Plenarvorträge - DPG-Tagungen
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Tiefe Temperaturen Dienstag<br />
TT 11.9 Di 11:30 H19<br />
Inelastic quantum transport through a mesoscopic region —<br />
•Dmitri Ryndyk — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg,<br />
93040 Regensburg<br />
We consider quantum transport through a (nonequilibrium) mesoscopic<br />
region at finite voltage with inelastic scattering inside a region. In<br />
this case the standard Landauer-Buttiker approach can not be used anymore.<br />
We use the Nonequilibrium Green Function method and develop<br />
quasi-classical kinetic theory. We show that, due to a nonequilibrium distribution<br />
function in the mesoscopic region, inelastic scattering rate is a<br />
function of voltage and can be significantly enhanced. This effect can be<br />
used for investigation of an inelastic scattering at low energies, e.g. in the<br />
resonant tunneling devices.<br />
TT 11.10 Di 11:45 H19<br />
Evidence for fractional quasiparticles in the persistent current<br />
in clean one-dimensional rings — •Janine Splettstoesser 1 , Ulrich<br />
Zülicke 2 , and Michele Governale 1 — 1 Scuola Normale Superiore,<br />
Piazza dei Cavalieri 7, I - 56126 Pisa, Italy — 2 Institute of Fundamental<br />
Sciences, Massey University, Private Bag 11 222, Palmerston<br />
North, New Zealand<br />
The presence of electron-electron interaction affects the persistent currents<br />
flowing in mesoscopic rings threaded by a magnetic flux. We study<br />
an interacting one-dimensional clean ring. It is known that the groundstate<br />
of such a one-dimensional conductor is a Luttinger liquid. We derive<br />
the zero-mode Hamiltonian for the system, and subsequently the average<br />
value of the persistent current. In particular, we find that the persistent<br />
current has a universal form as a function of T/T ∗ , Φ/Φ ∗ , where both<br />
the temperature scale T ∗ and the flux period Φ ∗ are renormalized by the<br />
interaction strength. Certain formal analogies with the noninteracting<br />
case suggest that the interaction-dependent flux period can be seen as a<br />
manifestation of electron fractionalization in a Luttinger liquid [1].<br />
[1] K. V. Pham, M. Gabay, and P. Lederer, Phys. Rev. B 61, 16397<br />
(2000).<br />
TT 11.11 Di 12:00 H19<br />
Interaction-induced damping of Aharonov-Bohm oscillations —<br />
•Thomas Ludwig 1,2 and Alexander Mirlin 1,2 — 1 Institut für Nanotechnologie,<br />
Forschungszentrum Karlsruhe, 76021 Karlsruhe, Germany<br />
— 2 Institut für Theorie der Kondensierten Materie, Universität Karlsruhe,<br />
76128 Karlsruhe, Germany<br />
We study the amplitudes of mesoscopic Aharonov-Bohm oscillations<br />
in diffusive metallic rings in the presence of electron-electron interaction.<br />
In the limit of strong dephasing we derive an analytical expression for<br />
the damping of the oscillations. The dephasing behaviour is qualitatively<br />
different from other situations because although Lϕ is much shorter than<br />
the system size the dephasing mechanism is governed by energy transfers<br />
determined by the system size.<br />
TT 11.12 Di 12:15 H19<br />
Schwache Lokalisierung und erhöhte Elektron-Elektron Wechselwirkung<br />
in nanostrukturierten magnetischen Leiterbahnen<br />
— •Mario Brands, Axel Carl und Günter Dumpich — Experimentalphysik,<br />
AG Farle, Institut für Physik, Fakultät IV, Universität<br />
Duisburg-Essen, Standort Duisburg, Lotharstrasse 1, 47048 Duisburg<br />
Es wurden Widerstandsmessungen an dünnen Kobalt-Leiterbahnen<br />
in Abhängigkeit der Temperatur (T = 1, 5K bis T = 30K) und<br />
eines senkrecht zur Leiterbahn angelegten Magnetfeldes (bis B =<br />
4, 5T) durchgeführt. Die Leiterbahnen wurden mittels eines Drei-Schritt-<br />
Elektronenstrahllithografie (EBL)-Prozesses auf GaAs Substraten hergestellt<br />
und haben eine konstante Länge von l = 400µm wohingegen ihre<br />
Breite (w = 100nm bis w = 2000nm) und ihre Schichtdicke (t = 7nm<br />
bis t = 32nm) systematisch variiert wurde. Zum Schutz vor Oxidation<br />
wurden die Leiterbahnen mit verschiedenen Abdeckschichten versehen.<br />
Der Magnetowiderstand ist negativ und kann im wesentlichen auf<br />
den Anisotropen Magnetowiderstand (AMR) zurückgeführt werden. In<br />
der Temperaturabhängigkeit des Widerstands zeigt sich zu tiefen Temperaturen<br />
hin der charakteristische logarithmische Widerstandsanstieg,<br />
aus dessen Steigung in Abhängigkeit des äußeren Magnetfeldes die respektiven<br />
Anteile resultierend aus Schwacher Lokalisierung (WEL) und<br />
Elektron-Elektron Wechselwirkung (EEI) bestimmt werden können. Diese<br />
Arbeit wird gefördert von der DFG im Rahmen des SFB 491.<br />
TT 11.13 Di 12:30 H19<br />
Non-equilibrium quasiparticle distribution in diffusive quantum<br />
wires in a magnetic field — •J. Kroha 1 , J. Paaske 2 , A. Rosch 2 ,<br />
O. Uhsaghy 3 , P. Wölfle 2 und A. Zawadowski 3 — 1 PI, Univ. Bonn<br />
— 2 TKM, Univ. Karlsruhe — 3 Dept. of Physics, TU Budapest<br />
The non-equilibrium distribution function f(E, V ) of quasiparticles<br />
with energy E in a diffusive quantum wire at bias V has a doublestep<br />
shape due to the different chemical potentials in the leads [1]. The Fermi<br />
steps display an anomalous rounding whose origin has been identified<br />
with a tiny concentration of Kondo impurities (Kondo temperature TK)<br />
present in the wire [2]. The magnetic field B dependence of f(E, V ),<br />
in particular its non-monotonic behavior as B crosses from B < V to<br />
B > V , suggests qualitatively the Kondo impurities to be of magnetic<br />
origin. However, there is a strong quantitative discrepancy between<br />
experiments and theory [3] both concerning the B dependence and the<br />
expected Kondo impurity concentration. We generalize the perturbative<br />
RG method [4], which was recently developed for a Kondo impurity at<br />
finite V and B, to the case of a variable f(E, V ) along the wire. We use<br />
this method to solve the quantum Boltzmann equation for f(E/eV ) in<br />
the presence of Kondo impurities in a diffusive quantum wire at large<br />
bias V ≫ TK and arbitrary B and compare with experiments.<br />
[1] A. Anthore et al. PRL 90, 076806 (2003).<br />
[2] A. Kaminski, L.I. Glazman, PRL 86, 2400 (2001);<br />
J. Kroha, A. Zawadowski, PRL 88, 176803 (2002).<br />
[3] G. Göppert et al., PRB 66, 195328 (2002).<br />
[4] A. Rosch, J. Paaske, J. Kroha, P. Wölfle, PRL 90, 076804 (2003).<br />
TT 11.14 Di 12:45 H19<br />
Nanoelectronic transport through a spin-polaron system —<br />
•Frank Reininghaus, Thomas Korb, and Herbert Schoeller<br />
— Institut für Theoretische Physik A, RWTH Aachen, Germany<br />
We consider non-equilibrium transport of electrons through a polarised<br />
quantum spin chain of finite length. We model the chain by an itinerant<br />
electron system exchange-coupled to the spins of the chain locally. This<br />
model has been previously considered for several types of magnetic semiconductors.<br />
The spins are treated within the spin-wave approximation.<br />
This enables us to use the Keldysh technique. In equilibrium the elementary<br />
excitations of this system are spin-polarons. We are interested<br />
in the effect of the spin-polaron on the electronic transport through the<br />
chain. We expect that the transport strongly depends on the spin of the<br />
injected electrons.<br />
TT 12 Supraleitung: Anwendungen, Materialien, technische Supraleiter, Bauelemente<br />
Zeit: Dienstag 14:30–15:30 Raum: H20<br />
TT 12.1 Di 14:30 H20<br />
Chemisch unterstützte Oberflächenepitaxie: Orientiertes (001)<br />
NiO, Puffer und YBCO Wachstum auf Ni 5at%W RABiTS —<br />
•Andreas Heinrich, Bernhard Woerz und Bernd Stritzker —<br />
Unversität Augsburg, Experimentalphysik IV<br />
Für die Deposition von YBCO auf metallische Substrate sind Pufferschichten<br />
notwendig. Verwendet man oxidische Puffer kommt es bei der<br />
Deposition auf Ni zu einer unerwünschten (111) NiO Bildung. Durch eine<br />
Voroxidation des Ni-Bandes bei hohen Temperaturen (ca. 1200C / Surface<br />
Oxidation Epitaxie / SOE) kann dies vermieden werden. Dabei bildet<br />
sich die erwünschte (001) NiO Orientierung aus. Diese Methode ist prak-<br />
tikabel im Falle von NiCr od. NiV Legierungen. Werden hochlegierte NiW<br />
Verbindungen (ab 3%W) verwendet, bildet sich keine (001)NiO-Schicht.<br />
Wir haben ein Verfahren entwickelt, mit der ein (001)NiO Wachstum<br />
während der SOE bei tiefen Temperaturen (350C) auf NiW möglich ist.<br />
Damit kann eine (001) NiO Schicht während des Heizvorganges zur Pufferdepositionstemperatur<br />
erzeugt werden. Es wird über den Einfluss der<br />
chemischen Vorbehandlung und der SOE auf das Ni berichtet. Ausserdem<br />
wird gezeigt, dass (001)NiO/La0.7Ca0.3MnO3/YBCO biaxial texturiert<br />
auf Ni5W wächst.