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Figura 157 Mesh superficiale.
Le condizioni al contorno, quali la pressione a monte del punto di iniezione e il calore ceduto
dalla resistenza, sono state fatte variare in un range di valori ammissibili nel processo di
stampaggio ad iniezione. Altre condizioni al contorno, come ad esempio temperatura iniziale del
gate e dello stampo, sono state assunte costanti.
Per studiare con Ansys CFX ® la fase di riattivazione della portata ci si è posti in condizione di
fine fase di raffreddamento e con cavità vuota. I valori iniziali dei parametri di temperatura,
pressione e portata alla fine della fase di raffreddamento sono stati assunti coerentemente ai
risultati ottenuti dalle simulazioni di raffreddamento in Ansys CFX ® . La temperatura del polimero
nel gate e dell’inserto sono state assunte pari alla temperatura dello stampo (90°C), mentre la
temperatura del fluido in ingresso all’ugello è stata assunta costante e pari a 300°C (temperatura
della camera calda).
I seguenti plots di Ansys CFX ® evidenziano l’andamento temporale della temperatura sulla
resistenza, nell’inserto e all’interno del gate. Questi plots sono stati ricavati per un valore della
potenza termica ceduta dalla resistenza allo stampo di 7*10 9 W/m 3 , e pressione a monte del gate
di 2 MPa. Il plot iniziale è relativo all’istante zero, mentre gli altri seguono il primo con un
incremento temporale di 2 decimi di secondo.
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