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Figura 204 Stress, Mises-Henkey (warp). L’approccio in seguito esposto è stato valutato allo scopo di osservare se il valore di tensione può essere portato al di sotto del valore massimo senza andare a modificare il prodotto finito. Lo stress Mises-Henkey assume valori elevati in seguito ad alcuni fattori: • Temperatura del liquido refrigerante troppo bassa; • Tempi ciclo bassi; • Condotti di raffreddamento troppo vicini alla cavità stampo; • Propagazione non buona del flusso di materiale nella cavità. La prima prova simulativa è stata effettuata innalzando la temperatura del liquido refrigerante a 20°C; i risultati ottenuti evidenziano una lieve diminuzione del Mises-Henkey, che però si mantiene comunque al di sopra del valore massimo. TRAFFR=20°C TRAFFR=8°C Figura 205 Confronto tra i valori di stress a diverse temperature del liquido refrigerante. 258
Durante la seconda simulazione, è stato deciso di allontanare i condotti di raffreddamento a temperatura 20°C rispetto alla base della cassetta e precisamente i condotti superiori sono stati traslati di 10mm rispetto alle soluzioni proposte. TRAFFR=20°C TRAFFR=8°C Figura 206 Confronto tra i valori di stress a diverse temperature del liquido refrigerante, condotto superiore traslato di 10mm. Il risultato ottenuto ha migliorato i valori di stress equivalenti ma a questo punto è necessario valutare la distribuzione della temperatura Top-Bottom (Figura 207). A B Figura 207 Temperature Top-Bottom, part. In Figura 207A è rappresentato l’andamento di temperatura per la configurazione modificata, in Figura 207B la configurazione base; si può notare che la differenza di temperatura nel progetto modificato supera in gran parte il range di valori massimo consentito e ciò permette di dedurre che anche in questo caso il risultato ottenuto non è accettabile. Questo studio ad ogni modo viene effettuato a scopo di ricerca in quanto le restrizioni di processo imposte dall’azienda sono vincolanti (non è permesso aumentare la temperatura del liquido di raffreddamento in quanto questa azione porta ad un inevitabile aumento dei tempi ciclo). 259
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Fase 1 Analisi delle caratteristich
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imanenti sono materiali riciclati e
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periodo, invece, le temperature van
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Le varie tipologie di PE sono adatt
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Osservando i risultati dell’anali
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Alla fine è stato analizzato lo st
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sono più difficili da processare i
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1.1.8 Placchette di prova in poliam
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temperatura di processo dipende ess
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1.2.2 Evoluzione ideale della press
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Sezione circolare Sezione ad U Sezi
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Figura 15 Sistema di alimentazione
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Attraverso l’utilizzo di questo t
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Figura 19 Andamento temporale della
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Figura 22 Ugello a flusso libero. U
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Figura 25 Monougello con otturatore
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2.1.1 Influenza del gradiente di ve
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Figura 30 Schema del flusso a fonta
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trovi al centro della sezione, bens
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Il reometro capillare Il reometro u
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τ Q x 3 w ⋅τ w 2 ⎛ dv ⎞ =
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Figura 36 Diagramma per la correzio
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strumento non è necessario eseguir
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dotati una guarnizione O-ring che,
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di massa. A questo punto, per il ca
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linea grazie l’impiego di un tele
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Figura 48 Block Diagram relativo al
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Figura 50 Front Pannel relativo all
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quiete, per il tempo necessario al
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Figura 58 Prima bozza dello strumen
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La forma dello strumento deve soddi
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Quello per la termoresistenza, in v
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Il pezzo definitivo è rappresentat
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Figura 67 Vista laterale e della ba
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Viscosity (Pa-s) comportamento del
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Figura 72 Prova DSC: calcolo della
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74 anche se con cinque fattori inve
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• le altre colonne illustrano i d
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inserisce un campione di polimero c
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Figura 77 Pannello “fitting”. L
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I dati ottenuti sono stati: n 0,244
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viscosità (Pa*s) viscosità (Pa*s)
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perdite di carico all’ingresso ed
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Essa ha fornito i seguenti dati: Fi
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1s 0.0009798 m^3/kg b2s 5.596e-007
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Qui di seguito si può osservare la
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Il materiale riciclato è stato sta
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2.7.3 Conduzione delle prove reolog
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16 14 12 10 8 6 4 2 Correzione di B
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log(Shear Stress)[Pa] 7 6 5 4 3 2 1
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n è la pendenza della porzione di
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viscosità, si potranno agevolare n
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Figura 99 Microscopio Olympus SZX12
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2.9.2 Proprietà reologiche Dipende
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Temperatura: 290°C Atmosfera di pr
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Viscosità [Pa*s] 100000 10000 1000
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Perdita d'imbocco [Pa] 7000000 6000
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Dati: Shear rate apparente [s -1 ]
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135 2454,8 20 130 2343,8 20 127 229
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Conducibilità [W/m•K] PVT 0,29 0
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Volume specifico [cm 3 /g] 1,1600 1
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3.1.1 Modello di cristallizzazione
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7 57 107 171 204 0,66725 8 70 134 2
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viscosità (Pa*s) 1000 100 10 misur
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calcolati in accordo con le formule
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Oltre al modello adattato l’anali
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si ottiene la somma dei quadrati do
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Estimated Regression Coefficients f
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0,2 0,15 0,075 0,25 0,325 120 0,59
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superficie, ossia quella più signi
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dove: • P = pressione [Pa]. • g
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Percent Percent 99 95 90 80 70 60 5
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764 1 Il modello descrittivo ricava
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3.5.1 Attrezzatura A) Macchina di p
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g) Analisi dei dati In accordo con
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Carico unitario (N/mm2) Carico unit
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Figura 110 Macchina di prova MTS 32
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Le impurità presenti nei provini s
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stress 20 19 18 17 16 15 14 13 12 1
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Una volta graficato i risultati (Fi
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Figura 121 Rappresentazione della s
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Campioni scelti per la misura Tra t
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numero riesce a dare un valore rias
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3.7.3 Fitting del modello Figura 12
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Fiber length [μm] 3100 2100 1100 y
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esistenza incontrata in un altro pu
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Ansys CFX® Ansys CFX ® è un modu
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temperature risulta essere invece l
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Time to freeze Il time to freeze è
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Al fine di ottenere una simulazione
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Figura 135 Injection time. Figura 1
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Figura 137 Pressione per t= 0,366 s
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Figura 139 Diagramma frozen layer f
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4.1.5 Confronto tra i due sistemi F
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4.1.6 Approccio al problema mediant
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Figura 144 Geometria del gate. 4.1.
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Figura 147 Velocità in corrisponde
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pressa per generare un aumento di p
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Figura 150 Mesh superficiale. Per e
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[cm3/min] 10 1 0,1 0,01 0,0001 1,5
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Page 243 and 244: Clamp Force ( Tons) 760,00 740,00 7
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Page 255 and 256: Per completare lo studio del proget
Page 257: Analisi di stress della configurazi
Page 261 and 262: Successivamente si sono importati t
Page 263 and 264: si osserva che, se il gradiente di
Page 265 and 266: Figura 213 Distribuzione delle pres
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Page 283 and 284: 5.5 Validazione dello stampaggio ad
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Page 287 and 288: 5.6.2 Superficie di risposta A ques
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Page 291 and 292: Superficie di risposta per la lungh
Page 293: pur essendo un numero esiguo manten
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