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Plenarvorträge - DPG-Tagungen

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Magnetismus Dienstag<br />

the Zeeman effect into account, a spin polarization of −60% was obtained.<br />

MA 13.94 Di 15:00 Bereich A<br />

Cobalt doping of a low-energy interface in anatase — Rebecca<br />

Janisch 1,2 , Sibylle Gemming 1 , •Michael Schreiber 1 , and Nicola<br />

Spaldin 2 — 1 Institut für Physik, Technische Universität, 09107 Chemnitz,<br />

Germany — 2 Materials Research Laboratory, University of California,<br />

Santa Barbara CA 93106, USA<br />

About two years ago Co-doped TiO2 anatase has been discovered to<br />

exhibit ferromagnetism at and above room temperature, i.e. to be a magnetically<br />

robust diluted magnetic semiconductor (DMS). Since then it has<br />

attracted considerable interest, but there is still controversy over the origin<br />

of the magnetism as well as the influencing factors.<br />

In this work a low-energy Σ5(113)[-110] grain boundary in anatase<br />

is studied by density-functional band-structure calculations employing<br />

norm-conserving pseudopotentials and plane waves [1].<br />

The interfacial structure in pure anatase exhibits close structural and<br />

electronic similarity to the pure bulk anatase crystal. Yet, the grain<br />

boundary acts as a sink for dopant atoms, such as Co. This result confirms<br />

the importance of the investigation of grain boundaries in the discussion<br />

of DMS properties. The influence of inner interfaces on the magnetic<br />

properties of Co-doped TiO2 is subject to ongoing investigations, the<br />

results of which will be shown on the poster.<br />

[1] The ABINIT code is a common project of the Université<br />

Catholique de Louvain, Corning Inc., and other contributors (URI<br />

http://www.abinit.org).<br />

MA 13.95 Di 15:00 Bereich A<br />

Unordnung in verdünnten Spinsystemen<br />

— •S. Hilbert und W. Nolting — Lehrstuhl Festkörpertheorie, Institut<br />

für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin<br />

Der Einfluss der Substitutionsunordnung auf die magnetischen Eigenschaften<br />

von verdünnten Heisenberg-Spinsystemen wird in Hinblick auf<br />

die magnetische Stabilität von ferromagnetischen verdünnten Halbleiten<br />

(DMS) untersucht. Dazu wird die im Rahmen einer Tyablikov-Näherung<br />

erhaltene Bewegungsgleichung für die Magnon-Green-Funktion eines endlichen<br />

Systems numerisch gelöst. Die aus dieser Green-Funktion folgenden<br />

Spektraldichten werden verwendet, um die Magnetisierung und die<br />

Curie-Temperatur eines unendlich ausgedehnten Systems abzuschätzen.<br />

Die Methode eignet sich für beliebige ferromagnetische Austauschwechselwirkung.<br />

Neben verschiedenen Gitterstrukturen und Größe der Spins<br />

werden insbesondere Austauschintegrale mit unterschiedlicher Reichweite<br />

untersucht. Als Ergebnis zeigt sich, dass für Austausch kurzer Reichweite<br />

keine magnetische Ordnung bei Konzentrationen der Spins unterhalb der<br />

kritischen Perkolations-Konzentration auftritt, während für langreichweitige<br />

Wechselwirkung die Curie-Temperatur proportional zur Konzentration<br />

ist.<br />

MA 13.96 Di 15:00 Bereich A<br />

Magnetic properties of Mn, Cr or V implanted GaN. —<br />

•V.A. Guzenko 1 , N. Thillosen 1 , A. Dahmen 1 , N. Kaluza 1 ,<br />

Th. Schäpers 1 , M. Luysberg 2 , and L. Houben 2 — 1 Institute of<br />

Thin Films and Interfaces (ISG1) and CNI - Center of Nanoelectronic<br />

Systems for Information Technology , Research Centre Jülich, 52425<br />

Jülich, Germany — 2 Institute of Solid State Research and CNI - Center<br />

of Nanoelectronic Systems for Information Technology , Research Centre<br />

Jülich, 52425 Jülich, Germany<br />

The possible application of dilute magnetic semiconductors (DMS) in<br />

spintronics devices impelled intensive search for materials with Curie<br />

temperatures above 300K. On the basis of theoretical predictions a<br />

promising candidate is GaN, doped by Mn up to 5 at.%. Recently, many<br />

groups reported on the successful fabrication of ferromagnetic GaN:Mn<br />

layers grown by molecular beam epitaxy. We followed a different approach<br />

by implanting 3d-transition metals into GaN.<br />

GaN layers grown by MOVPE on sapphire substrates were implanted<br />

with Mn, Cr or V ions with a dose of 5×10 16 cm −2 . The implantation<br />

energy was 200 keV. Subsequently, rapid thermal annealing in N2 atmosphere<br />

for 5 min at 700 ◦ C was performed. The magnetization of our<br />

samples, investigated by SQUID-magnetometer, as a function of magnetic<br />

field as well as temperature revealed paramagnetic behaviour for<br />

all samples. Depending on measurement conditions a hysteresis in magnetization<br />

could be observed. These results can be explained by the presence<br />

of clusters of a 3d-metal rich secondary phase, which is confirmed<br />

by TEM and channelling measurements.<br />

MA 13.97 Di 15:00 Bereich A<br />

Spannungs- und Temperaturabhängigkeit des Magnetowiderstandes<br />

von mit Co kontaktierten Kohlenstoffnanoröhren —<br />

•Hartmut Vinzelberg, Bin Zhao, Ingolf Mönch und Joachim<br />

Schumann — IFW Dresden, Postfach 270116, 01171 Dresden<br />

Da die auf der Si-Technologie beruhende Mikroelektronik bei weiterer<br />

Miniaturisierung natürliche Grenzen erreicht, wird verstärkt an der<br />

Realisierung einer Elektronik gearbeitet, bei der einzelne Atome, Moleküle<br />

oder metallische bzw. halbleitende Nanostrukturen als Transistoren,<br />

Sensoren oder Leiter verwendet werden. Kohlenstoffnanoröhren (carbon<br />

nanotubes - CNT) sind auf Grund ihrer strukturellen und elektronischen<br />

Eigenschaften geeignet als Bausteine in einer molekularen Elektronik/Spintronik<br />

eingesetzt zu werden. In diesem Beitrag werden Techniken<br />

zur Kontaktierung von mehrwandigen CNT mit metallischen Elektroden<br />

vorgestellt und Untersuchungen der elektrischen und magnetischen<br />

Transporteigenschaften diskutiert. Beobachtet werden positive und negative<br />

Magnetowiderstände (MR) bis 60% bei kleinen Spannungen und<br />

4.2K. Mit steigender Temperatur und bei Erhöhung der Spannung nimmt<br />

der MR ab. Es wird auch ein Vorzeichenwechsel des MR bei Umpolung<br />

der Spannung beobachtet, der mit einer Inversion der Spinpolarisation<br />

einer ferromagnetischen Elektrode erklärbar ist.<br />

MA 13.98 Di 15:00 Bereich A<br />

Local Self-interaction Corrections in the Korringa-Kohn-<br />

Rostoker Method — •Diemo Ködderitzsch 1,2 , Martin Lüders 2 ,<br />

Markus Däne 1 , Arthur Ernst 3 , Wolfram Hergert 1 , Dzidka<br />

Szotek 2 , Walter Temmerman 2 , Balas Györfy 4 , Patrick<br />

Bruno 3 , and Axel Svane 5 — 1 Dpt. of Physics Martin-Luther-<br />

University Halle-Wittenberg, Germany — 2 Daresbury Laboratory,<br />

Warrington, UK — 3 MPI of Microstructure Physics, Halle, Germany —<br />

4 HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, UK — 5 Dept. of<br />

Astronomy and Physics, University of Aahus Denmark<br />

Strong correlation effects which underline the electronic structure of<br />

transition metal oxides or lanthanide and actinide metals and their compounds<br />

cannot be adequately described in the framework of the local spin<br />

density approximation (LSDA) in the density functional theory (DFT).<br />

This can partly be attributed to the substantial self-interaction included<br />

in the LDA. To go beyond the LSDA-DFT self-interaction corrections<br />

(SIC) can be implemented in the band-picture. Such an approach has<br />

been used to describe, e.g., the magnetic properties of NiO or the γ → α<br />

phase transition of Ce.<br />

We will present a simplified local rotationally invariant SIC scheme<br />

which can be efficiently implemented in the multiple scattering theory.<br />

The SIC within the Green’s function Korringa-Kohn-Rostoker (KKR)<br />

method can be used together with the coherent potential approximation<br />

(CPA) to treat alloy problems for correlated systems. The method is<br />

illustrated on the electronic structure study of NiO, the γ → α phase<br />

transition of Ce and CeTh alloys.<br />

MA 13.99 Di 15:00 Bereich A<br />

Magnetic anisotropy of transition metal compounds — •Ingo<br />

Opahle 1 , Lutz Steinbeck 2 , Denis Mertz 1 , Manuel Richter 1 ,<br />

Michael D. Kuz’min 3 , Klaus Koepernik 1 , and Helmut Eschrig 1<br />

— 1 IFW Dresden, P.O.B. 270016, D-01171 Dresden, Germany — 2 ZMD<br />

Dresden, Germany — 3 Instituto de Ciencia de Materiales de Aragón,<br />

Zaragoza, Spain<br />

Magnetocrystalline anisotropy properties of a number of transition<br />

metal compounds have been calculated in the framework of density functional<br />

theory in the local spin density approximation (LSDA). The results<br />

have been obtained using the highly accurate relativistic FPLO method<br />

and the relativistic optimized LCAO method. The influence of lattice<br />

geometry and orbital polarization, a correction to the LSDA taking into<br />

account Hund’s second rule, is discussed. Results are presented for CoPt,<br />

YCo5 and related compounds as well as for R2T17Nx compounds. A critical<br />

comparison with experimental and theoretical data from the literature<br />

is given.<br />

MA 13.100 Di 15:00 Bereich A<br />

Dynamics of ferromagnetic nanomagnets with vortex or<br />

single-domain configuration — •Rainer Höllinger, Andreas<br />

Killinger, and Uwe Krey — Inst. Physik II, Univ. Regensburg<br />

We study the dynamics of flat circular permalloy (Py) nanomagnets<br />

for 1.) magnetic vortex and 2.) single-domain configurations, using micromagnetic<br />

simulation.<br />

Ad 1.): Dynamical studies for isolated vortex structures show that

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