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Dielektrische Festkörper Donnerstag DF 7.3 Do 15:30 H11 Relaxor-Verhalten von Strontium-Barium-Niobat: Einfluß der Domänengröße — •T. Granzow 1 , Th. Woike 1,2 , M. Wöhlecke 2 , M. Imlau 2 , W. Kleemann 3 und M. Goulkov 4 — 1 Institut für Mineralogie, Zülpicher Str. 49b, 50674 Köln — 2 Fachbereich Physik, Universität Osnabrück — 3 Angewandte Physik, Universität Duisburg-Essen — 4 Institute of Physics, Kiev, Ukraine Zum Verständnis des Phasenübergangs im Relaxor-Ferroelektrikum Strontium-Barium-Niobat (Sr0.61Ba0.39Nb2O6, SBN) sind detaillierte Kenntnisse über die Wechselwirkung zwischen polaren Bereichen, ihren Grenzflächen und im Kristall eingefrorenen elektrischen Feldern nötig. Während der Einfluß der internen Felder auf die makroskopische ferroelektrische Polarisation gut charakterisiert werden konnte, steht die direkte Untersuchung des Verhaltens mikro- und nanoskopischer polarer Strukturen noch am Anfang. Hier bieten sich Untersuchungen der Winkelverteilung holographisch gestreuten Lichts an: Bei Bestrahlung von SBN mit einem kohärenten Lichtstrahl baut sich eine charakteristische Streulichtverteilung auf, die Rückschlüsse sowohl auf die makroskopische Polarisation als auch auf die lokale Domänenstruktur ermöglicht. In diesem Vortrag wird die Entwicklung mikroskopischer polarer Strukturen in Cer-dotiertem SBN beim Aufheizen über die Phasenübergangstemperatur gezeigt und auf der Basis des Modells interner Zufallsfelder diskutiert. Dabei zeigt sich, dass die Zerfallstemperatur einer Domäne entscheidend von ihrer Größe abhängt. Dieses Ergebnis wird mit Phasenübergangs-Beobachtungen anderer Messmethoden verglichen. Gefördert durch die DFG (SPP1056 WO618/3-4) und INTAS 01-0173 DF 7.4 Do 15:50 H11 High frequency dielectric response of strontium barium niobate in the relaxor and ferroelectric regimes — •J. Banys 1 , W. Kleemann 2 , J. Macutkevic 1 , R. Grigalaitis 1 und R. Pankrath 3 — 1 Physics Department, University of Vilnius, Vilnius, Lithuania — 2 Angewandte Physik, Universität Duisburg-Essen, 47048 Duisburg — 3 Fachbereich Physik, Universität Osnabrück, 46069 Osnabrück The dielectric permittivity of SBN:0.02% Co 2+ , ǫ ′ +iǫ ′′ , is measured at frequencies 20 < f < 6 ·10 8 Hz and temperatures 300 < T < 450 K both in the poled and unpoled state. Below Tc = 348 K the unpoled sample reveals the well-known [1] relaxation behavior of pinned domain walls [2] extending up to the highest frequencies, while a flat dispersion regime up to 10 6 Hz and a broad step within 10 6 < f < 10 9 Hz characterize ǫ ′ of the unpoled sample at T > Tc and the poled sample at all temperatures. The latter behavior is also reflected by a broad peak of ǫ ′′ at f = 10 7 - 10 9 Hz and is attributed to the relaxation of random-field pinned precursor clusters of the polarization [3]. The data are successfully described in terms of Cole-Cole and Havriliak-Negami-type dispersion relations and best-fitted to distribution functions of relaxation times, which show typical relaxor behavior. [1] W. Kleemann et al., Phys. Rev. B 65 (2002) 220101R. [2] T. Nattermann et al., Phys. Rev. B 42 (1990) 8577. [3] W. Kleemann et al., Eur. Phys. Lett. 57 (2002) 14. DF 7.5 Do 16:10 H11 Diffuse phase transition in BaTi1−xSnxO3 — •Volkmar Müller 1 , Horst Beige 1 , and Hans-Peter Abicht 2 — 1 FB Physik, Martin- Luther-Universität Halle — 2 FB Chemie, Martin-Luther-Universität Halle We investigated the influence of Sn-substitution on the diffuse phasetransition (DPT) of BaTixSn1−xO3 (BTS) solid solutions. Thermal expansion, dielectric and electromechanical experiments have been carried out, both for the pure compounds (x = 0 and x = 1, respectively), and for various BTS compositions with 0.025 ≤ x ≤ 0.2. This composition range covers both the diffuse phase transition state and the ferroelectric relaxor state of BTS. The thermal expansion of BTS is nonlinear, both due to thermally generated impurities and, below the Burns-temperature Td, due to nanopolar regions in the paraelectric phase. Deviations from the Curie-Weiss law of the permittivity and the non-Debye dispersion due to the precursor polarization in the Burns-phase of BTS are studied. Resonance-like spectra of DC-biased bar-shaped samples provide information about the complex coupling factor and the elastic anomaly accompanying the DPT. Large-field electromechanical and dielectric experiments reveal the decisive role of the Sn-content on the unhysteretic P(E)-dependence in the slim-loop region as well as on the coupling between polarization and electromechanical strain. This contribution was supported by Deutsche Forschungsgemeinschaft, Schwerpunktprogramm ”Substitutionseffekte in ionischen Festkörpern” DF 7.6 Do 16:30 H11 Gigantischer magnetoelektrischer Effekt im ferroelektrischen Antiferromagneten HoMnO3 — •Th. Lottermoser 1 , Th. Lonkai 2 , U. Amman 2,3 , J. Ihringer 2 , D. Hohlwein 4 und M. Fiebig 1 — 1 Max-Born-Institut, Max-Born-Straße 2A, 12489 Berlin — 2 Institut für Angewandte Physik, Universität Tübingen, 72076 Tübingen — 3 Institut Laue-Langevin, 6 Rue J. Horowitz, BP 156-38042 Grenoble, France — 4 Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Straße 100, 14109 Berlin Die Entdeckung des linearen magnetoelektrischen (ME) Effekts – Induktion einer elektrischen Polarisation durch ein magnetisches Feld bzw. Induktion einer Magnetisierung durch ein elektrisches Feld – stieß in den 1960er Jahren auf großes Interesse: Die Wechselwirkung eröffnete neue Freiheitsgrade für die Entwicklung von Bauteilen, die auf der gegenseitigen Kontrolle des magnetischen und elektrischen Zustands beruhen. Wegen der generell geringen Größenordnung des Effekts schlug die Entwicklung eines ” ME Schalters“ jedoch fehl. Vor kurzem wurden in Kompositmaterialien und magnetischen Ferroelektrika ein ” gigantischer“, steuerbarer ME Effekt entdeckt, was erneut zu großem Interesse in dieser Materieleigenschaft führte. Wir beschreiben die Kontrolle der magnetischen Ordnung in HoMnO3 durch ein elektrisches Feld. Eine ferromagnetische Ordnung der Ho 3+ -Spins wird durch ein elektrisches Feld ein- bzw. ausgeschaltet. Der Prozess wird mithilfe der optischen zweiten Harmonischen beobachtet und anhand von Neutronendiffraktionsmessungen mikroskopisch erklärt. Er beruht auf dem ME Beitrag zur freien Energie, der mikroskopisch induziert wird durch eine Asymmetrie der Ho 3+ − Mn 3+ - Superaustauschpfade aufgrund der ferroelektrischen Verzerrung.
Dünne Schichten Tagesübersichten Hauptvorträge DÜNNE SCHICHTEN (DS) Prof. Dr. Bernd Rauschenbach Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung Permoserstr. 15 04318 Leipzig E-Mail: bernd.rauschenbach@iom-leipzig.de ÜBERSICHT DER HAUPTVORTRÄGE UND FACHSITZUNGEN (Hörsäle HS 31, HS 32, Poster B) DS 2.1 Mo 11:45 (HS 31) Semiconductors under ion bombardment - studied by RBS in situ at 15 K, Elke Wendler, Werner Wesch DS 5.1 Mo 09:30 (HS 32) Eigenschaften amorpher, tetragonal gebundener Kohlenstoffschichten, Bernd Schultrich DS 8.1 Mo 14:30 (HS 32) Electron holography, Hannes Lichte DS 11.1 Mi 14:30 (HS 31) InGaAsN als aktives Material für langwellige oberflächenemittierende Laser, Henning Riechert DS 16.1 Do 14:30 (HS 31) Plasma-assisted deposition and crystal growth of thin metal oxide films, Rainer Hippler FV-internes Symposium ” Analytische Elektronenmikroskopie“ DS 10.1 Di 09:30 (HS 32) Quantitative konvergente Elektronenbeugung und ihre Anwendungen, Joachim Mayer DS 10.2 Di 10:10 (HS 32) Quantitative Z-Kontrast-Abbildung zur Mikrostrukturcharakterisierung, Helge Heinrich DS 10.3 Di 10:50 (HS 32) Electron Energy-loss Spectrometry in the Electron Microscope, Ferdinand Hofer DS 10.4 Di 11:30 (HS 32) Energy-filtering transmission electron microscopy in materials science, Wilfried Sigle DS 10.5 Di 12:10 (HS 32) Kantenfeinstrukturen in Elektronen-Energieverlustspektren, Helmut Kohl FV-internes Symposium ” Dünne Schichten für die Photovoltaik I“ DS 19.1 Do 09:30 (HS 32) Thin-film photovoltaics with crystalline Si using porous Si for layer transfer (PSI process), Rolf Brendel, Heiko Plagwitz, Richard Auer DS 19.2 Do 10:10 (HS 32) Photoelectron spectroscopy of thin film solar cell interfaces, Andreas Klein DS 19.3 Do 10:50 (HS 32) Elektrische Analyse von polykristallinen Halbleiter-Dünnschichtsystemen für die Photovoltaik, Uwe Rau DS 19.4 Do 11:30 (HS 32) Präparationsverfahren für Chalkopyrit-Solarmodule, Reiner Klenk DS 19.5 Do 12:10 (HS 32) Plasmagestützte Schichtabscheideverfahren für Dünnschichtsolarzellen: Prinzipien und Anwendungen, Klaus Ellmer
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