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Plenarvorträge - DPG-Tagungen

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Tiefe Temperaturen Dienstag<br />

TT 11.9 Di 11:30 H19<br />

Inelastic quantum transport through a mesoscopic region —<br />

•Dmitri Ryndyk — Institut für Theoretische Physik, Universität Regensburg,<br />

93040 Regensburg<br />

We consider quantum transport through a (nonequilibrium) mesoscopic<br />

region at finite voltage with inelastic scattering inside a region. In<br />

this case the standard Landauer-Buttiker approach can not be used anymore.<br />

We use the Nonequilibrium Green Function method and develop<br />

quasi-classical kinetic theory. We show that, due to a nonequilibrium distribution<br />

function in the mesoscopic region, inelastic scattering rate is a<br />

function of voltage and can be significantly enhanced. This effect can be<br />

used for investigation of an inelastic scattering at low energies, e.g. in the<br />

resonant tunneling devices.<br />

TT 11.10 Di 11:45 H19<br />

Evidence for fractional quasiparticles in the persistent current<br />

in clean one-dimensional rings — •Janine Splettstoesser 1 , Ulrich<br />

Zülicke 2 , and Michele Governale 1 — 1 Scuola Normale Superiore,<br />

Piazza dei Cavalieri 7, I - 56126 Pisa, Italy — 2 Institute of Fundamental<br />

Sciences, Massey University, Private Bag 11 222, Palmerston<br />

North, New Zealand<br />

The presence of electron-electron interaction affects the persistent currents<br />

flowing in mesoscopic rings threaded by a magnetic flux. We study<br />

an interacting one-dimensional clean ring. It is known that the groundstate<br />

of such a one-dimensional conductor is a Luttinger liquid. We derive<br />

the zero-mode Hamiltonian for the system, and subsequently the average<br />

value of the persistent current. In particular, we find that the persistent<br />

current has a universal form as a function of T/T ∗ , Φ/Φ ∗ , where both<br />

the temperature scale T ∗ and the flux period Φ ∗ are renormalized by the<br />

interaction strength. Certain formal analogies with the noninteracting<br />

case suggest that the interaction-dependent flux period can be seen as a<br />

manifestation of electron fractionalization in a Luttinger liquid [1].<br />

[1] K. V. Pham, M. Gabay, and P. Lederer, Phys. Rev. B 61, 16397<br />

(2000).<br />

TT 11.11 Di 12:00 H19<br />

Interaction-induced damping of Aharonov-Bohm oscillations —<br />

•Thomas Ludwig 1,2 and Alexander Mirlin 1,2 — 1 Institut für Nanotechnologie,<br />

Forschungszentrum Karlsruhe, 76021 Karlsruhe, Germany<br />

— 2 Institut für Theorie der Kondensierten Materie, Universität Karlsruhe,<br />

76128 Karlsruhe, Germany<br />

We study the amplitudes of mesoscopic Aharonov-Bohm oscillations<br />

in diffusive metallic rings in the presence of electron-electron interaction.<br />

In the limit of strong dephasing we derive an analytical expression for<br />

the damping of the oscillations. The dephasing behaviour is qualitatively<br />

different from other situations because although Lϕ is much shorter than<br />

the system size the dephasing mechanism is governed by energy transfers<br />

determined by the system size.<br />

TT 11.12 Di 12:15 H19<br />

Schwache Lokalisierung und erhöhte Elektron-Elektron Wechselwirkung<br />

in nanostrukturierten magnetischen Leiterbahnen<br />

— •Mario Brands, Axel Carl und Günter Dumpich — Experimentalphysik,<br />

AG Farle, Institut für Physik, Fakultät IV, Universität<br />

Duisburg-Essen, Standort Duisburg, Lotharstrasse 1, 47048 Duisburg<br />

Es wurden Widerstandsmessungen an dünnen Kobalt-Leiterbahnen<br />

in Abhängigkeit der Temperatur (T = 1, 5K bis T = 30K) und<br />

eines senkrecht zur Leiterbahn angelegten Magnetfeldes (bis B =<br />

4, 5T) durchgeführt. Die Leiterbahnen wurden mittels eines Drei-Schritt-<br />

Elektronenstrahllithografie (EBL)-Prozesses auf GaAs Substraten hergestellt<br />

und haben eine konstante Länge von l = 400µm wohingegen ihre<br />

Breite (w = 100nm bis w = 2000nm) und ihre Schichtdicke (t = 7nm<br />

bis t = 32nm) systematisch variiert wurde. Zum Schutz vor Oxidation<br />

wurden die Leiterbahnen mit verschiedenen Abdeckschichten versehen.<br />

Der Magnetowiderstand ist negativ und kann im wesentlichen auf<br />

den Anisotropen Magnetowiderstand (AMR) zurückgeführt werden. In<br />

der Temperaturabhängigkeit des Widerstands zeigt sich zu tiefen Temperaturen<br />

hin der charakteristische logarithmische Widerstandsanstieg,<br />

aus dessen Steigung in Abhängigkeit des äußeren Magnetfeldes die respektiven<br />

Anteile resultierend aus Schwacher Lokalisierung (WEL) und<br />

Elektron-Elektron Wechselwirkung (EEI) bestimmt werden können. Diese<br />

Arbeit wird gefördert von der DFG im Rahmen des SFB 491.<br />

TT 11.13 Di 12:30 H19<br />

Non-equilibrium quasiparticle distribution in diffusive quantum<br />

wires in a magnetic field — •J. Kroha 1 , J. Paaske 2 , A. Rosch 2 ,<br />

O. Uhsaghy 3 , P. Wölfle 2 und A. Zawadowski 3 — 1 PI, Univ. Bonn<br />

— 2 TKM, Univ. Karlsruhe — 3 Dept. of Physics, TU Budapest<br />

The non-equilibrium distribution function f(E, V ) of quasiparticles<br />

with energy E in a diffusive quantum wire at bias V has a doublestep<br />

shape due to the different chemical potentials in the leads [1]. The Fermi<br />

steps display an anomalous rounding whose origin has been identified<br />

with a tiny concentration of Kondo impurities (Kondo temperature TK)<br />

present in the wire [2]. The magnetic field B dependence of f(E, V ),<br />

in particular its non-monotonic behavior as B crosses from B < V to<br />

B > V , suggests qualitatively the Kondo impurities to be of magnetic<br />

origin. However, there is a strong quantitative discrepancy between<br />

experiments and theory [3] both concerning the B dependence and the<br />

expected Kondo impurity concentration. We generalize the perturbative<br />

RG method [4], which was recently developed for a Kondo impurity at<br />

finite V and B, to the case of a variable f(E, V ) along the wire. We use<br />

this method to solve the quantum Boltzmann equation for f(E/eV ) in<br />

the presence of Kondo impurities in a diffusive quantum wire at large<br />

bias V ≫ TK and arbitrary B and compare with experiments.<br />

[1] A. Anthore et al. PRL 90, 076806 (2003).<br />

[2] A. Kaminski, L.I. Glazman, PRL 86, 2400 (2001);<br />

J. Kroha, A. Zawadowski, PRL 88, 176803 (2002).<br />

[3] G. Göppert et al., PRB 66, 195328 (2002).<br />

[4] A. Rosch, J. Paaske, J. Kroha, P. Wölfle, PRL 90, 076804 (2003).<br />

TT 11.14 Di 12:45 H19<br />

Nanoelectronic transport through a spin-polaron system —<br />

•Frank Reininghaus, Thomas Korb, and Herbert Schoeller<br />

— Institut für Theoretische Physik A, RWTH Aachen, Germany<br />

We consider non-equilibrium transport of electrons through a polarised<br />

quantum spin chain of finite length. We model the chain by an itinerant<br />

electron system exchange-coupled to the spins of the chain locally. This<br />

model has been previously considered for several types of magnetic semiconductors.<br />

The spins are treated within the spin-wave approximation.<br />

This enables us to use the Keldysh technique. In equilibrium the elementary<br />

excitations of this system are spin-polarons. We are interested<br />

in the effect of the spin-polaron on the electronic transport through the<br />

chain. We expect that the transport strongly depends on the spin of the<br />

injected electrons.<br />

TT 12 Supraleitung: Anwendungen, Materialien, technische Supraleiter, Bauelemente<br />

Zeit: Dienstag 14:30–15:30 Raum: H20<br />

TT 12.1 Di 14:30 H20<br />

Chemisch unterstützte Oberflächenepitaxie: Orientiertes (001)<br />

NiO, Puffer und YBCO Wachstum auf Ni 5at%W RABiTS —<br />

•Andreas Heinrich, Bernhard Woerz und Bernd Stritzker —<br />

Unversität Augsburg, Experimentalphysik IV<br />

Für die Deposition von YBCO auf metallische Substrate sind Pufferschichten<br />

notwendig. Verwendet man oxidische Puffer kommt es bei der<br />

Deposition auf Ni zu einer unerwünschten (111) NiO Bildung. Durch eine<br />

Voroxidation des Ni-Bandes bei hohen Temperaturen (ca. 1200C / Surface<br />

Oxidation Epitaxie / SOE) kann dies vermieden werden. Dabei bildet<br />

sich die erwünschte (001) NiO Orientierung aus. Diese Methode ist prak-<br />

tikabel im Falle von NiCr od. NiV Legierungen. Werden hochlegierte NiW<br />

Verbindungen (ab 3%W) verwendet, bildet sich keine (001)NiO-Schicht.<br />

Wir haben ein Verfahren entwickelt, mit der ein (001)NiO Wachstum<br />

während der SOE bei tiefen Temperaturen (350C) auf NiW möglich ist.<br />

Damit kann eine (001) NiO Schicht während des Heizvorganges zur Pufferdepositionstemperatur<br />

erzeugt werden. Es wird über den Einfluss der<br />

chemischen Vorbehandlung und der SOE auf das Ni berichtet. Ausserdem<br />

wird gezeigt, dass (001)NiO/La0.7Ca0.3MnO3/YBCO biaxial texturiert<br />

auf Ni5W wächst.

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