Plenarvorträge - DPG-Tagungen

Halbleiterphysik Donnerstag
found to cover more than two orders of magnitude. These quantitative results
will be discussed with respect to chemical and structural properties
of both the semiconductors and the peptide. Measuring the phase-lag signal
of the probing tip offers further insight into the size-dependent cluster
properties on the surface. The dependence of the attachment result on
the peptide concentration in solution and the surface washing process
will also be presented.
HL 44.42 Do 16:30 Poster A
INVESTIGATIONS OF 3C-SiC GROWTH ON Si (001) —
•Mohamed Torche 1 , Klaus Mueller 1 , Karsten Henkel 1 ,
Grzegorz Lupina 1 , Andrey Goryako 1 , Jürgen Wollweber 2 ,
and Dieter Schmeisser 1 — 1 BTU Cottbus, Angewandte Physik-
Sensorik, 03013 Cottbus, P.O.Box 101344, Germany — 2 Institut für
Kristallzüchtung, Adlershof, Berlin
Carbide was grown on Si (001) - substrates with supply of C2H2. Investigation
of the interface Si/SiC (buffer layer) is essential for optimized
preparation conditions, leading to a high quality of the growing SiC crystal.
In addition to the lattice mismatch of 20 per cent between Si and
SiC, which causes defects like dislocations or stacking faults, the chemical
homogeneity of this layer is important. XPS was used to characterize the
first state of SiC crystal growth on the Si substrate. Carbonizing with
C2H2 leads to surface reactions which build up the buffer layer. By using
electron spectroscopy, it was possible to characterize the SiC/Si (001)
buffer layer, depending on the following reaction parameters: Tsubstrate
, PC2H2 , PH2 , the ratio of pressures and the reaction time. The measurements
were performed in terms of the content of carbide, oxide and
roughness/etching-efficiency (Profilometer) for the reaction parameters
above. We found, that the most critical parameter is the temperature of
the substrate (Tsubstrate).
HL 44.43 Do 16:30 Poster A
Elektronische Eigenschaften schneller Phasenwechsellegierungen
— •Henning Dieker, Iris Klöcker, Wojciech We̷lnic, Daniel
Severin und Matthias Wuttig — I. Physikalisches Institut 1a,
RWTH-Aachen
Chalkogenidlegierungsschichten, die Anwendung in wiederbeschreibbaren
optischen Datenspeichern wie CD-RW oder DVD±RW finden, zeigen
neben einem starken optischen Kontrast zwischen der kristallinen
und der amorphen Phase einen noch ausgeprägteren Unterschied der
Widerstände der beiden Phasen. Daher sind diese Legierungen die Kandidaten
für künftige nicht flüchtige elektronische Speicher auf resistiver
Basis, die sogenannte OUM/Phase-Change RAM Technologie. Die geeigneten
Legierungen fallen alle in den Bereich der IV-VI Halbleiter. Unsere
Bandstrukturrechnungen auf Basis der Dichtefunktionaltheorie zeigen
dabei systematische Trends in Abhängigkeit der Stöchiometrie auf. Parallel
dazu wird die Stöchiometrieabhängigkeit durch Messung der optischen
Bandlücke, der Aktivierungsbarriere für den elektronischen Transport
sowie der Photolumineszenz an amorphen und kristallinen Schichten
bestätigt. Dieses systematische Verständnis ermöglicht die Auswahl der
optimalen Legierung für die jeweilige Anwendung.
HL 44.44 Do 16:30 Poster A
Elektrische Eigenschaften von Gold in plastisch verformten Silizium
— •Oliver Voß 1 , Vitaly Kveder 2 , Wolfgang Schröter 1 ,
Karsten Thiel 1 und Michael Seibt 1 — 1 IV. Physikalisches Institut
der Universität Göttingen, Tammannstr. 1, 37077 Göttingen — 2 Institute
of Solid State Physics, Russian Academy of Science, Chernogolovka,
142432 Moscow reg., Russland
Unter Ausnutzung der Diffusionseigenschaften von Gold in plastisch
verformtem Silizium konnten unterschiedlich stark golddotierte Bereiche
einer n-Siliziumprobe mittels DLTS untersucht werden. Neben den
wohlbekannten Maxima des DLTS-Spektrums von versetzungshaltigem
Silizium zeigte das Spektrum mit höherer Goldkonzentration ein Maximum,
das bei geringerer Konzentration nicht aufgelöst werden konnte.
Die Punktdefekteigenschaften dieses Maximums sind vergleichbar denen
des Gold-Akzeptorniveaus. Außerdem zeigt es das Verhalten eines Punktdefektes
mit Einfangbarriere.
HL 44.45 Do 16:30 Poster A
Effect of the magnetic field on tunnel ionization of deep impurities
by terahertz radiation — •Sergey N. Danilov, S.D.
Ganichev, J. Zimmermann, and W. Prettl — Institut für Experimentelle
und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg
A suppression of tunnelling ionization of deep impurities in terahertz
frequency electric fields by an external magnetic field is observed. It is
shown that the ionization probability at external magnetic field, B, oriented
perpendicular to the electric field of terahertz radiation, E, is substantially
smaller than that at B � E. The effect occurs at low temperatures
and high magnetic fields demonstrating, that the tunnelling carrier
has a semiclassical trajectory below the tunnelling barrier being affected
by the Lorentz force.
HL 44.46 Do 16:30 Poster A
Experimentelle Bestimmung der Rashba- und Dresselhaus-
Beiträge zur Spin-Bahn-Wechselwirkung — •Petra Schneider
1 , S. D. Ganichev 1 , V. V. Bel’kov 2 , S. Giglberger 1 , E.
L. Ivchenko 2 , L. E. Golub 2 , W. Wegscheider 1 , D. Weiss 1
und W. Prettl 1 — 1 Institut für Experimentelle und Angewandte
Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — 2 A. F. Ioffe
Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russland
Es wird die experimentelle Bestimmung des relativen Verhältnisses
der Rashba- und Dresselhaus-Terme, durch welche die Spin-Bahn-
Wechselwirkung in Halbleiter Quantentrogstrukturen beschrieben wird,
an n-leitenden InAs Quantentrögen präsentiert. Eine neue Messtechnik
soll dargestellt werden, die sich die Winkelabhängigkeit des spingalvanischen
Effekts und des zirkular photogalvanischen Effekts zunutze
macht. Das Verhältnis der Rashba- und Dresselhaus-Koeffizienten kann
direkt anhand des Experiments bestimmt werden und bedarf keinerlei
durch die Theorie berechneten Größen. Aufgrunddessen eröffnen unsere
Experimente einen neuen Weg, die verschiedenen Beiträge zur Spin-
Bahn-Wechselwirkung auf einfache Art und Weise zu bestimmen.
HL 44.47 Do 16:30 Poster A
Magnetotransport in doped GaAsN and GaInNAs layers — •J.
Teubert, P.J. Klar, W. Heimbrodt, K. Volz, and W. Stolz —
FB Physik und WZMW, Philipps-Universität, Marburg
Incorporation of small amounts of nitrogen into GaAs and GaInAs
results in large changes of the electronic properties of these materials.
Whereas the optical properties are already extensively studied, there is
only little knowledge about the effects of nitrogen incorporation onto the
electronic transport behaviour of these III-V alloys. Magnetoresistance
(MR) and Hall measurements at temperatures between 2 and 280K and
fields up to 10T show large negative MR effects and anomalous Hall
effects for n-type samples whereas p-type samples behave like conventional
III-V alloys. This can be explained qualitatively with the energetic
and spatial disorder induced by N in the conduction band. We present
first magnetotransport measurements under hydrostatic pressure up to
20kbar for n-type GaNAs samples with low N concentrations. In these
samples applying hydrostatic pressure allows one to tune the energetic
positions of the localized N-cluster states with respect to the conduction
band edge. The effects on the transport properties are discussed.
HL 44.48 Do 16:30 Poster A
Monolithisch Integrierte Module als Konzentrator-Solarzellen
— •Rüdiger Löckenhoff 1 , Sascha van Riesen 1,2 und Andreas
Bett 1 — 1 Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE, Heidenhofstr.
2, 79110 Freiburg i. Br. — 2 Freiburger Materialforschungszentrum,
Stefan-Meier-Straße 21, D79104 Freiburg i. Br.
Hocheffiziente GaAs-Solarzellen sind im allgemeinen zu teuer für die
Stromerzeugung auf der Erde. Sie können allerdings mit Silizium konkurrieren,
wenn sie unter konzentriertem Sonnenlicht betrieben werden.
Günstige Hohlspiegel oder Linsen ersetzen dann teure Zellfläche.
Wird aber das Licht eines großen Parabolspiegels auf eine einzige
Zelle konzentriert, lassen sich die entstehenden großen Ströme nicht
mehr abführen. Dieses Problem lässt sich durch die serielle Verschaltung
schmaler Einzelsegmente zu einem ” Monolithisch Integrierten Modul“
(MIM) auf einem gemeinsamen semi-isolierenden Substrat lösen.
Bei vervielfachter Spannung wird der Strom dann von der Fläche eines
Segments bestimmt.
Am Fraunhofer ISE wurden MIMs mit Wirkungsgraden bis über 20%
bei 10V Spannung hergestellt. Erste MIMs auf der Basis von noch effizienteren
Tandem-Zellen wurden realisiert. Ziel sind hohe Wirkungsgrade
bei einer Konzentration von 1000 Sonnen und letztendlich ein Feldversuch.
Das Funktionsprinzip und die Herstellungstechnologie der MIMs sowie
die auf MIMs angepassten Charakterisierungsverfahren sollen auf diesem
Poster vorgestellt werden.