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Scarica la relazione finale - DiMaPla

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4.1.9 Analisi delle condizioni di riattivazione del<strong>la</strong> portata<br />

Dopo <strong>la</strong> fase di raffreddamento del punto di iniezione il polimero che si trova nel gate è allo<br />

stato solido. Per facilitare <strong>la</strong> ripresa del flusso si è pensato al<strong>la</strong> possibilità di collocare resistenze<br />

elettriche vicino al punto di iniezione in modo tale da poter fluidificare il polimero prima dell’inizio<br />

dello stampaggio. L’analisi del<strong>la</strong> fase di riattivazione del flusso mediante Ansys CFX ® è stata<br />

eseguita simu<strong>la</strong>ndo il processo di fusione del polimero a contatto con lo stampo riscaldato da una<br />

resistenza elettrica.<br />

Lo scopo dell’analisi è stato quello di ricavare <strong>la</strong> re<strong>la</strong>zione tra il calore ceduto dal<strong>la</strong><br />

resistenza, <strong>la</strong> pressione a monte del gate e il tempo di riattivazione del<strong>la</strong> portata fluida al fine di<br />

determinare <strong>la</strong> condizione di riattivazione del flusso.<br />

Per ridurre i tempi di calcolo del software tutte le simu<strong>la</strong>zioni sono state eseguite<br />

considerando che gli scambi termici avvengano in un intorno ridotto del punto di iniezione; si<br />

considera infatti che <strong>la</strong> resistenza sia avvolta attorno ad un inserto, e che lo scambio termico<br />

avvenga solo internamente ad esso. Per tale motivo non è stata considerata l’intera geometria<br />

dello stampo ma solo <strong>la</strong> geometria semplificata di un ipotetico inserto.<br />

La resistenza elettrica è costituita da un fi<strong>la</strong>mento di diametro 1 mm avvolto attorno al gate in<br />

una spirale che esegue due rivoluzioni in 3 mm. La distanza tra il centro del<strong>la</strong> resistenza e l’asse di<br />

rotazione del<strong>la</strong> spirale è di 3 mm. In Figura 156 è possibile vedere il sistema di riscaldamento così<br />

dimensionato.<br />

Figura 156 Geometria del<strong>la</strong> resistenza attorno al gate.<br />

Una volta creata <strong>la</strong> geometria dello stampo, è stata eseguita <strong>la</strong> meshatura di volume<br />

mediante Ansys Workbench ® . La mesh è stata infittita localmente in corrispondenza delle superfici<br />

di scambio termico e in partico<strong>la</strong>r modo sul<strong>la</strong> superficie del gate. In Figura 157 è possibile<br />

osservare <strong>la</strong> meshatura superficiale.<br />

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