Allgemeiner Kurskatalog WiSe 2012/13 - Fakultät für Maschinenbau ...

Stand: 24.10.2012
Halbleiterelektronik
Semiconductor Technology
Dozent: Wietler E-Mail:
wietler@mbe.uni~
Ziel des Kurses:
Einführung in die halbleiterphysikalischen Grundlagen und der Funktions-prinzipien der wichtigsten in
der Elektronik eingesetzten Halbleiterbauelemente auf einfachem Niveau. Im Ergebnis sollen die
Studierenden die Basisfähigkeiten erwerben, um weiterführende Fragestellungen der elektronischen
Bauelemente bearbeiten zu können, was auch eine wichtige Voraussetzung für die Nanoelektronik
darstellt.
Inhalt:
- Energiebändermodell des Halbleiters
- Fermi- und Boltzmannverteilung
- Ladungsträgerkonzentrationen (Elektronen und Löcher) im intrinsischen und im dotierten Halbleiter
- Potential- und Feldverlauf im inhomogenen Halbleiter: (Poissongleichung, ortsabhängiges
Energiebänderdiagramm)
- Rekombination und Generation
- Ladungstransport durch Drift- und Diffusion
- Der pn-Übergang
- Kleinsigalmodell der pn-Diode
- Grundprinzip des Bipolartransistors und dessen Anwendung als Verstärker und Schalter
- Grundprinzip des Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET)
- Grundprinzip des Metall-Oxid-Feldeffekttransistors (MOSFET)
Empfohlene Vorkenntnisse:
---
Voraussetzungen:
---
Literaturempfehlung:
Vorlesungsskript Hofmann, Halbleiterelektronik; S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and
Technology, Wiley 2002; R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley 1996
Besonderheiten:
---
Präsenzstudienzeit: 45h
Selbststudienzeit: 75h
Empfohlen ab dem: 6. Semester
Art der Prüfung: schriftlich
V2
ECTS-LP (alt LP): 3 SS
Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
Seite 131