Allgemeiner Kurskatalog WiSe 2012/13 - Fakultät für Maschinenbau ...

Stand: 24.10.2012
Leistungshalbleiter und Ansteuerungen
Power Semiconductor and Activation Control System
Dozent: Mertens E-Mail:
mertens@ial.uni~
Ziel des Kurses:
Verständnis der Zusammenhänge zwischen dem strukturellen Aufbau der Leistungshalbleiterbauelemente
und ihren Betriebseigenschaften. Darauf aufbauend soll der Einfluss der zu schaltenden
Last, der Ansteuerung und der Beschaltung auf das Betriebsverhalten der Leistungshalbleiter an
Beispielen verdeutlicht werden.
Inhalt:
Wiederholung der Grundlagen der Halbleitertechnik, p-n-Übergang, p-s-n-Übergang,
Raumladungszone und Sperrverhalten; Sperrschichtkapazität, Durchlassverhalten; Trägerspeichereffekt
bei bipolaren Bauelementen, Zusammenhänge zwischen den geometrischen Parametern und den
elektrischen Grenzdaten, Dynamische Vorgänge, Bipolartransistor, Thyristor, GTO und IGBT,
Feldeffekttransistor, Aufbau von modernen MOSFETs und IGBTs, Ansteuerung und Schaltverhalten von
MOSFETs, IGBTs und IGCTs, Beschaltung, Ansteuerung und Schaltverhalten von IGBTs für besonders
hohe Schaltfrequenzen, Integrierte Treiberschaltungen, Bauelemente aus SiC
Empfohlene Vorkenntnisse:
Notwendig: Leistungelektronik I, Halbleitergrundlagen z.B. aus „Grundlagen der Materialwissenschaften“
Voraussetzungen:
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Literaturempfehlung:
Literatur wird während der Veranstaltung angegeben; Spenke: p-n-Übergänge, Springer-Verlag
Besonderheiten:
Die Studierenden sollen selbstständig Beiträge zu Einzelthemen erarbeiten und in der Übung vortragen.
Die Übung wird. z.T. von praktischen Experimenten begleitet.
Präsenzstudienzeit: 32h
Selbststudienzeit: 88h
Empfohlen ab dem: 2. Semester
Seite 178
Art der Prüfung: mündlich
V2/Ü1
ECTS-LP (alt LP): 4 SS
Institut für Antriebssysteme und Leistungselektronik, FG Leist