Plenarvorträge - DPG-Tagungen
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Oberflächenphysik Mittwoch<br />
gen ˚Angström wurden durch thermische Oxidation erzeugt. Mit Synchrotronstrahlung<br />
(BESSY II, U41 PGM) wurden hochaufgelöste Si2p-<br />
Photoemissionsspektren über dem gesamten Halbraum bei einer Photonenenergie<br />
von hν = 180 eV aufgenommen. Diese Spektren ermöglichen<br />
durch Anpassungsroutinen die Trennung der Si-Oxidationszustände<br />
(Si 1+ , Si 2+ , Si 3+ , Si 4+ ) vom Volumensignal (Si B ). Dabei zeigt sich, dass<br />
zwei weitere Komponenten (Si α , Si β ) für eine verbesserte Anpassung<br />
nötig sind. Um den Ursprung dieser Komponenten zu ermitteln wird die<br />
Winkelabhängigkeit dieser Signale analysiert. Dazu werden die gemessenen<br />
Photoelektronenbeugungsmuster mit Vielfachstreusimulationen verglichen.<br />
O 28.29 Mi 16:00 Bereich C<br />
Indium- und Indiumselenid-terminierte Si(111)-Oberflächen<br />
als neuartige Pufferschichten in der Heteroepitaxie — •Stefan<br />
Andres, Wolfram Calvet, Tilo Plake und Christian Pettenkofer<br />
— Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109<br />
Berlin<br />
Zur Passivierung von Silizium-Substraten für die Heteroepitaxie sind<br />
III-VI terminierte Oberflächen von grossem Interesse. Wir präsentieren<br />
erste Ergebnisse dünner In- bzw. InSe-Schichten auf Si(111). Die<br />
Präparation der Proben erfolgte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE)<br />
auf H-Si(111)1x1-, Si(111)7x7- und definiert nasschemisch oxidierten<br />
Si(111)-Substraten. Die Schichten wurden in situ mittels Photoelektronenspektroskopie<br />
(PES), niederenergetischer Elektronenbeugung<br />
(LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) bezüglich ihrer Morphologie<br />
und elektronischen Struktur analysiert. Es wurde zunächst der Einfluss<br />
von elementarem Indium auf Si(111) untersucht. Im weiteren Prozess<br />
erfolgte durch sukzessives Koverdampfen von In und Se die Herstellung<br />
einer InSe-terminierten 1x1-Oberfläche. Es zeigt sich, dass InSe in<br />
einer sogenannten Halblage aufwächst, wobei die In-Atome direkt an die<br />
Si-Oberfläche gebunden sind. Eine Selenisierung der Si-Oberfläche findet<br />
nicht statt. Die Energetik der Grenzfläche wird bezüglich Bandversatz<br />
und Grenzflächendipolen bestimmt.<br />
O 28.30 Mi 16:00 Bereich C<br />
Electrospray Deposition of Sensitive Analytes — •Frank<br />
Stadler 1 , Sergei Koltsov 2 , Eugenio Lunedei 1 , Giovanni<br />
Costantini 1 , and Klaus Kern 1 — 1 Max-Planck-Institut für<br />
Festörperforschung, D-70569 Stuttgart — 2 Institute for Analytical<br />
Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 19813 Saint Petersburg<br />
Electrospray ionization is well-known as a means to solve the<br />
volatilization and ionization problem of sensitive analytes such as large<br />
biomolecules [1]. Recently Ouyang et al. [2] reported that electrosprayed<br />
protein ions remain intact, after ionization, in vacuo transfer, massselection<br />
and soft landing. We present a novel electrospray deposition<br />
source, whose objective is the non-destructive deposition of large<br />
sensitive (e.g. organic and biological) analytes under UHV conditions.<br />
Aim of this project is to overcome the limitations of size and mass of the<br />
deposited sample material that are intrinsic to the organic molecular<br />
beam epitaxy techniques based on sublimation. Besides the explanation<br />
of the underlying working principle of this novel experimental setup,<br />
the relevant technological aspects will be discussed. In addition, AFM<br />
images of electrosprayed metal colloid- and protein-containing analyte<br />
solutions (deposited on highly oriented pyrolytic graphite) will be<br />
presented.<br />
[1] J. B. Fenn et al., Science, 246 (1989), 64-71<br />
[2] Z. Ouyang et al., Science, 301 (2003), 1351-1354<br />
O 28.31 Mi 16:00 Bereich C<br />
VUV photon detector with improved resolution for inverse photoemission<br />
— •R. Stiepel, R. Ostendorf, C. Benesch, H. Merz,<br />
and H. Zacharias — Physikalisches Institut, Universität Münster, D-<br />
48149 Münster, Germany<br />
We have significantly improved the energy resolution of a VUV isochromat<br />
spectrometer for inverse photoemission. The detector used is a<br />
Geiger-Müller counter with acetone as filling gas and a CaF2 entrance<br />
window. With this detector we achieve an optical energy resolution of<br />
330meV (FWHM) at a mean energy of 9.9eV for the optical bandpass.<br />
With an additional gas absorption filter arranged between two CaF2 windows<br />
at the entrance of the counting tube we enhance the resolution to<br />
90meV (FWHM) at a slightly decreased mean energy of 9.8eV. The<br />
higher resolution decreases the counting rate to approximately 20%, but<br />
by filling or evacuating the gas chamber we can switch between the two<br />
modes high resolution and high counting rate within seconds.<br />
O 28.32 Mi 16:00 Bereich C<br />
Konventionelle und positroneninduzierte Auger-Elektronenspektroskopie<br />
am System Kupfer-Gold — •Benno Straßer,<br />
Christoph Hugenschmidt und Klaus Schreckenbach —<br />
Technische Universität München, Lichtenbergstraße 1, D-85748<br />
Garching<br />
Bei positroneninduzierter Auger-Elektronenspektroskopie (PAES) erfolgt<br />
die Anregung der untersuchten Probe durch Annihilation von niederenergetischen<br />
Positronen mit Rumpfelektronen des Probenmaterials.<br />
Die Energie der eingestrahlten Positronen kann dabei so klein gewählt<br />
werden, dass sie keinen Sekundärelektronen-Untergrund im Energiebereich<br />
der Auger-Peaks erzeugen. PAES besitzt deshalb ein wesentlich<br />
besseres Signal-zu-Untergrund-Verhältnis als konventionelle AES und<br />
verfügt außerdem über eine höhere Oberflächensensitivität.<br />
Die an der Technischen Universität München bestehende PAES-<br />
Apparatur wurde mit einer Effusionszelle und einem Elektronenstrahlverdampfer<br />
zur Probenbeschichtung im Sub-Monolayer-Bereich erweitert.<br />
Daneben wurden eine Argonkanone zur in situ Probenreinigung,<br />
eine Probenheizung sowie einen Probenschleuse installiert. Die Beschichtungsanlage<br />
wurde an mit Gold bedampften, polykristallinen Kupferproben<br />
getestet und Vergleichsmessungen zur Oberflächensensitivität von<br />
elektronen- und positroneninduzierter AES durchgeführt.<br />
O 28.33 Mi 16:00 Bereich C<br />
Focussing XUV photons with high contrast — •J. Buck 1 , M.<br />
Kalläne 1 , S. Harm 1 , M. Skibowski 1 , R. L. Johnson 2 , and L. Kipp 1<br />
— 1 Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Kiel,<br />
D-24098 Kiel, Germany — 2 Institut für Experimentalphysik, Universität<br />
Hamburg, D-22761 Hamburg, Germany<br />
Photon sieves consisting of a large number of pinholes appropriately<br />
distributed over the Fresnel zones focus electromagnetic radiation [1]. As<br />
part of the program to develop photon sieves for VUV FEL radiation [2]<br />
we present first experimental results on the focussing properties of reflective<br />
photon sieves, which allow to enhance the image contrast efficiently.<br />
The experiments have been performed with visible light (hν = 1.96 eV)<br />
and XUV radiation (hν = 100 eV) supplied from the BW3 beamline at<br />
HASYLAB.<br />
[1] L. Kipp, M. Skibowski, R.L. Johnson, R. Berndt, R. Adelung, S. Harm<br />
and R. Seemann, Nature 414, 184 (2001)<br />
[2] A free-elecron laser (FEL) delivering transversal coherent radiation in<br />
the vacuum ultraviolet regime with photon energies up to several 100 eV<br />
is currently under construction at the Hamburg Synchrotron Radiation<br />
Laboratory HASYLAB/DESY.<br />
Work supported by the BMBF proj. 05 KS1 FK1<br />
O 28.34 Mi 16:00 Bereich C<br />
TOF-PEEM für zeitaufgelöste Mikrospektroskopie von Oberflächen<br />
basierend auf einer fs-Laser EUV-Lichtquelle — •G. H.<br />
Fecher 1,2 , A. Oelsner 1 , G. Schönhense 1 , J. Kutzner 2 , G. Tsimilis<br />
2 und H. Zacharias 2 — 1 Johannes Gutenberg - Universität, 55099<br />
Mainz — 2 Westfälische Wilhelms - Universität, 48149 Münster<br />
Die Kombination eines Photoemissions Elektronen Mikroskops<br />
(PEEM) mit einer Femtosekunden Laser gepumpten EUV Lichtquelle<br />
wird präsentiert. Das PEEM ist für simultane Bildaufnahme und Flugzeitanalyse<br />
(TOF) mit einem 3D (x, y, t) Detektor ausgestattet. Dies<br />
erlaubt neuartige Anwendungen in der Mikrospektroskopie von Oberflächen.<br />
Die Lichtpulse im extremen ultraviolett Bereich werden in Edelgasen<br />
durch ein 30fs Ti:Saphir Lasersystem generiert. Intensive IR Pulse erzeugen<br />
im Konversionsgas hohe Harmonische bis 120eV. Ein Toroidgitter<br />
wird zur Auswahl der Harmonischen eingesetzt. Al-Filter und Au-Spiegel<br />
beschränkten den Energiebereich auf 15-72eV. Die herkömmliche Bildeinheit<br />
de PEEM wurde durch einen 3D-Delayline Detektor ersetzt. Dieser<br />
registriert die Elektronen in 2 räumlichen und einer zeitlichen Koordinate.<br />
Die rückwärtige Mikroskopsäule wird als Flugzeitstrecke betrieben.<br />
Die Zeitauflösung des Detektors beträgt 125ps. Erste Ergebisse zeigen,<br />
daß der Bildkontrast empfindlich von der ausgewählten Energie der Elektronen<br />
abhängt. Die derzeitige Begrenzung der räumlichen (160nm) und<br />
zeitlichen Auflösung der Methode ist durch die Repetitionsrate (1kHz)<br />
des anregenden Lasers bedingt.<br />
O 28.35 Mi 16:00 Bereich C<br />
Growth of Platin Nanowire Networks on Nafion — •M. Elbahri,<br />
J. Franc, O.C. Aktas, R. Adelung, and F. Faupel —<br />
Lehrstuhl für Materialverbunde, Technische Fakultät der CAU Kiel