIZED<br />
ACICULAR MAGNETIC MAGHEMITE<br />
PHASE IRON OXIDE PARTICLES<br />
• PROCEDE DE PREPARATION DE PARTI-<br />
CULES D'OXYDE DE FER MAGNETIQUES,<br />
ACICULAIRES ET DE TAILLE NANOME-<br />
TRIQUE DE PHASE MAGHEMITE<br />
(73) Council of Scientific and Industrial Research,<br />
Rafi Marg, New Delhi 100 001, IN<br />
(72) SINHA, Arvind, 831 007 Jharkhand, IN<br />
CHAKRABORTY, Jui, 831 007 Jharkhand, IN<br />
RAO, Venkatesh, 831 007 Jharkhand, IN<br />
(74) Curtis, Philip Anthony, et al, A.A. Thornton &<br />
Co. 235 High Holborn, London WC1V 7LE,<br />
GB<br />
H01F 1/44 → (51) H01F 1/00<br />
H01F 17/06 → (51) H01F 41/02<br />
(51) H01F 38/14 (11) 1 254 465 B1<br />
(25) Fr (26) Fr<br />
(21) 01904051.8 (22) 05.02.2001<br />
(84) AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI<br />
LU MC NL PT SE TR<br />
LV RO SI<br />
(43) 06.11.2002<br />
(86) FR 2001/000335 05.02.2001<br />
(87) WO 2001/057891 2001/32 09.08.2001<br />
(30) 07.02.2000 FR 000<strong>15</strong>58<br />
(54) • UNTERBRECHUNGSSICHERUNGSVOR-<br />
RICHTUNG ZUR KOPPLUNG MIT GALVA-<br />
NISCHER TRENNUNG<br />
• COUPLING DEVICE WITH GALVANIC<br />
INSULATION ENSURING VISUALLY DIS-<br />
PLAYED SWITCHING OFF<br />
• DISPOSITIF POUR LE COUPLAGE, AVEC<br />
ISOLATION GALVANIQUE, DE TYPE "A<br />
COUPURE CERTAINE"<br />
(73) Edelcom, 37, rue de Lyon, 75012 Paris, FR<br />
(72) Duranton, René, 03500 Contigny, FR<br />
(74) Potdevin, Emmanuel Eric, et al, Cabinet<br />
Lhermet la Bigne & Remy 11 boulevard de<br />
Sébastopol, 75001 Paris, FR<br />
(51) H01F 41/02 (11) 1 282 143 B1<br />
H01F 17/06<br />
(25) En (26) En<br />
(21) 02400036.6 (22) 29.07.2002<br />
(84) DE GB<br />
(43) 05.02.2003<br />
(30) 01.08.2001 JP 2001233559<br />
(54) • Herstellungsverfahren eines Magnetkörpers,<br />
Magnetkörper und Leiterplatte<br />
• Forming method of magnetic body, magnetic<br />
body, and printed circuit board<br />
• Méthode pour former un élément magnétique,<br />
élément magnétique et circuit<br />
imprimé<br />
(73) Kitagawa Industries Co., Ltd., 24-<strong>15</strong>,<br />
Chiyoda 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi,<br />
Aichi-ken 460-0012, JP<br />
(72) Kawai, Hideharu c/o Kitagawa Industries Co.,<br />
Ltd., Nagoya-shi, Aichi-ken 460-0012, JP
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